本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種版圖圖形修正方法、計算機設備、存儲介質及產品。所述版圖圖形修正方法，其特征在于，包括：獲取版圖上所有邊的圖形信息；基于圖形信息找出待測邊；提供修正表，修正表包括多個修正參數及與之對應的修正量；獲...

本發明涉及光刻技術領域，特別涉及一種版圖的刻蝕補償方法、系統、計算機設備及計算機介質，本發明的版圖的刻蝕補償方法包括以下步驟：獲取設計版圖與圖形，對該設計版圖及圖形進行網格劃分；獲取該設計版圖中的預設函數關系，計算所有網格的補償值；針對...

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種光源掩模協同優化方法、系統、掩模板、設備及存儲介質。光源掩模協同優化方法包括以下步驟：提供初始掩模圖形，初始掩模圖形由子圖形組成，子圖形至少包括周期性圖形；對初始掩模圖形內的子圖形進行排布位置優...

本發明涉及版圖檢測技術領域，特別涉及一種版圖檢查方法、系統、設備及存儲介質。所述方法包括對待測版圖進行分割處理，得到分割版圖；獲取分割版圖上多個待測圖形的圖形信息；建立圖形庫，圖形庫中的圖形包括掩模制造規則檢查結果，基于圖形信息檢測圖形...

本發明涉及光刻技術領域，特別涉及一種掩模版圖優化方法，提供初始掩模版圖上的圖形信息，獲取初始掩模版圖內存在的尖角異常圖形，并獲取尖角異常圖形的預修復圖形；基于預修復圖形判斷相鄰的兩個預修復圖形之間是否存在重疊現象；若是，將對應的所述預修...

本發明涉及電子設計自動化技術領域，特別涉及一種驗證設計版圖檢測模型功能的方法、驗證模型及測試系統。所述方法包括以下步驟：提供標準設計版圖，判斷標準設計版圖的層數；若為單層，對單層標準設計版圖生成第一測試用例，基于第一場景對第一測試用例進...

本發明涉及圖像處理技術領域，特別涉及一種SEM圖像輪廓提取方法、裝置、設備及存儲介質。所述SEM圖像輪廓提取方法，用于提取掩模圖形，包括：基于待測掩模獲取原始SEM圖像，對所述原始SEM圖像進行像素處理，得到像素點，基于像素點獲取與之對...

本發明涉及計算光刻技術領域，具體涉及一種光刻規則檢查結果整理方法、系統以及存儲介質，一種光刻規則檢查結果整理方法包括：提供一版圖，對該版圖進行光刻規則檢查生成數據庫，所述數據庫包括該版圖的所有缺陷的對應的缺陷信息；基于缺陷信息對缺陷進行...

本發明涉及圖像處理技術領域，特別涉及一種壞點圖形編碼方法、設備及存儲介質。壞點圖形編碼方法，用于對版圖上的壞點圖形進行編碼，包括：獲取壞點圖形，對壞點圖形進行轉化處理得到原始矩陣；對原始矩陣進行轉動處理，得到多個轉動矩陣；將原始矩陣和轉...

本發明涉及光刻技術領域，特別涉及一種掩模誤差面積計算方法、系統及存儲介質，本發明的掩模誤差面積計算方法包括：輸入掩模版圖，獲取該掩模版圖中的所有圖形及圖形的初始面積；移動所述圖形的各條邊并依次連接得到移動后的圖形，獲取各圖形的移動后面積...

本發明涉及電子設計自動化技術領域，特別涉及一種顯影輪廓提取準確性的驗證方法、裝置及計算機設備。所述顯影輪廓提取準確性的驗證方法包括以下步驟：提供掩模版圖和表面蝕刻有顯影輪廓的晶圓片，基于掩模版圖將晶圓片劃分為若干個分塊；拍攝分塊上的顯影...

本發明涉及半導體掩模制造技術領域，特別涉及一種一種掩模圖形全局屬性獲取方法、系統及存儲介質；一種掩模圖形全局屬性獲取方法，包括以下步驟：獲取版圖，將所述版圖切分獲得至少兩個局部區域；分別獲取各局部區域中的圖形并判斷是否為被切分的圖形，若...

本發明涉及計算光刻缺陷檢測領域，特別涉及一種計算光刻缺陷分析方法、裝置和計算機設備。計算光刻缺陷分析方法包括如下步驟：基于檢測器類型對于檢測數據進行第一分類，獲得多組預處理數據；基于預設工藝窗口條件對每一組的預處理數據進行第二分類，獲得...

本發明涉及圖像檢測技術領域，特別涉及一種版圖缺陷檢測方法、系統、設備及存儲介質。所述版圖缺陷檢測方法包括：獲取壞點圖形，將壞點圖形簡化為壞點SDF矩陣；基于壞點SDF矩陣對壞點圖形進行分類，建立壞點數據庫；獲取待測版圖上的候選匹配圖形；...

本發明涉及光刻技術領域，特別涉及一種曲線掩模模型優化方法、裝置、存儲介質及計算機設備。曲線掩模模型優化方法，包括：提供目標光刻圖形，基于目標光刻圖形采用二次B樣條曲線構造與所述目標光刻圖形相匹配的曲線掩模模型；對所述曲線掩模模型進行正向...

本發明涉及計算光刻技術領域，特別涉及一種輔助圖形拆分組合方法、系統、掩模板、設備及存儲介質。本發明的輔助圖形拆分組合方法，利用掩模上的亞分辨率輔助圖形對應的晶源光刻膠位置不形成圖像的特點，并且可以通過光學鄰近效應對主圖形的成像起到增益作...

本發明涉及計算光刻技術領域，具體涉及一種光刻模型建立方法、系統以及版圖圖形修正方法，一種光刻模型建立方法包括以下步驟：提供一初始版圖，獲取初始版圖的初始測量位置，并獲取初始版圖經過光刻膠曝光顯影后光刻膠輪廓的實際測量位置；基于初始測量位...

本發明涉及光刻技術領域，特別涉及一種避免散射條產生曝光輪廓的優化方法、裝置、計算機設備。一種避免散射條產生曝光輪廓的優化方法，包括以下步驟：獲取設計版圖中的主圖形的位置信息，以及主圖形所對應的散射條的位置信息；于散射條內或散射條外設置檢...

本發明涉及光刻技術領域，特別涉及一種網格邊界缺陷標定方法、系統及存儲介質，本發明的網格邊界缺陷標定方法包括：獲取掩模版圖，選擇并獲取該掩模版圖的起始點坐標，基于該起始點坐標構建平面直角坐標系；讀取預設缺陷數據庫獲取各缺陷坐標；基于平面直...

本發明涉及光刻技術領域，特別涉及一種設計版圖優化方法、系統及存儲介質，本發明的設計版圖優化方法包括：輸入設計版圖，獲取設計版圖的圖形信息；基于圖形信息輸入修正數據；基于設計版圖及修正數據設計優化目標函數；輸入掩模制造規則，基于設計的優化...