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提供了一種半導體器件，該半導體器件包括：襯底；第一有源層，所述第一有源層設置在所述襯底的上方；以及第二有源層，所述第二有源層設置在所述第一有源層上。所述第二有源層具有比所述第一有源層高的帶隙，使得在所述第一有源層和所述第二有源層之間產生二維...
該專利屬于威洛克斯半導體公司所有，僅供學習研究參考，未經過威洛克斯半導體公司授權不得商用。

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