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一種光電探測器及其形成方法，其中，光電探測器包括：襯底，所述襯底包括若干感光區和位于各感光區之間的隔離區；位于各所述感光區內的二極管結構；位于所述隔離區內的深溝槽隔離結構；至少位于所述深溝槽隔離結構頂部表面的凸起部，所述凸起部的表面相對于所...該專利屬于中芯國際集成電路制造(北京)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造(北京)有限公司授權不得商用。
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一種光電探測器及其形成方法，其中，光電探測器包括：襯底，所述襯底包括若干感光區和位于各感光區之間的隔離區；位于各所述感光區內的二極管結構；位于所述隔離區內的深溝槽隔離結構；至少位于所述深溝槽隔離結構頂部表面的凸起部，所述凸起部的表面相對于所...