本發明涉及涉及半導體工藝技術領域，尤其涉及一種基于壓電MEMS芯片的超聲波傳感器及其制備方法，包括襯底，襯底正面形成壓電層，襯底貫穿開設背腔，在壓電層表面形成結構層，結構層的厚度大于壓電層中壓電薄膜的厚度，使中性面位于結構層橫向投影面積...

本發明公開了一種基于MEMS芯片的清洗設備及清洗方法，設備包括容納槽，所述容納槽內容納有用于對芯片清洗的清洗液，該清洗液可以為水，所述容納槽的的側面設有第一進液口和第二進液口，所述第一進液口和所述第二進液口的高度高于所述清洗液的液面高度...

本發明涉及半導體工藝技術領域，尤其涉及一種基于有機聚合物結構的超聲波傳感器及其制備方法，超聲波傳感器包括襯底，襯底正面形成壓電層，襯底貫穿開設背腔，在壓電層表面形成有機聚合物層，有機聚合物層的楊氏模量不高于2GPa，有機聚合物層內部開設...

本發明提供一種壓電PMUT及其制備方法，包括襯底，襯底具有相對的正面及背面，襯底正面形成壓電層，襯底貫穿開設背腔，在壓電層表面形成結構層，結構層的厚度大于壓電層中壓電薄膜的厚度，使中性面位于結構層橫向投影面積范圍內；結構層的振膜區域開設...

本發明涉及半導體MEMS芯片工藝技術領域，尤其涉及一種MEMS芯片結構及刻蝕方法，芯片結構包括石英，石英表面形成金屬Cr，在金屬Cr表面形成無機化合物，無機化合物在金屬Cr上形成掩膜；刻蝕方法包括以下步驟：在金屬Cr上生長無機化合物后，...

本發明涉及半導體工藝技術領域，尤其涉及一種基于壓電MEMS芯片的PMUT及其制備方法，包括襯底，襯底具有相對的正面及背面，在襯底的正面形成壓電層，襯底貫穿開設背腔，在壓電層的表面形成結構層，結構層的厚度大于壓電層中壓電薄膜的厚度，使中性...

本發明公開了一種基于單軸振動傳感器的MEMS芯片，涉及半導體工藝技術領域，包括襯底，所述襯底具有相對的正面及背面，所述正面設置壓電層，壓電層包括依次層疊設置的底電極、壓電薄膜和頂電極，芯片對應背腔縱向投影區域范圍內的結構為振膜，背腔縱向...

本發明公開了一種壓電MEMS芯片的制備方法，包括在晶圓的正面生長壓電層，其中壓電層包括位于底層的第一電極層，以及與第一電極層相鄰的緩沖層，自上而下依次刻蝕壓電層的各分層至緩沖層，刻蝕緩沖層，在緩沖層形成刻蝕槽，對緩沖層刻蝕槽露出的第一電...

本發明公開了一種壓電MEMS芯片的制備工藝，包括步驟：在襯底正面生長壓電層；刻蝕壓電層，使壓電層圖形化；在壓電層遠離襯底的表面生長掩膜層，刻蝕掩膜層，使掩膜層圖形化；刻蝕襯底背面，形成背腔；刻蝕襯底正面，使襯底正面圖形化；剝離掩膜層。本...

本發明涉及半導體工藝技術領域，尤其涉及一種壓電超聲換能器及其制備方法，包括襯底，襯底正面形成壓電層，襯底貫穿開設背腔，在壓電層表面形成結構層，結構層的厚度大于壓電層中壓電薄膜的厚度，在結構層表面設置防漏音層；沿振膜邊緣開設貫穿槽，使振膜...

本發明公開了一種基于MEMS芯片的壓電超聲換能器及制備方法，換能器包括襯底，襯底具有相對的正面及背面，在襯底的正面形成壓電層，在襯底背面開設有貫穿至壓電層的背腔，在壓電層的表面形成有結構層，背腔縱向投影面積范圍內的壓電層和結構層為振膜，...

本發明涉及半導體工藝技術超聲換能器制造技術領域，尤其涉及一種基于壓電MEMS芯片的超聲換能器及其制備方法，包括襯底，在襯底的正面形成壓電層，襯底開設貫穿背腔，在壓電層的表面形成結構層，結構層的厚度大于壓電層中壓電薄膜的厚度，使中性面位于...

本發明涉及半導體工藝技術領域，尤其涉及基于雙層壓電層的MEMS芯片制備工藝，包括以下步驟：準備襯底，依次間隔生長金屬層和壓電層；刻蝕最上層金屬層和最上層壓電層；在中間金屬層和最上層金屬層的表面生長第一隔離層；刻蝕第一隔離層；刻蝕中間金屬...

本發明涉及半導體工藝技術領域，具體涉及一種帶有雙層壓電層的芯片工藝，包括以下步驟：S1，準備晶圓作為襯底，在襯底的正面生長第一金屬層，采用射頻磁控濺射法生長第一壓電層，在第一壓電層遠離襯底的一側平面生長第二金屬層；S2，圖形化第二金屬層...

本發明公開了一種用于晶圓劃片的開槽結構、開槽方法及劃片工藝，開槽結構開設在具有相對的正面及背面的晶圓上，所述開槽結構包括，沿劃片邊界：在晶圓一面開設槽A<subgt;1</subgt;和槽A<subgt;2</s...

本發明涉及半導體工藝技術領域，尤其涉及一種利用聚合物輔助引線的壓電芯片制備工藝，包括以下步驟：準備襯底；生長金屬層和壓電層；刻蝕最上層金屬層，使最上層金屬層形成由內向外的第一振動部和焊盤；刻蝕壓電層，使壓電層形成由內向外分成相互獨立的與...

本發明提供一種壓電MEMS器件的加工工藝，所述加工工藝包括：在基底層上生長驅動結構層，所述基底層包括底硅、埋氧層和頂硅；依次刻蝕所述驅動結構層、所述頂硅和所述埋氧層；在所述驅動結構層上生長PI層，且所述PI層的一端延伸至所述底硅上；刻蝕...

本發明涉及半導體工藝技術領域，尤其涉及一種芯片用SOI襯底的制備工藝，包括以下步驟：準備襯底，襯底包括由埋氧層連接的底硅和頂硅；刻蝕頂硅，使頂硅產生縫隙，縫隙使頂硅由內向外形成相互獨立的振動部和固定部；在縫隙中填充聚合物，聚合物用于連接...

本發明涉及半導體工藝技術領域，尤其涉及一種具有應力調節結構的壓電芯片制備工藝，包括以下步驟：準備襯底，襯底具有相對的正面及背面；在襯底的正面生長第一金屬層；在第一金屬層遠離襯底的表面生長第一壓電層；在第一壓電層遠離襯底的表面生長第一應力...

本發明涉及半導體工藝技術領域，尤其涉及基于壓電MEMS結構的芯片制備工藝，包括以下步驟：準備襯底，襯底具有相對的正面及背面，在襯底的正面依次生長第一金屬層、壓電層和第二金屬層；依次刻蝕第二金屬層、壓電層、第一金屬層以及襯底正面，使第二金...