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本發明公開了一種掩膜法制作背面拋光單晶硅電池的方法，其目的在于克服現有背面拋光單晶硅電池制備方法存在的工藝復雜、設備要求高、生產成本高的缺陷。本發明主要步驟為拋光-背面掩膜-正面制絨-擴散制PN結-二次酸洗-正面鍍氮化硅膜-絲網印刷、燒結。...
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