本發(fā)明涉及一種籽晶回收方法，包括以下步驟：將鑄造單晶硅錠按照籽晶一側(cè)朝上的方式放置；在所述鑄造單晶硅錠上固定多個(gè)切割導(dǎo)向件，在至少一條所述籽晶的拼接縫的兩側(cè)分別設(shè)置所述切割導(dǎo)向件，所述切割導(dǎo)向件貼近于相應(yīng)的所述拼接縫；在所述鑄造單晶硅錠...

本實(shí)用新型涉及一種隔離裝置，隔離裝置包括：隔離盤，包括相對(duì)的上端面和下端面以及分別貫穿上端面與下端面的安裝孔和觀察孔；連接桿，一端設(shè)置有第一凸臺(tái)，連接桿穿過安裝孔，第一凸臺(tái)與隔離盤抵接。由于隔離盤上設(shè)置安裝孔使得連接桿的一端能夠穿過安裝...

本實(shí)用新型涉及一種安裝有隔離裝置的單晶爐，包括加料管、熱屏支撐環(huán)以及同心設(shè)置的外坩堝和內(nèi)坩堝，熱屏支撐環(huán)設(shè)有第一加料孔，加料管穿過第一加料孔與外坩堝的內(nèi)腔連通，還包括：隔離裝置，包括隔離環(huán)，隔離環(huán)的內(nèi)邊緣圍繞在內(nèi)坩堝的外壁，隔離環(huán)外邊緣...

本實(shí)用新型公開了一種單晶爐加料裝置，包括爐筒、爐蓋和加料管；爐筒和爐蓋共同形成容納空間；爐蓋或爐筒上設(shè)有加料口；加料管包括：固定板、上進(jìn)料管、下進(jìn)料管和擋環(huán)；固定板安裝在加料口處；上進(jìn)料管與固定板相連，其上端部設(shè)有漏斗型喇叭口；下進(jìn)料管...

本實(shí)用新型涉及一種導(dǎo)流筒及導(dǎo)流組件，安裝于帶有坩堝的爐體內(nèi)側(cè)，與坩堝相對(duì)設(shè)置，包括內(nèi)導(dǎo)流筒、外導(dǎo)流筒及支撐環(huán)，其中：支撐環(huán)設(shè)置于外導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)，且與外導(dǎo)流筒靠近坩堝的端部相連接，支撐環(huán)為石墨支撐環(huán)；內(nèi)導(dǎo)流筒為兩端開口的腔體式結(jié)構(gòu)，且靠近...

本實(shí)用新型涉及一種組合坩堝，該組合坩堝包括內(nèi)坩堝、外坩堝及擋板，其中：外坩堝繞設(shè)于內(nèi)坩堝外部，且與內(nèi)坩堝共用內(nèi)坩堝側(cè)壁，均呈一端開口的筒狀結(jié)構(gòu)；擋板的兩端部分別固定在內(nèi)坩堝側(cè)壁、外坩堝上，且將外坩堝分割為熔化區(qū)和過渡區(qū)，過渡區(qū)與熔化區(qū)相...

本發(fā)明涉及一種硅料的投料方法，其包括：S1、選擇尺寸在第一預(yù)設(shè)區(qū)間范圍內(nèi)的硅料作為第一類硅料，選擇尺寸在第二預(yù)設(shè)區(qū)間范圍內(nèi)、且具有圓滑表面的硅料作為第二類硅料，其中所述第一預(yù)設(shè)區(qū)間范圍的最小值大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)間范圍的最大值；S2、將所...

本發(fā)明提供了一種籽晶鋪設(shè)方法和單晶硅鑄造方法，該籽晶鋪設(shè)方法包括如下步驟：在鑄造容器底部鋪設(shè)多塊單晶籽晶，并將多塊單晶籽晶整體拼合為籽晶層，在側(cè)面相拼接的單晶籽晶中，相互接觸的兩個(gè)側(cè)面之間的晶向不同；多塊單晶籽晶包括至少一塊長(zhǎng)方形籽晶與...

本實(shí)用新型公開了一種單晶硅鑄錠爐，包括由外而內(nèi)依次套接設(shè)置的爐體、隔熱籠和坩堝，在所述隔熱籠的內(nèi)部還設(shè)有加熱器所述坩堝四周側(cè)壁的外圍設(shè)有一圈石墨護(hù)板所述坩堝與所述石墨護(hù)板之間相隔3?20mm，在該間隙空間中設(shè)置一層保溫層。本實(shí)用新型通過...

本實(shí)用新型公開了一種鑄造單晶硅的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，包括隔熱籠，設(shè)置在隔熱籠內(nèi)部的耐高溫坩堝，設(shè)置在耐高溫坩堝底端的石墨底板、DSS石墨導(dǎo)熱板，隔熱條和石墨導(dǎo)熱條，所述DSS石墨導(dǎo)熱板的上端面為凸臺(tái)結(jié)構(gòu)，所述的隔熱條設(shè)置在所述DSS石墨導(dǎo)熱板四周...

本發(fā)明涉及一種用于硅晶體生長(zhǎng)的硅原料及其制備方法、以及應(yīng)用。用于硅晶體生長(zhǎng)的硅原料包括按照質(zhì)量份數(shù)的如下組分：硅粉70份～99份；以及硅碎片1份～30份；硅粉的顆粒尺寸為0.1μm～1000μm；硅碎片的顆粒尺寸為1mm～100mm。本...

本實(shí)用新型公開了一種氣體攪拌裝置及鑄錠爐，所述氣體攪拌裝置包括升降單元、進(jìn)氣管、密封單元和噴頭；所述進(jìn)氣管與所述升降單元相連，由所述升降單元驅(qū)動(dòng)進(jìn)行升降運(yùn)動(dòng)；所述進(jìn)氣管上還設(shè)有進(jìn)氣口；所述密封單元與所述進(jìn)氣管相連，且用于連接鑄錠爐，以實(shí)...

本發(fā)明涉及一種鑄錠單晶籽晶及其制備方法、鑄造單晶硅錠及其制備方法、鑄造單晶硅片及其制備方法。鑄錠單晶籽晶內(nèi)摻雜有摻雜元素，摻雜元素的原子體積大于硅的原子體積，摻雜元素的摻雜濃度大于5×10^15個(gè)原子/立方厘米。應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)方案的鑄錠...

本發(fā)明涉及一種鑄造單晶的籽晶鋪設(shè)方法、鑄造單晶硅錠及其制備方法。鑄造單晶的籽晶鋪設(shè)方法，包括如下步驟：在坩堝的底部鋪設(shè)若干個(gè)相互拼接的單晶籽晶，形成單晶籽晶層；單晶籽晶層包括至少一個(gè)單晶籽晶單元，單晶籽晶單元包括長(zhǎng)方形單晶籽晶和至少兩個(gè)...

本發(fā)明涉及一種鑄造單晶硅錠及其制備方法、鑄造單晶硅片及其制備方法。鑄造單晶硅錠的制備方法包括如下步驟：在容器的底部鋪設(shè)回收單晶籽晶，形成單晶籽晶層；回收單晶籽晶自遠(yuǎn)離容器底部向靠近容器底部的方向?yàn)榈谝环较颍谝环较蚺c回收單晶籽晶的原晶體...

本發(fā)明公開了一種氣體攪拌裝置、鑄錠爐及其使用方法，所述氣體攪拌裝置包括升降單元、進(jìn)氣管、密封單元和噴頭；所述進(jìn)氣管與所述升降單元相連，由所述升降單元驅(qū)動(dòng)進(jìn)行升降運(yùn)動(dòng)；所述進(jìn)氣管上還設(shè)有進(jìn)氣口；所述密封單元與所述進(jìn)氣管相連，且用于連接鑄錠...

本實(shí)用新型涉及一種晶硅鑄錠加熱器，包括頂部加熱器，中間區(qū)域厚度大、電阻小，四周邊緣區(qū)域厚度小、電阻大；側(cè)部加熱器，中上部區(qū)域厚度大、電阻小，側(cè)部加熱器的下部區(qū)域厚度小、電阻大。頂部加熱器的四周邊緣區(qū)域電阻大，能增加頂部加熱器四周邊緣區(qū)域...

本發(fā)明涉及一種鑄造單晶硅錠及其制備方法。鑄造單晶硅錠的制備方法包括如下步驟：在坩堝的底部鋪設(shè)單晶籽晶，形成單晶籽晶層；在單晶籽晶層的四周鋪設(shè)至少一根單晶條，單晶條與相鄰的單晶籽晶相互拼接，其中，單晶條的缺陷比值大于相鄰單晶籽晶的缺陷比值...

本發(fā)明涉及一種單晶硅錠及其制備方法、鑄造單晶硅片及其制備方法。單晶硅錠的制備方法包括如下步驟：提供坩堝和籽晶，籽晶沿垂直于晶體生長(zhǎng)方向的尺寸小于210mm；在坩堝的底部鋪設(shè)至少四個(gè)籽晶，相鄰兩個(gè)籽晶相互抵接，得到籽晶單元；籽晶單元沿垂直...

本實(shí)用新型涉及一種坩堝，所述坩堝的內(nèi)壁上具有涂層結(jié)構(gòu)，所述涂層結(jié)構(gòu)包括涂覆于坩堝內(nèi)壁的第一涂層、涂覆于所述第一涂層的第二涂層，所述第一涂層為疏松多孔氮化硅涂層,所述第二涂層為致密氮化硅涂層。第二涂層作為外層，鑄錠過程中與硅液接觸，第二涂...