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本發明涉及一種非真空的濕化學法制備CuIn(Se,S)2薄膜的方法，包括如下步驟：（a）前軀體墨水制備（b）前軀體薄膜制備（c）干燥（d）退火處理。本發明所提供的銅銦硫薄膜制備方法，與傳統的高真空氣相法相比，其工藝簡單，成本低，可重復性強，...
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