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本發(fā)明公開一種半導體元件及其制作方法，其中該制作半導體元件的方法為，主要先形成一柵極結(jié)構(gòu)于基底上，然后形成一第一間隙壁于該柵極結(jié)構(gòu)上，形成一圖案化掩模于該柵極結(jié)構(gòu)上以及該柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)，去除該柵極結(jié)構(gòu)另一側(cè)的部分該第一間隙壁，再形成一源極/漏...該專利屬于聯(lián)華電子股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過聯(lián)華電子股份有限公司授權(quán)不得商用。