溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。

本發明旨在提供具有設計時已經考慮了發送端子及接收端子所需的特性的FET的高頻半導體開關。本發明的高頻半導體開關(10)具有多個場效應晶體管(50)。多個場效應晶體管(50)分別包括：在基板(100)上隔著一定的間隔形成的源極區域(130)及...
該專利屬于三星電機株式會社所有，僅供學習研究參考，未經過三星電機株式會社授權不得商用。

詳細技術文檔下載地址

溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。