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本發明公開了一種半導體器件及其制造方法，涉及半導體技術領域，以使沿半導體基底的厚度方向間隔分布的N型環柵晶體管和P型環柵晶體管中的溝道區具有不同的電學導通特性，且提升半導體器件的良率。半導體器件包括第一半導體基底、N型環柵晶體管、P型環柵晶...該專利屬于北京知識產權運營管理有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過北京知識產權運營管理有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種半導體器件及其制造方法，涉及半導體技術領域，以使沿半導體基底的厚度方向間隔分布的N型環柵晶體管和P型環柵晶體管中的溝道區具有不同的電學導通特性，且提升半導體器件的良率。半導體器件包括第一半導體基底、N型環柵晶體管、P型環柵晶...