本申請公開了一種面內光程差小且均勻的SiC晶體及SiC襯底，屬于SiC材料制備技術領域。所述SiC晶體制備得到的任意SiC襯底的光程差<10nm，且包含第一端面的SiC襯底的光程差與包含第二端面的SiC襯底的光程差的差值在?5～5...

本申請涉及一種石墨化碳纖維布，屬于碳化硅制備技術領域。本申請提供的所述石墨化碳纖維布包括基體和基體內的碳纖維束，所述基體為焦油瀝青，所述碳纖維束為石墨化碳纖維束，所述石墨化碳纖維束平行排列在所述焦油瀝青基體內，所述石墨化碳纖維束與所述石...

本申請公開了一種基平面彎曲小且光程差小的SiC晶體和SiC襯底，屬于SiC材料制備技術領域。所述SiC晶體制備得到的任意SiC襯底的C面和Si面的曲率均小于1.5×10<supgt;?6</supgt;mm<supgt...

本申請公開了一種低內應力的SiC晶體和SiC襯底，屬于SiC材料制備技術領域。所述SiC晶體制備得到若干個SiC襯底，基于拉普拉斯金字塔原理對高通信號和低通信號進行區分，在低通信號下，任意SiC襯底的光程差<6nm，光程差的最大值...

本申請公開了一種光程差小的半絕緣型碳化硅晶體及碳化硅襯底，屬于碳化硅材料制備技術領域。所述碳化硅晶體任意位置處的電阻率>10<supgt;6</supgt;Ω·cm，所述碳化硅晶體制備得到1～N個碳化硅襯底，N取自正整...

本申請公開了一種行星式旋轉切割半導體的切割設備和切割方法，屬于半導體材料加工技術領域。切割設備包括切割倉、固定板、旋轉固定臺、槽輪導軌盤和至少兩個第二槽輪，固定板固定在切割倉內；旋轉固定臺通過升降組件與固定板連接，旋轉固定臺能夠相對于固...

本申請公開了一種低電阻P型碳化硅晶體、碳化硅襯底及半導體單晶的液相生長方法，屬于半導體制備技術領域。該半導體單晶的液相生長方法包括下述工序：在籽晶表面形成保護層的工序；在遠離已加熱至生長溫度的原料溶液液面的狀態下，將所述保護層朝向所述液...

本申請公開了一種半導體單晶的液相生長設備和液相生長方法，屬于半導體制備技術領域。該設備包括：能夠容納原料溶液的坩堝，在所述坩堝的內壁上配置有多個凸起，多個凸起在所述內壁的周向上彼此間隔相等；能夠支撐所述半導體單晶體的晶體支撐軸；旋轉機構...

本申請公開了一種提高半導體晶體質量的液相生長裝置及液相生長方法，屬于半導體晶體制備技術領域。該液相生長裝置包括：能夠容納原料液體的坩堝，坩堝側壁的上部設置有與坩堝側壁抵接的環狀液滴去除件，液滴去除件的熔點高于半導體的生長溫度，且至少液滴...

本申請涉及一種精準定位開裝的感應爐，屬于碳化硅制備技術領域。該感應爐包括爐腔，爐腔頂部設置有上法蘭、爐腔底部設置有下法蘭；坩堝，坩堝設置在爐腔內；外保溫和下保溫，外保溫與下保溫組成保溫層，保溫層設置在坩堝外部，下保溫底部固定有可移動式支...

本發明公開了一種高溫真空爐旋轉主軸的電信號傳遞結構，涉及高溫真空爐內溶液狀態檢測信號傳遞技術領域，其包括框架結構、反應腔室和主軸總成，框架結構的一側設置有安裝基體，安裝基體包括兩個安裝板，其中一個安裝板上固定有主軸電機，另一個安裝板通過...

本申請公開了一種晶相結構規整的碳化硅基板，屬于碳化硅生產加工技術領域。將所述碳化硅基板劃分為包含微管或位錯，并且長度為100μm的第一正方區域，和不包含微管或位錯，并且長度為100μm的第二正方區域，所述第一正方區域數量與所述第二正方區...

本申請公開了一種定量檢測半導體晶圓表面損傷層和中間層應力分布的方法，屬于半導體檢測技術領域。包括下述步驟：(1)計算得到峰位偏移量與應力轉化系數；(2)對晶圓表面損傷層或中間層進行拉曼測試，所述晶圓的直徑為150mm以上，其中表面損傷層...

本發明公開了一種n型碳化硅單晶晶體、n型碳化硅襯底及半導體器件，屬于半導體材料技術領域。所述n型碳化硅單晶晶體距離籽晶面≤10mm部分所得的襯底邊緣10mm環狀范圍內貫穿螺型位錯密度＜300cm<supgt;?2</supg...

本技術為一種齒圈襯套內襯更換工裝及更換設備，涉及機械結構維護設備領域。其技術方案為，一種齒圈襯套內襯更換工裝，包括工裝主體和頂桿，所述工裝主體包括第一主體和第二主體，所述第一主體中設有第一內孔，所述第一內孔沿軸向包括第一大徑段和第一小徑...

本申請公開了一種用于長晶爐感應線圈的升降裝置，屬于晶體制備輔助設備技術領域。該裝置包括框架、配重機構、襯板和第二傳動件，框架用于固定感應線圈，框架上方設置有滑槽和定位孔；配重機構包括定滑輪、配重塊、牽引繩和牽引件，定滑輪設置在長晶爐機架...

本技術公開了一種可讀取及調節精度的晶體粘接工裝，涉及晶體加工裝置技術領域，其包括工裝底座，工裝底座的一端安裝有基準板，晶體的一個端面能夠頂緊基準板；基準板包括與工裝底座相對固定的左側板以及安裝在左側板一側的右側板，左側板與右側板的角部位...

本技術公開了一種高效晶體生長爐，涉及晶體生長技術領域，其包括機架以及位于機架上方的晶體生長腔，所述機架包括一個能夠上下升降的移動盤，移動盤上安裝有轉盤，轉盤上并排安裝有緩存腔及上料腔，緩存腔與上料腔均位于晶體生長腔的下方并關于轉盤所旋轉...

本申請公開了一種碳化硅研磨片及無損檢測研磨片研磨損傷層的方法，屬于碳化硅生產加工技術領域。該檢測方法包括下述步驟：(1)自研磨片的表面向內延伸20?30μm以對研磨片表層進行拉曼測試，得到研磨片表層的應力分布圖；(2)將所述應力分布圖劃...

本申請公開了一種具有貫穿型通孔的TaC涂層及其應用，屬于半導體制備技術領域。所述TaC涂層沉積在所述石墨基材表面，所述TaC涂層中含有貫穿型通孔。該TaC涂層能夠提高石墨基材的耐溫性和耐化學侵蝕性，并且TaC涂層中含有的貫穿型通孔，能夠...