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公開了一種極紫外光刻(EUVL)的工藝。該工藝包括：接收具有多種形態件的極紫外(EUV)掩模。將EUV掩模的不同形態件分配給鄰近的多邊形和場。通過部分相干性σ小于0.3的幾乎軸上照明(ONI)暴露EUV掩模以產生衍射光和非衍射光。去除大部分...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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公開了一種極紫外光刻(EUVL)的工藝。該工藝包括：接收具有多種形態件的極紫外(EUV)掩模。將EUV掩模的不同形態件分配給鄰近的多邊形和場。通過部分相干性σ小于0.3的幾乎軸上照明(ONI)暴露EUV掩模以產生衍射光和非衍射光。去除大部分...