溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。
本實用新型涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種基于負(fù)微分電阻特性的混合SETCMOS?D觸發(fā)器，該結(jié)構(gòu)的重點是利用SET與CMOS組成的混合電路產(chǎn)生兩種變化方向相反的NDR特性，并利用該特性構(gòu)成兩個用于存儲電壓值的穩(wěn)態(tài)點，實現(xiàn)鎖存器的功能,并通...該專利屬于福州大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過福州大學(xué)授權(quán)不得商用。