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本發明涉及質譜電離裝置技術領域，特別涉及一種質子轉移質譜離子源，包括絕緣介質腔、推斥電極、氣體入口、射頻線圈、引出電極、進樣口和離子漏斗式漂移管，所述絕緣介質腔上端封閉，下端開口，開口端與所述引出電極連接；所述射頻線圈圍繞在所述絕緣介質腔中...
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