本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種版圖拆分方法、版圖拆分系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)，本發(fā)明的版圖拆分方法包括以下步驟：提供包括多組圖形的初始版圖，及獲取初始版圖中圖形間的位置關(guān)系；獲取任意一組圖形的位置關(guān)系，作為優(yōu)化依據(jù)；基于獲取的圖形間位置關(guān)系...

本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種版圖修正方法、系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)介質(zhì)，本發(fā)明的版圖修正方法包括以下步驟：獲取包括至少一個(gè)目標(biāo)掩膜圖案及其他掩膜圖案的初始版圖，獲取初始版圖中目標(biāo)掩膜圖案的線段的坐標(biāo)值；獲取其他掩膜圖案的形狀特征，基于坐標(biāo)值...

本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種設(shè)計(jì)版圖修改方法及系統(tǒng)。所述方法包括：獲得設(shè)計(jì)版圖中初始設(shè)計(jì)圖形所對(duì)應(yīng)的顯影輪廓，判斷顯影輪廓內(nèi)或顯影輪廓之間是否存在違例；若是，則獲取違例的類型以及違例的位置；基于違例的位置和違例的類型通過(guò)預(yù)設(shè)算法...

本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種二次成像版圖拆分方法、二次版圖拆分系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)介質(zhì)，本發(fā)明的二次成像版圖拆分方法具體包括以下步驟：獲取初始版圖；基于獲取的初始版圖構(gòu)建拆分模型；基于構(gòu)建的拆分模型獲取相鄰圖形之間的預(yù)設(shè)參數(shù)及預(yù)設(shè)參數(shù)函...

本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別涉及一種提高掩模輔助圖形一致性方法、裝置及計(jì)算機(jī)設(shè)備。本發(fā)明提供的一種提高掩模版圖輔助圖形一致性方法，包括以下步驟：獲取初始掩模版圖上的輔助圖形；基于預(yù)設(shè)第一約束值判斷輔助圖形能否對(duì)其相鄰輔助圖形進(jìn)行回退...

本發(fā)明涉及光刻友好技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種掩膜版圖修正方法，包括以下步驟：提供初始掩膜版圖，掩膜版圖獲取初始掩膜版圖中的圖形點(diǎn)信息；將初始掩膜版圖中圖形點(diǎn)信息與預(yù)設(shè)的掩膜版圖匹配庫(kù)中壞點(diǎn)信息進(jìn)行匹配，掩膜版圖匹配庫(kù)包括掩膜版圖壞點(diǎn)信息及與...

本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種圖形對(duì)稱性處理方法、圖形對(duì)稱性處理系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)介質(zhì)，本發(fā)明的圖形對(duì)稱性處理方法包括以下步驟：獲取需要光刻的主圖形和對(duì)應(yīng)的輔助圖形；依據(jù)預(yù)設(shè)方式在主圖形外放置輔助圖形；基于預(yù)設(shè)輔助圖形的遍歷規(guī)則獲取優(yōu)化...

本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種提高掩模圖形優(yōu)化收斂性方法、裝置及計(jì)算機(jī)設(shè)備。本發(fā)明選取第一預(yù)設(shè)區(qū)域，第一預(yù)設(shè)區(qū)域包括初始掩模版圖，將第一預(yù)設(shè)區(qū)域界定為初始邊界區(qū)域；將初始邊界區(qū)域按照預(yù)設(shè)規(guī)律劃分為預(yù)設(shè)大小的分塊，按照預(yù)設(shè)次序優(yōu)化初...

本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種掩模圖形優(yōu)化方法及掩模板。所述方法提供初始掩模版圖，將初始掩模版圖劃分為預(yù)設(shè)等級(jí)的分塊，相鄰分塊間界定原始邊界線，原始邊界線擴(kuò)展形成擴(kuò)展邊界線；將分塊內(nèi)掩模圖形進(jìn)行打斷獲得線段；在線段上放置初始評(píng)價(jià)點(diǎn)...

本發(fā)明涉及計(jì)算光刻圖像測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種測(cè)量圖像尺寸的系統(tǒng)、測(cè)量方法、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。系統(tǒng)包括第一輸入部，用于輸入GDS版圖文件；選擇部，連接第一輸入部，用于選擇GDS版圖文件的版圖層信息；第二輸入部，用于輸入至少一個(gè)測(cè)量...

本發(fā)明涉及計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種SEM圖形輪廓點(diǎn)分析方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和程序產(chǎn)品，包括以下步驟：獲取待分析S E M圖像，并計(jì)算出S EM圖像中每個(gè)像素的方向?qū)?shù)；選擇一個(gè)像素點(diǎn)標(biāo)記為主點(diǎn)，并以主點(diǎn)為中心標(biāo)記預(yù)設(shè)范圍的主點(diǎn)視...

本發(fā)明涉及計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種光刻模型構(gòu)建方法，包括以下步驟：獲取部分SRAF圖形在晶圓上的實(shí)際曝光成像結(jié)果；建立初始光刻模型，將圖像測(cè)量平面與光強(qiáng)閾值作為變量加入初始光刻模型中；將部分SRAF圖形代入初始光刻模型進(jìn)行仿真，并...

本發(fā)明涉及圖形修復(fù)技術(shù)領(lǐng)域，一種設(shè)計(jì)版圖缺陷修復(fù)方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及設(shè)備，包括以下步驟，提供設(shè)計(jì)版圖，并通過(guò)設(shè)計(jì)版圖獲取掩模版圖；獲取所述設(shè)計(jì)版圖上的缺陷信息；根據(jù)所述缺陷信息及預(yù)設(shè)的修復(fù)規(guī)則對(duì)所述掩模版圖進(jìn)行修復(fù)得到已修復(fù)的掩模版圖。本發(fā)...

本發(fā)明涉及集成電路掩模設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于產(chǎn)生掩模圖形的方法、應(yīng)用于產(chǎn)生掩模圖形的裝置及電子設(shè)備，該方法包括步驟：提供一個(gè)或者多個(gè)初始掩模圖形的初始掩模版圖，基于每個(gè)初始掩模圖形對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)信息建立關(guān)于初始位置信息矩陣對(duì)每個(gè)初始掩...

本發(fā)明涉及集成電路掩模設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其涉及尤其涉及一種適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分方法、適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分裝置及電子設(shè)備，本方法包括如下步驟：提供包括多個(gè)掩模圖形的初始版圖；基于第一拆分規(guī)則將多個(gè)掩模圖形拆分為有沖突圖形和無(wú)沖突...

本發(fā)明涉及建模領(lǐng)域，特別涉及一種提高光刻膠模型精度的方法。本發(fā)明的提高光刻膠模型精度的方法先提供一種卷積核，卷積核包括若干點(diǎn)，卷積核中的每一點(diǎn)均可變化且形成隨機(jī)變量組；基于卷積核建立光刻膠模型；隨機(jī)變量組每變化一次定義為一次優(yōu)化，基于每...

本發(fā)明涉及光刻友好技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種掩模圖形修正方法，包括以下步驟：提供初始掩模圖形，所述初始掩模圖形中包括多個(gè)圖形點(diǎn)，每個(gè)圖形點(diǎn)具有對(duì)應(yīng)的圖形點(diǎn)信息；將所述初始掩模圖形中圖形點(diǎn)信息與預(yù)設(shè)掩模圖形匹配庫(kù)中壞點(diǎn)信息進(jìn)行匹配，該匹配庫(kù)包...

本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及集成電路制造光源優(yōu)化方法及電子設(shè)備，所述方法包括如下步驟：S1、提供初始光源；S2、根據(jù)初始光源的光源強(qiáng)度分布進(jìn)行區(qū)域分割以獲得多個(gè)子光源區(qū)域；S3、提供至少兩種匹配圖形，將至少兩種匹配圖形分別與...

本發(fā)明涉及集成電路掩模設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其涉及掩模優(yōu)化方法、掩模優(yōu)化系統(tǒng)及電子設(shè)備。包括步驟：S1、提供包括至少一個(gè)掩模圖形的掩模版圖，并將掩模版圖劃分成多個(gè)區(qū)域塊，至少部分區(qū)域塊中包括至少一個(gè)掩模圖形；S2、對(duì)區(qū)域塊中每個(gè)掩模圖形所有的線段...

本發(fā)明提供一種基于多線程的圖像渲染方法、系統(tǒng)及電子設(shè)備，用于渲染具有多個(gè)層的集成電路圖形，該方法通過(guò)對(duì)一張待渲染圖像劃分多個(gè)子圖像，并對(duì)每一所述子圖像分配一個(gè)第一線程，并針對(duì)每個(gè)子圖像的層數(shù)分配相應(yīng)數(shù)量的第二線程，使得每個(gè)圖像以及每個(gè)圖...