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本發明涉及一種具有浮置P和N型埋層的IGBT結構，集電極、P型襯底、n型緩沖區和n型漂移區從下到上依次設置；第一浮置P區、第一柵極、P體區、第二柵極、第二浮置P區自左至右依次與n型漂移區的上表面電接觸；n型載流子埋層埋在P體區內；第一N+源...
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