本申請屬于半導體材料及電子通訊裝置技術領域，公開了一種薄膜體聲波諧振器以及透明保護層的制備方法，包括薄膜體聲波諧振器半成品，薄膜體聲波諧振器半成品最上層為金屬電極，金屬電極頂部設有透明保護層，透明保護層為SiO<subgt;2&l...

本發明提供了一種正膠剝離方法及剝離系統，涉及芯片制造技術領域。該正膠剝離方法包括步驟：利用正膠在晶圓的上表面制作膠層；將晶圓浸泡在顯影液中，以使膠層中的感光劑與顯影液發生交聯反應，并將膠層中靠近膠層的上表面的正膠轉變成硬化膠膜；硬化膠膜...

本發明公開了一種低粘度光刻膠增厚方法，屬于光刻工藝領域，步驟包括，在已生長Ti?Cu薄膜種子層的晶圓上旋涂第一層光刻膠；對晶圓進行第一次軟烘；第一次軟烘的溫度低于光刻膠的技術指導書規定的溫度，第一次軟烘的時間短于光刻膠的技術指導書規定的...

本申請涉及聲表面波濾波器技術領域，具體提供了一種聲表面波濾波器封裝結構及方法，該封裝結構包括：聲表面波濾波器，其包括壓電襯底、功能線路層、多個電信號端和多個接地端；封裝基板，與壓電襯底抵觸，其上設有內外分布的線路放置腔、多個信號端放置腔...

本發明公開了一種溫補型體聲波諧振器及其制造方法，屬于半導體技術領域，該溫補型體聲波諧振器由底至頂包括依次層疊的第一襯底、支撐層、底電極、壓電層、溫補層和頂電極，第一襯底在與支撐層連接的一面的中部設置有空腔，溫補層的材質為具有正頻率溫度系...

本發明公開了一種基于內外擺線構型的體聲波諧振器及體聲波濾波器，屬于諧振器技術領域，包括依次堆疊設置的襯底、支撐層、底電極、壓電層和頂電極，襯底與支撐層之間設置有空腔，底電極和壓電層重疊部分以及壓電層和頂電極重疊部分的輪廓形狀均為對稱的封...

本申請涉及體聲波諧振器技術領域，具體提供了一種大功率容量體聲波諧振器及其制備方法，該諧振器包括：由下至上依次連接的襯底、底電極、壓電層、頂電極和功能層；功能層包括第一鈦鎢合金層；第一鈦鎢合金層在俯視方向上的投影的外邊界位于頂電極在俯視方...

本發明提供了一種空腔型薄膜體聲波諧振器及其制備方法，涉及體聲波諧振器技術領域。該空腔型薄膜體聲波諧振器包括依次層疊的襯底層、種子層、底電極、壓電層和頂電極，襯底層和種子層之間設置有空腔，底電極朝向壓電層的一側挖設有溝槽，溝槽位于空腔的正...

本發明提供了一種多晶圓一次鍵合夾具及其使用方法，涉及晶圓鍵合技術領域。該多晶圓一次鍵合夾具包括上下對齊的上合盤、中合盤和下合盤，上合盤的下側、中合盤的上下兩側以及下合盤的上側能夠同時固定安裝晶圓；上合盤滑動設置在中合盤的上方且能夠沿上下...

本申請涉及半導體工藝技術領域，具體而言，涉及一種晶圓清洗方法及晶圓清洗系統，通過采用等離子體法先對晶圓的表面進行顆粒和雜質清除，再對晶圓進行靜電處理，然后對晶圓的表面進行沖洗處理以沖掉一部分表面明顯的雜質，并同時對晶圓表面進行刷洗處理，...

本發明公開了一種具有緩沖層的高質量AlN薄膜及其制備方法與應用，屬于半導體材料制備領域，方法步驟包括：在襯底上形成卟啉類化合物涂層作為緩沖層；在緩沖層上物理氣相沉積AlN種子層；在AlN種子層上化學氣相沉積AlN外延層，得到具有緩沖層的...

本申請涉及臺階儀技術領域，具體提供了一種晶圓定位對準系統、晶圓定位對準方法及臺階儀，該晶圓定位對準系統包括晶圓中心定位臺，其中部具有朝向其中心收縮的收縮槽，收縮槽的槽底與晶圓外周匹配；托臺；承載組件；轉動組件；升降組件；控制器用于控制升...

本發明提供了一種溫度補償型薄膜體聲波諧振器及其制備方法和濾波器，涉及體聲波諧振器技術領域。該制備方法包括步驟：獲取單晶的第一襯底并在第一襯底上沉積出單晶氮化鋁壓電層；在壓電層的上方沉積出底電極后，在底電極上沉積出多晶二氧化硅溫補層，得到...

本發明公開了一種對位夾持裝置、剝離清洗機臺和剝離清洗設備，屬于剝離清洗機臺技術領域，包括承載部、擠壓組件和至少3個彈性夾爪，擠壓組件設置在承載部的正下方且設置有壓縮空間，壓縮空間的上下尺寸可變；彈性夾爪包括彈性部和夾持部，彈性部位于壓縮...

本發明公開了一種曝光設備及其控制方法，屬于光刻技術領域，包括主動隔振臺、兩個標記識別裝置和一個曝光裝置，主動隔振臺包括相互獨立的兩個分區，兩個分區均用于放置晶圓；兩個標記識別裝置活動設置在主動隔振臺的上方且每個標記識別裝置均能夠在對應的...

本發明提供了一種溫度補償型體聲波濾波器及其制備方法，涉及體聲波濾波器設計技術領域。包括依次層疊的第一襯底、底電極、壓電層和頂電極，壓電層由單晶態氮化鋁材料或多晶態氮化鋁材料制成，還包括溫補層，溫補層位于壓電層內且被壓電層完全密封；溫補層...

本申請涉及體聲波諧振器技術領域，具體提供了一種消除模態的體聲波諧振器、制備方法及聲學濾波器，該體聲波諧振器包括：由下至上依次連接的襯底、底電極、壓電層和頂電極；模態消除層，其具有至少兩個圍繞聲反射鏡邊緣設置且內外分布的間隙組或至少兩個圍...

本申請涉及體聲波諧振器技術領域，具體提供了一種調節聲速的體聲波諧振器、制備方法及聲學濾波器，該諧振器包括：聲速調節層，其具有至少兩個圍繞聲反射鏡邊緣設置的聲速調節結構組，每個聲速調節結構組均包括多個間隔設置的聲速調節塊，聲速調節層在俯視...

本發明涉及半導體器件生產技術領域，具體公開了一種NMP廢液的殘余金屬回收裝置，該裝置應用在半導體生產的NMP剝離機中，包括控制器以及依次通過管道連接的：NMP廢液接收管，NMP廢液接收管上設有第一流量計；緩沖罐，緩沖罐內具有液位計；粗過...

本申請涉及體聲波諧振器技術領域，具體提供了一種具有橫波反射結構的體聲波諧振器，其包括：由下至上依次連接的襯底、底電極、壓電層和頂電極，襯底頂部設有聲反射鏡；橫波反射層，位于襯底上方且與頂電極連接，用于反射橫波，其在俯視方向上的投影的外邊...