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本申請(qǐng)屬于芯片及芯片集成封裝領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種壓接IGBT芯片的溫度測(cè)量、封裝集成裝置及方法，溫度測(cè)量裝置應(yīng)用于壓接IGBT器件，壓接IGBT器件包括：IGBT芯片以及發(fā)射極鉬片，IGBT芯片包括：柵極焊盤(pán)和發(fā)射極焊盤(pán)，柵極焊盤(pán)和發(fā)射極焊...該專(zhuān)利屬于華中科技大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)華中科技大學(xué)授權(quán)不得商用。