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本發明公開了一種憶阻陣列及其制備方法，憶阻陣列包括：襯底、氧化物功能層、電極。襯底為第一導電類型；襯底包括第一區域和第二區域，第一區域的摻雜濃度大于第二區域的摻雜濃度；第一區域包括多個子區，子區沿第一方向延伸，且多個子區沿第二方向間隔排列；...
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