本申請涉及半導體熱管理技術領域，本申請提供一種TMBS半導體器件的熱管理系統，包括：采集模塊、溫度讀取模塊、仿真模塊、分析模塊和策略執行模塊；采集模塊用于在TMBS半導體器件運行時獲取與熱管理相關的數據，來源包括但不限于溫度傳感器，溫度...

本發明涉及晶圓測試領域，提供了一種用于圖像傳感器制作的晶圓鍵合力測試方法，包括利用鍵合力測試設備對晶圓本體進行測試，晶圓本體包括上晶圓和下晶圓，上晶圓通過鍵合界面和下晶圓連接，鍵合力測試設備包括底板、定位組件、吸液組件以及刀具組件，定位...

本申請涉及半導體制造技術領域，本申請提供一種用于實時缺陷檢測的TMBS器件制造方法，步驟包括：在TMBS基底中采集在光刻和刻蝕過程中溫度和濕度數據，輸出第一實時監測參數值；使用傳感器實時采集TMBS基底表面圖像，輸出第二實時監測參數值；...

本申請涉及半導體器件制造技術領域，本申請提供一種用于減少電噪聲的TMBS半導體器件制造方法，其特征在于，包括以下步驟：選取半導體材料作為TMBS基底，使用化學氣相沉積在半導體基底表面形成氧化層，使用光刻技術在氧化層上定義溝槽的位置，使用...

本發明涉及半導體領域，提供了一種用于圖像傳感器制作的原子層沉積方法，包括以下步驟：步驟一：對襯底進行清潔預處理；步驟二：利用沉積、退熱及冷卻一體化系統對襯底進行原子層沉積、退火以及冷卻；沉積、退熱及冷卻一體化系統包括底座、原子層沉積組件...

本發明涉及半導體領域，具體涉及一種TMBS器件的制備方法，包括以下步驟：步驟1，以單晶硅材料作為襯底材料；步驟2，在襯底基層的上表面通過化學氣相沉積法形成氮化銦緩沖層；步驟3，使用化學氣相沉積法在緩沖層的表面生長一層銻化鍺銦作為外延層；...

本發明涉及半導體領域，提供了一種用于圖像傳感器制作的硅層減薄方法，包括以下步驟：利用臨時鍵合裝置對晶圓和臨時襯底載片進行臨時鍵合；臨時鍵合裝置包括底座、立架、高速轉動驅動裝置、承臺、升降驅動裝置、加熱器、壓板、電機、第一齒輪以及支撐齒板...

本發明涉及半導體領域，具體涉及一種TMBS器件的制備工藝，包括以下步驟：步驟1，將硅基片依次經過切割、拋光、清洗和干燥后，作為襯底材料使用；步驟2，在襯底材料的上表面形成外延層；步驟3，通過刻蝕的方式處理外延層形成溝槽，溝槽的內表面形成...

本申請涉及半導體拋光領域，本申請提供一種用于減少TTV的半導體拋光方法，包括：S10：基于所述拋光參數建立拋光機的動態模型；S20：基于所述動態模型建立拋光機的狀態描述函數；S30：輸出拋光機的預測拋光參數；S40：基于所述預測拋光參數...

本發明公開一種基于BSI工藝的提高晶圓鍵合強度的方法，屬于半導體制造技術領域，包括以下步驟：在第一晶圓或第二晶圓中的一種晶圓的鍵合表面形成氧化層并對氧化層進行平坦化處理，再在平坦化處理的鍵合表面上設置硅烯層；再在另一晶圓的鍵合表面形成氧...

本發明公開一種基于BSI工藝的晶圓背面減薄方法，屬于半導體制造技術領域，包括以下步驟：（1）提供待減薄的晶圓；（2）采用減薄工藝對所述晶圓進行減薄至目標厚度；（3）在減薄后的晶圓表面形成氧化層并進行化學機械平坦化處理；（4）在平坦化的晶...

本發明涉及半導體器件技術領域，尤其涉及一種溝槽肖特基二極管及其制備方法。包括半導體襯底、多個溝槽結構、連接溝槽結構的勢壘金屬層和所述半導體襯底表面的電極；溝槽結構包括外側的終端溝槽結構以及等邊三角形陣列分布的多個單胞溝槽；終端溝槽結構與...

本實用新型涉及清洗設備技術領域，尤其涉及一種涂膠膠盤清洗設備。本實用新型提供的涂膠膠盤清洗設備包括柜體、清洗裝置以及廢液回收裝置；柜體包括頂板、底板、背板、左側板、右側板、操作臺面以及支撐桿，清洗裝置包括清洗桶和排液柱，廢液回收裝置包括...

本發明提供一種晶圓CMP后溝槽內顆粒沾污的去除方法，包括以下步驟：S1、在晶圓表面沉積二氧化硅薄層；S2、通過干法刻蝕工藝對晶圓溝槽側壁以外的二氧化硅進行刻蝕后進行CMP工藝處理；S3、通過酸性清洗液對晶圓溝槽內的二氧化硅進行腐蝕后，使...

本發明提供一種半導體三五族化合物晶圓加工方法，包括以下步驟：S1、制作帶有中心孔的晶圓環；S2、將晶圓放置在晶圓環的中心孔處，并將晶圓與晶圓環進行粘貼固定；S3、將粘貼后的晶圓和晶圓環放置在設備承片位置，確認成片位置壓力顯示為35

本發明提供一種芯片封裝前序的膠體檢測方法，包括如下步驟：S1、在無階臺面上刻畫點膠圖案；S2、用吸盤將玻璃蓋板通過點膠的方式貼裝在陶瓷載體上，觀察玻璃蓋板下的膠體覆蓋情況；S3、當膠體在無階臺面上產生空洞時，改進點膠圖案，重復步驟S1和...

本發明提供一種硅晶圓表面凹槽的填平方法，包括如下步驟，S1、通過化學氣相沉積的方法在硅晶圓上沉積一層阻擋層；S2、在硅晶圓上沉積一層填充層；S3、采用化學機械研磨的方法，控制研磨溫度在30

本實用新型提供一種CMOS圖像傳感器封裝載具，其中CMOS圖像傳感器封裝載具包括：載具主體；限位結構，設置于載具主體，限位結構用于放置CMOS圖像傳感器，限位結構使CMOS圖像傳感器被夾具吸附或夾持；傳送耳邊，設置于載具主體，傳送耳邊用...

本發明提供一種石英常溫鍵合方法，包括：S100，清洗石英片表面；S200，將兩個石英片進行二氧化硅沉積，在石英片表面生成二氧化硅鍵合膜；S300，對二氧化硅鍵合膜進行化學機械研磨；S400，使用氫氟酸溶液清洗石英片；S500，使兩個石英...

本發明提供一種優化濕法腐蝕后晶圓表面厚度范圍方法，包括如下步驟：S1、將外延片與純硅片以及器件晶圓與邏輯電路晶圓進行鍵合工藝，形成一片晶圓；S2、通過采用機械研磨方式，將外延片或邏輯晶圓的背面研磨至13