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本申請(qǐng)公開了調(diào)諧晶體管閾值電壓的處理。一種方法包括：基于半導(dǎo)體區(qū)域的第一部分形成源極/漏極區(qū)域，基于半導(dǎo)體區(qū)域的第二部分形成高k電介質(zhì)層，在高k電介質(zhì)層上形成偶極子膜，使用包含氮?dú)夂蜌錃獾墓に嚉怏w對(duì)偶極子膜執(zhí)行處理工藝，執(zhí)行驅(qū)入工藝以將偶極...該專利屬于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司授權(quán)不得商用。