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本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件及其制作方法，其中，半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底，包括第一表面；晶體管結(jié)構(gòu)，包括柵極結(jié)構(gòu)、源極區(qū)和漏極區(qū)，柵極結(jié)構(gòu)形成在半導(dǎo)體襯底的第一表面上，源極區(qū)和漏極區(qū)形成在半導(dǎo)體襯底中并通過(guò)第一表面裸露；第一硬掩膜層，設(shè)置在晶...該專利屬于武漢新芯集成電路股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)武漢新芯集成電路股份有限公司授權(quán)不得商用。