本發(fā)明涉及一種芯片的封裝方法及其封裝結(jié)構(gòu)，該芯片的封裝方法包括以下步驟：1)將芯片安裝在單獨(dú)的芯片引線框或基板上；2)將步驟1)所得到的芯片引線框或基板的一邊連接到外部封裝基板。本發(fā)明提供了一種可避免封裝變形、封裝穩(wěn)定性高、電氣性能好以...

本發(fā)明提供一種總線式測(cè)試節(jié)點(diǎn)鏈系統(tǒng)，該總線式測(cè)試節(jié)點(diǎn)鏈系統(tǒng)包括分別連接至N個(gè)待測(cè)節(jié)點(diǎn)的N個(gè)測(cè)試信號(hào)驅(qū)動(dòng)器和用以選通所述N個(gè)測(cè)試信號(hào)驅(qū)動(dòng)器的測(cè)試移位控制器；所述測(cè)試信號(hào)驅(qū)動(dòng)器包括寄存器和三態(tài)緩沖器，所述三態(tài)緩沖器具有信號(hào)輸入端、數(shù)據(jù)選通端...

本發(fā)明旨在提供一種純MOS結(jié)構(gòu)高精度電流基準(zhǔn)源及其產(chǎn)生方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中電路復(fù)雜，占用面積較大，實(shí)現(xiàn)起來(lái)困難的問(wèn)題。本發(fā)明中的純MOS結(jié)構(gòu)高精度電流基準(zhǔn)源電路利用耗盡型的MOS管的閾值電壓為負(fù)的特性，外加合適阻值的電阻，來(lái)產(chǎn)生負(fù)溫度...

本發(fā)明目的是提供一種集成電路動(dòng)態(tài)時(shí)序檢測(cè)方法，其解決了現(xiàn)有靜態(tài)時(shí)序驗(yàn)證工具不能在正常仿真工作狀態(tài)下進(jìn)行時(shí)序驗(yàn)證且無(wú)法自定義時(shí)序驗(yàn)證的器件的種類和數(shù)目的技術(shù)問(wèn)題。該集成電路動(dòng)態(tài)時(shí)序檢測(cè)方法，包括以下步驟：1】設(shè)計(jì)功能仿真開(kāi)始；2】記錄檢測(cè)...

本實(shí)用新型旨在提供一種大容量DRAM芯片存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)芯片擴(kuò)容時(shí)，盡可能減小封裝體積。該DRAM芯片存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括多個(gè)存儲(chǔ)單元陣列以及相應(yīng)的行譯碼器電路、列譯碼器電路和總控制電路；每個(gè)存儲(chǔ)單元陣列沿位線方向分為上、下兩組存儲(chǔ)單元陣列...

一種可實(shí)現(xiàn)片上延時(shí)的上電復(fù)位電路，包括電壓檢測(cè)電路、振蕩器、計(jì)數(shù)器、反相器以及輸出緩沖電路；振蕩器產(chǎn)生周期為T(mén)1的脈沖波形信號(hào)，計(jì)數(shù)器對(duì)脈沖波形信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù)，當(dāng)計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值達(dá)到設(shè)定值m后，計(jì)數(shù)器輸出由邏輯低電平變?yōu)檫壿嫺唠娖剑惠敵鼍彌_...

低功耗延時(shí)可控的上電復(fù)位電路，包括電壓檢測(cè)電路、可編程振蕩器、計(jì)數(shù)器、反相器以及輸出緩沖電路；通過(guò)改變可編程振蕩器的輸入控制端，產(chǎn)生周期為T(mén)1的脈沖波形信號(hào)，計(jì)數(shù)器對(duì)脈沖波形信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù)，當(dāng)計(jì)數(shù)值達(dá)到設(shè)定值m后，計(jì)數(shù)器輸出由邏輯低電平變...

本發(fā)明一種提高低壓降穩(wěn)壓電路穩(wěn)定性的方法及實(shí)現(xiàn)該方法的低壓降穩(wěn)壓器，其實(shí)現(xiàn)是在低壓降穩(wěn)壓電路中引入附加零極點(diǎn)，以提高低壓降穩(wěn)壓器電路的穩(wěn)定性，具體可以在PMOS驅(qū)動(dòng)管的柵漏極之間接入由補(bǔ)償電容和補(bǔ)償電阻串聯(lián)構(gòu)成的反饋回路，設(shè)計(jì)補(bǔ)償電容和...

低功耗延時(shí)可編程的上電復(fù)位方法及電路，包括電壓檢測(cè)電路、振蕩器、可編程計(jì)數(shù)器、反相器以及輸出緩沖電路；通過(guò)可編程計(jì)數(shù)器的控制端設(shè)定計(jì)數(shù)值為m，振蕩器產(chǎn)生周期為T(mén)1的脈沖波形信號(hào)，可編程計(jì)數(shù)器對(duì)脈沖波形信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù)，當(dāng)達(dá)到設(shè)定值m后，計(jì)數(shù)...

本發(fā)明提供一種類邊接觸納米相變存儲(chǔ)器單元的制備方法，具體步驟為：首先在襯底材料上通過(guò)沉積或熱氧化方法形成SiO2層，然后依次沉積一層金屬Al和一層SiO2，再通過(guò)兩步陽(yáng)極氧化工藝在平行于襯底表面方向上自組織形成一維多孔氧化鋁的多孔介質(zhì)孔...

本實(shí)用新型提供具有累積寫(xiě)入特征的存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)系統(tǒng)，其將或運(yùn)算、與運(yùn)算從CPU/ALU(控制器)轉(zhuǎn)移至存儲(chǔ)器內(nèi)，可減少數(shù)據(jù)傳輸線讀寫(xiě)轉(zhuǎn)換次數(shù)。本實(shí)用新型的一種存儲(chǔ)器的接口單元包括寫(xiě)入運(yùn)算指令接口、寫(xiě)入指令接口、地址指令接口；所述寫(xiě)入運(yùn)算指...

一種USB安全密鑰，其包括：一個(gè)上行USB接口，采用通用串行總線傳輸協(xié)議，作為與主機(jī)USB接口數(shù)據(jù)交換的通訊端口；一個(gè)下行USB接口，采用通用USB傳輸協(xié)議，作為與設(shè)備USB接口數(shù)據(jù)交換的通訊端口；加密算法模塊，用于加密、解密出入主機(jī)U...

本實(shí)用新型目的是提供一種可自復(fù)位的DRAM，可實(shí)現(xiàn)DRAM在多種情況下的自復(fù)位。本實(shí)用新型的工作原理是：內(nèi)部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)，如果無(wú)異常情況，而且無(wú)非法指令，并且接受到指定的指令，計(jì)數(shù)器被復(fù)位，從零開(kāi)始計(jì)數(shù)；反之，如果有異常情況，或者...

本發(fā)明提供一種儲(chǔ)存器陣列結(jié)構(gòu)，包括：第一存儲(chǔ)器陣列和第二存儲(chǔ)陣列，所述第一存儲(chǔ)器陣列包括第一子陣列，所述第二存儲(chǔ)器陣列包括第二子陣列；所述第一子陣列和第二子陣列均包括耦合到局部字線和局部位線的若干存儲(chǔ)器單元；全局字線驅(qū)動(dòng)器；所述全局字線...

本實(shí)用新型提供一種產(chǎn)生DRAM內(nèi)部寫(xiě)時(shí)鐘的電路，包括時(shí)鐘信號(hào)線CLK、延時(shí)鎖相電路DLL、讀寫(xiě)控制器、離線驅(qū)動(dòng)調(diào)整器OCD和鎖存器DQ?Latch；所述時(shí)鐘信號(hào)線CLK、延時(shí)鎖相電路DLL、離線驅(qū)動(dòng)調(diào)整器OCD和鎖存器DQLatch依次...

一種保持恒定輸出電流的電荷泵的實(shí)現(xiàn)方法及其電荷泵，其將電荷泵主體電路的外部輸入電壓與參考電壓相比較，比較結(jié)果輸入時(shí)鐘產(chǎn)生電路輸出相應(yīng)的時(shí)鐘振蕩頻率，使電荷泵主體電路輸出的電流值恒定。電荷泵主體電路的輸出經(jīng)電壓反饋及比較電路接于電荷泵主體...

本發(fā)明提供了一種防止延遲鎖相環(huán)錯(cuò)誤鎖定的方法及其系統(tǒng)。其方法包括以下步驟：1)延時(shí)持續(xù)增加階段；2)微調(diào)階段；其中，步驟1)具體分為1.1)輸入時(shí)鐘經(jīng)輸入時(shí)鐘分頻電路分頻后，所得到的分頻輸入時(shí)鐘分別輸入控制邏輯電路的I鑒相器和II鑒相器...

本發(fā)明提供一種減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)木彺嫦到y(tǒng)，包括傳輸緩存、子系統(tǒng)和微處理器或微控制器，所述傳輸緩存電性連接所述微處理器或微控制器，所述傳輸緩存電性連接所述子系統(tǒng)。本發(fā)明提供一種減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)木彺嫦到y(tǒng)，微處理器或微控制器A和傳輸緩存B通過(guò)AB總...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種純MOS結(jié)構(gòu)高精度電壓基準(zhǔn)源，包括電流產(chǎn)生電路、自偏置電路和BGR啟動(dòng)電路；所述BGR啟動(dòng)電路，用于啟動(dòng)所述自偏置電路；所述電流產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生偏置電流；所述自偏置電路連接所述電流產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓。本實(shí)用...

本實(shí)用新型提供一種面向移動(dòng)ＦＬＡＳＨ存儲(chǔ)器的超高速接口ＳＯＣ控制芯片，該控制芯片是由芯片體、ＵＳＢ３．０物理層、ＵＳＢ３．０設(shè)備控制器、系統(tǒng)加密模塊、Ｆｌａｓｈ存儲(chǔ)控制器、３２位ＲＩＳＣ處理器、ＲＯＭ、ＲＡＭ、內(nèi)存控制器、內(nèi)存、實(shí)時(shí)時(shí)鐘...