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本技術(shù)提供了一種薄膜電阻測(cè)試設(shè)備，包括檢測(cè)腔，所述檢測(cè)腔包括相對(duì)的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁；載臺(tái)，置于所述檢測(cè)腔內(nèi)，用于放置待測(cè)試晶圓；第一連接桿，與所述第一側(cè)壁沿第一方向可移動(dòng)連接；第二連接桿，與所述第二側(cè)壁沿所述第一方向可移動(dòng)連接；第一四探針...該專利屬于上海積塔半導(dǎo)體有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海積塔半導(dǎo)體有限公司授權(quán)不得商用。