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本發明屬于薄膜晶體管器件技術領域，具體為一種用于氧化物薄膜晶體管的半導體層材料。該半導體層材料為銦鋅鈦氧化物。其中銦、鋅和鈦的成分比例控制在一定范圍內的。本發明還提供以這種氧化物作為溝道層材料的薄膜晶體管。本發明獲得的薄膜晶體管在平板顯示領...
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