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本發(fā)明公開了一種變寬度負(fù)電容層雙柵鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法，包括半導(dǎo)體襯底、埋氧層、鰭式有源區(qū)、柵氧化層、變寬度負(fù)電容層、隔離氧化層、金屬柵和側(cè)墻；鰭式有源區(qū)包括沿長度方向依次布設(shè)的源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)；變寬度負(fù)電容層對(duì)稱布設(shè)在柵氧化層外...該專利屬于南京郵電大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過南京郵電大學(xué)授權(quán)不得商用。