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一種光阻溶液及圖案化光阻層的制備方法，揭露了用于提高EUV微影中使用的金屬光阻劑的硬度的方法和材料。金屬交聯劑和金屬光阻劑一起使用。交聯劑包含金屬核和多個配體。配體可包含至少一個乙烯基或至少一個乙炔基；或包含丙烯酸酯；或包含肉桂酸酯；或不能...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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一種光阻溶液及圖案化光阻層的制備方法，揭露了用于提高EUV微影中使用的金屬光阻劑的硬度的方法和材料。金屬交聯劑和金屬光阻劑一起使用。交聯劑包含金屬核和多個配體。配體可包含至少一個乙烯基或至少一個乙炔基；或包含丙烯酸酯；或包含肉桂酸酯；或不能...