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提供了一種半導(dǎo)體器件。所述器件包括：半導(dǎo)體襯底；形成于半導(dǎo)體襯底上的柵堆疊以及側(cè)墻；形成于所述柵堆疊兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的源極區(qū)和漏極區(qū)；其中所述柵堆疊的下部包括：高k柵介質(zhì)層；形成于所述高k柵介質(zhì)層上的功函數(shù)金屬層；形成于所述功函數(shù)金屬層上...該專利屬于中國科學(xué)院微電子研究所所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中國科學(xué)院微電子研究所授權(quán)不得商用。