本實用新型公開了一種降氧裝置和具有其的單晶爐熱場，降氧裝置用于單晶爐熱場，單晶爐熱場包括爐體、保溫筒、坩堝、側加熱器、底加熱器和降氧裝置，其中，保溫筒自上而下依次包括上保溫筒、中保溫筒和下保溫筒，降氧裝置包括支撐環，支撐環包括上支撐環、...

本發明公開了一種加料筒、加料器和晶體生長設備，所述加料筒用于晶體生長設備，所述加料筒包括：筒體、連桿和底蓋，所述筒體沿豎直方向延伸，所述連桿沿豎直方向延伸，所述連桿設于所述筒體內，所述底蓋與所述連桿相連，所述連桿形成為碳纖維件。根據本發...

本發明公開了一種加料筒的保護套管的加工方法，所述加料筒的保護套管的加工方法包括：獲取基材；在基材上掏取設定直徑的圓柱結構；對圓柱結構進行掏空處理形成設定管徑的管狀結構。根據本發明的加料筒的保護套管的加工方法，形成套設在金屬連桿外的保護套...

本發明公開了一種加料筒，所述加料筒包括筒體、連桿和蓋體。筒體的軸向兩端分別為第一端和第二端，第一端內壁上設有沿筒體周向方向延伸的環形凸起，環形凸起的遠離第二端的表面在第二端至第一端方向上朝向遠離筒體軸線方向傾斜以形成配合斜面；連桿沿筒體...

本發明公開了一種晶體生長裝置的控制方法，晶體生長裝置包括石英坩堝，石英坩堝內設有原料，控制方法包括：獲取晶棒沿晶棒長度方向的多處直徑；根據晶棒的直徑變化調節原料的溫度至預設溫度或調節石英坩堝的轉速至預設轉速。根據本發明的晶體生長裝置的控...

本發明公開了一種坩堝、晶體生長設備及坩堝的制備方法，坩堝包括：坩堝本體和第一過濾件。坩堝本體內限定出相互隔開的化料緩沖區和晶體生長區，化料緩沖區和晶體生長區之間設有隔斷部，隔斷部形成有用于連通化料緩沖區和晶體生長區的第一連通孔，第一過濾...

本發明公開了一種低雜質含量的保護套管和具有其的加料筒，該保護套管設置在加料筒上，所述加料筒包括筒體，所述筒體內設有連桿，所述連桿的底端與石英錐相連，所述保護套管套設在所述連桿上；所述保護套管包括硅管，所述硅管中金屬雜質的總含量不高于10...

本發明公開了一種加料筒的保護套管的加工方法，所述加料筒的保護套管的加工方法包括：通過順序橫向凝固法形成圓柱結構；對圓柱結構進行掏空處理形成設定管徑的管狀結構。根據本發明實施例的加料筒的保護套管的加工方法，形成套設在金屬連桿外的保護套管，...

本發明公開了一種加料筒、加料器和晶體生長設備，所述加料筒用于晶體生長設備，所述加料筒包括：筒體，所述筒體沿豎直方向延伸；連桿，所述連桿沿豎直方向延伸，所述連桿設于所述筒體內；底蓋，所述底蓋與所述連桿相連；保護套管，所述保護套管套設于所述...

本發明公開了一種補料裝置、加料系統和晶體生長設備，補料裝置用于晶體生長設備，補料裝置包括：補料裝置本體和抽氣部件，補料裝置本體具有用于容納原料的容納空間以及適于與容納空間連通的下料口；抽氣部件連接于補料裝置本體，抽氣部件具有適于與容納空...

本發明公開了一種鑄錠爐二次加料導流結構及鑄錠爐系統，鑄錠爐二次加料導流結構包括：輸氣套管，輸氣套管的一端與注氣管連接，所述輸氣套管的另一端的內周壁設有第一支撐臺階；活動套管，所述活動套管的一端伸至所述輸氣套管內且與所述輸氣套管沿軸向可活...

本實用新型公開了鑄錠爐多晶硅成型工藝技術領域的一種DS塊保溫條，旨在解決現有技術中傳統側掛保溫條對于產品良率影響較大的問題。其包括設于坩堝下方的DS塊，所述DS塊的中部位置設有TC2熱電偶，所述DS塊的側壁設有若干保溫條，所述保溫條上開...

本實用新型公開了一種氣路排雜裝置及拉晶系統，所述氣路排雜裝置包括排氣管道、抽氣管道、降溫管道、封板、柔性伸縮件和攪拌旋轉桿；抽氣管道與排氣管道相連通，其軸向延伸方向與排氣管道的軸向延伸方向之間存在夾角；降溫管道的一端與排氣管道相連通，其...

本實用新型公開了一種單晶硅拉制技術領域的一種單晶爐熱場的降氧裝置，旨在解決現有技術中能源浪費以及成品硅單晶硅純度較差問題。其包括爐體、設于爐體內部的保溫系統、設于保溫系統內部的坩堝、設于保溫系統內且布設在坩堝外圍的側加熱器；還包括隔熱保...

本實用新型涉及金剛石線切割技術領域，尤其涉及一種新型機械臂旋轉底座。其技術方案包括：底座和機械臂，所述底座頂部與底部均設有軸承槽，兩側所述軸承槽內表面均安裝有軸承，所述軸承內表面位于底座內部中間安裝有旋轉軸，所述旋轉軸頂部安裝有旋轉座，...

本發明公開了一種晶片脫膠技術領域的一種晶片脫膠機下料裝置及其下料方法，旨在解決現有技術中晶片在脫膠時難以根據晶片尺寸自適應夾固的問題。其包括第一側板、第二側板和兩個側桿，所述第一側板和第二側板相對設置，所述第一側板和第二側板之間連接設置...

一種直拉單晶爐熱場結構，包括單晶爐體、保溫桶、水冷屏、導流筒、導流筒蓋板、保溫桶蓋板、碳碳支撐環、水冷屏提升裝置和加熱器；保溫桶設于單晶爐體內，設有缺口；水冷屏和導流筒均設于保溫桶內，且二者相連；導流筒蓋板覆蓋在導流筒端部，保溫桶蓋板覆...

本發明涉及一種多次加料直拉單晶生產方法、取料裝置。所述多次加料直拉單晶生產方法包括步驟：在連續進行多根單晶棒的拉制之后，將坩堝中的剩余堝底料部分或者全部取出；向所述坩堝中重新加入多晶硅料；所述多晶硅料熔化后，進行下一根單晶棒的拉制。上述...

本實用新型公開了一種堝托結構及單晶爐，所述堝托結構包括第一堝托、第二堝托和卡合裝置；所述第一堝托和第二堝托相對設置，二者之間存在間隙或填充有隔熱碳氈；所述第一堝托的上表面形狀與坩堝底部形狀相匹配，用于緊貼坩堝底部；所述卡合裝置設于所述第...

本發明涉及一種用于多次加料直拉單晶工藝的加料裝置、方法。上述加料裝置具有加料筒，加料筒具有相對設置的進料端以及出料端，加料筒的側壁上設有第一氣孔，第一氣孔具有進氣口以及出氣口，第一氣孔用于自加料筒的外部向加料筒的內部吹送氣體，第一氣孔的...