本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于半絕緣砷化鎵襯底的圖像傳感器及其制造方法，該圖像傳感器包括依次疊加的半絕緣砷化鎵襯底、鍺電極層、鍺吸收層、P型電荷層、砷化鎵雪崩層、砷化鎵電極層和鈍化層；砷化鎵雪崩層采用超晶格結(jié)構(gòu)或量子阱...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種砷化銦量子點(diǎn)單光子雪崩二極管及其制造方法，包括依次疊加的襯底層、緩沖層、N型磷化銦摻雜層、本征銦鎵砷吸收層、N型銦鎵砷磷輕摻雜漸變層、N型磷化銦輕摻雜電荷層、本征砷化銦量子點(diǎn)雪崩層和P型磷化銦輕摻...

本發(fā)明提供一種多數(shù)投票電路，將比較電路輸出的控制信號(hào)輸出端，分別與內(nèi)循環(huán)電路的輸入端、閾值檢測(cè)電路的控制信號(hào)輸入端和投票電路的控制信號(hào)輸入端相連接，以使內(nèi)循環(huán)電路能夠?qū)⑵渌邮盏降目刂菩盘?hào)，轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的第一時(shí)鐘信號(hào)和第二時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行輸出...

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種基于套刻誤差的聯(lián)合優(yōu)化方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。該方法包括：獲取樣本量測(cè)數(shù)據(jù)，確定初始套刻誤差補(bǔ)償模型中的待調(diào)整參數(shù)；對(duì)待調(diào)整參數(shù)進(jìn)行分組，得到候選模型參數(shù)組和參考模型參數(shù)組，分別確定候選模型參數(shù)組對(duì)應(yīng)的候選套刻誤差...

本發(fā)明公開了一種極紫外光刻膠輪廓的預(yù)測(cè)方法、預(yù)測(cè)裝置和電子設(shè)備，預(yù)測(cè)方法包括：將目標(biāo)光刻膠劃分為預(yù)設(shè)數(shù)量個(gè)體積相同的元胞單元，并進(jìn)行逐級(jí)分組；根據(jù)對(duì)目標(biāo)光刻膠曝光后每一元胞單元中各粒子的初始分布數(shù)據(jù)，計(jì)算每級(jí)分組中每一計(jì)算組的傾向函數(shù)值...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于玻璃襯底的SPADs圖像傳感器及其制造方法，該圖像傳感器包括：依次疊加的玻璃襯底、氧化硅層、氧化鋁層、P型重?fù)诫s砷化鎵層、本征砷化鎵可見光傳感層、本征鍺系短波紅外傳感層、P型電荷層、多雪崩層、...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種絕緣體上鍺短波紅外圖像傳感器及其制造方法，該圖像傳感器包括：讀出電路、鈍化層、N型電極和P型電極，以及依次疊加的第二硅襯底、熱氧層、氧化鋁層、P型重?fù)诫s鍺層、本征鍺傳感層、P型電荷層、本征鍺量子阱...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于硅鍺PIN結(jié)構(gòu)的圖像傳感器及其制造方法，該傳感器包括：讀出電路，依次疊加的玻璃襯底、氧化硅層和氧化鋁層，以及設(shè)于氧化鋁層之上且位于同一水平面的至少一個(gè)硅像素區(qū)域和至少一個(gè)鍺像素區(qū)域；硅像素區(qū)域...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N晶圓結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供襯底，以及在襯底上形成多個(gè)半導(dǎo)體器件組，每個(gè)半導(dǎo)體器件組包括至少一個(gè)半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體器件包括埋氧層、埋氧層上的溝道層和溝道層上的柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)包括從溝道層向上依次層疊的高k介質(zhì)層、N型功函...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N晶圓結(jié)構(gòu)，包括襯底，以及襯底上的多個(gè)半導(dǎo)體器件組，每個(gè)半導(dǎo)體器件組包括至少一個(gè)半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體器件包括埋氧層、埋氧層上的溝道層和溝道層上的柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)包括從溝道層向上依次層疊的高k介質(zhì)層、N型功函數(shù)層和金屬間隙填充...

本發(fā)明公開了一種接收電路，包括第一偏置電壓產(chǎn)生電路、上拉電流產(chǎn)生電路、放大電路、下拉電流產(chǎn)生電路和輸出電路。放大電路包括電容耦合模塊和放大模塊，電容耦合模塊的一端接入輸入信號(hào)，另一端與放大模塊的輸入端電連接，放大模塊用于根據(jù)輸入信號(hào)生成...

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種推挽電源電路及驅(qū)動(dòng)芯片，涉及電源技術(shù)領(lǐng)域。該推挽電源電路包括負(fù)反饋模塊、正反饋模塊、反饋采集模塊、電流源模塊以及開關(guān)模塊；開關(guān)模塊用于控制正反饋模塊的運(yùn)行狀態(tài)，電流源模塊用于給反饋采集模塊和開關(guān)模塊提供電能；反饋采...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種高阻值硅基鍺SPADs傳感器及其制備方法，包括依次疊加的高阻值硅基鍺晶圓、傳感層、鍺硅層、雪崩層、第二鍺層、氧化硅層、傳感互連層、讀出互連層和讀出電路；高阻值硅基鍺晶圓包括依次疊加的高阻值受主硅襯底、...

本申請(qǐng)公開了一種基于自旋軌道矩磁性隧道結(jié)的邏輯運(yùn)算單元和方法。該邏輯運(yùn)算單元包括：全耗盡型絕緣體FDSOI的MOS管與自旋軌道矩磁性隧道結(jié)SOTMTJ；FDSOI的MOS管的漏極與SOTMTJ的第一端串聯(lián)，SOTMTJ的第二端接地；FD...

本申請(qǐng)公開了一種計(jì)算電路、自旋轉(zhuǎn)移矩磁存儲(chǔ)器及終端設(shè)備。該電路應(yīng)用于STT?MRAM，包括：計(jì)算電路包括控制單元和第一磁性隧道結(jié)MTJ邏輯單元；第一MTJ邏輯單元包括第一輸入MTJ、第二輸入MTJ和第一輸出MTJ，第一輸入MTJ和第二輸...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于鍺硅多雪崩層的絕緣體上鍺系SPADs傳感器結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括：傳感器晶圓、鈍化層、N型電極、P型電極和讀出電路；傳感器晶圓包括依次疊加的熱氧層、反射鏡、氧化鋁層、P型重?fù)诫s鍺層、本征鍺傳感層、...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于硅鍺多雪崩層的鍺系SPADs傳感器及其制備方法，傳感器包括：讀出電路、N型電極、P型電極、鈍化層和平面?zhèn)鞲衅骶A；平面?zhèn)鞲衅骶A包括依次疊加的N型重?fù)诫sSi層、硅鍺多雪崩層、P型電荷層、傳感層和P...

本申請(qǐng)公開了一種電容?電壓曲線的校正方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。首先可以通過第一阻抗測(cè)試橋的高端和低端分別獲取目標(biāo)晶體管的疊加電壓和輸出電流，并通過第二阻抗測(cè)試橋的高端和低端分別獲取參照晶體管的疊加電壓和輸出電流。根據(jù)目標(biāo)晶體管的疊加電...

本申請(qǐng)公開了一種級(jí)聯(lián)運(yùn)算電路和運(yùn)算器。電路包括：第一靈敏放大模塊、復(fù)用模塊和第二靈敏放大模塊；其中，第一靈敏放大模塊的輸出端連接復(fù)用模塊的控制端，復(fù)用模塊的輸出端連接第二靈敏放大模塊的輸入端；第一靈敏放大模塊，用于根據(jù)第一靈敏放大模塊中...

本發(fā)明公開了一種探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其制備方法，探測(cè)器結(jié)構(gòu)包括：依次疊層設(shè)置的第一襯底、分布式布拉格反射鏡、鍵合層和PIN結(jié)構(gòu)；其中，所述分布式布拉格反射鏡包括多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)，每一疊層結(jié)構(gòu)包括依次疊層設(shè)置的多晶硅層和氮化硅層；每一疊層結(jié)構(gòu)中所述氮...