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    蘇州立琻半導體有限公司專利技術

    蘇州立琻半導體有限公司共有50項專利

    • 本發明公開了一種發光器件及其制備方法,所述發光器件包括:基板,所述基板的上表面上設有第一電極和第二電極;至少一個發光單元,所述發光單元包括至少兩個間隔分布的芯片,所述芯片包括P電極和N電極,所述P電極和N電極通過ACF異性導電膜分別與第...
    • 本發明公開了一種高質量AlN薄膜材料及其制備方法。所述外延結構包括:AlN基礎層、形成層和合并層;基礎層為密實層,具有600?750nm的厚度;形成層和合并層中內嵌有多個孔洞結構,開口于形成層中,閉合于合并層中;并且具有選定截面形狀的孔...
    • 本發明公開了一種光固化像素排布結構、光固化模組及打印設備,通過設置多個不同波段范圍的子像素,并對多個子像素進行特殊的陣列排布,平衡不同波長范圍的多個子像素的光束角和固化效果差異,更好的匹配各類子像素的光的覆蓋范圍。
    • 本發明公開了一種光固化方法及光固化模組,通過光固化模組中多個不同波長的子像素的排布組合,控制不同波長的子像素根據不同墨水的分布區域進行對應性點亮照射,以針對性的光照,并且根據不同的墨水成分或型號控制光照時間和光照強度,達到更好的固化效果...
    • 本申請涉及一種p型AlGaN材料及其制備方法、紫外光電子器件的制備方法,屬于半導體技術領域,p型AlGaN材料的制備方法包括:在第一溫度下,通入有機金屬源和N源,生長p型AlGaN材料;暫停通入有機金屬源,在第二溫度下保持一定時間,使p...
    • 本發明公開了一種鞋用殺菌裝置,通過支撐件以及紫外光源的凸出設置,在殼體與鞋內表面之間構造出殺菌空間,保持了鞋內表面和紫外光源的距離,避免紫外光源被鞋子覆蓋或被殼體遮擋所導致的照射范圍受限,提高殺菌效率;同時,支撐件的設置構造了通風道,提...
    • 本發明公開了一種紫外光電子器件的外延結構及其應用。該層疊結構包括層疊設置的n型半導體結構層、功能層和p型半導體結構層,p型半導體結構層包括沿選定方向層疊設置的電子阻擋層、空穴運輸層和接觸層;p型半導體結構層還包括黑線層,黑線層設置在空穴...
    • 本技術公開了一種消毒裝置。消毒裝置包括:消毒裝置主體以及第一輔助固定機構和/或第二輔助固定機構,所述消毒裝置主體至少用于對目標殺菌設備進行殺菌,所述輔助固定機構和/或第二輔助固定機構設置在所述消毒裝置主體上,其中,所述第一輔助固定機構至...
    • 本申請公開了一種半導體發光器件,包括基板,基板包括相背設置的第一表面和第二表面;若干發光單元,間隔布置在所述第一表面上,包括發光元件、波長轉換層和發光保護層;隔離單元布置在相鄰所述發光單元的間隙處,延伸長度大于或等于所述發光保護層背離所...
    • 本技術公開了一種紫外發光二極管外延片,包括沿選定方向依次層疊設置的N型半導體層、有源層和P型半導體層,有源層包括至少一個周期的量子阱結構,量子阱結構包括沿選定方向依次層疊設置的阱層、壘層以及至少一個應力調控層,應力調控層層疊設置在阱層和...
    • 本發明公開了一種芯片結構及其制備方法,通過在第二摻雜類型半導體層被刻蝕的區域內形成與第二摻雜類型半導體層不同摻雜類型或者不同摻雜濃度的限制層,在被刻蝕的側壁之間形成空間電荷區,以此控制電流流動路徑,使其繞開被刻蝕的側壁,大幅減少因刻蝕損...
    • 本發明的實施例公開了一種發光器件封裝,其包括:第一至第三框架,第一至第三框架中的每一個具有至少一個通孔;本體,該本體用于支撐第一至第三框架;第一發光器件,該第一發光器件布置在第一框架和第二框架上;以及第二發光器件,該第二發光器件布置在第...
    • 本發明公開了一種光電芯片及其制備方法,通過對第二電極與襯底之間歐姆接觸區域的位置以及面積大小的設計,有目的地設置第二電極的歐姆接觸區域位置和面積發生變化。在靠近鍵合電極區的一端,歐姆接觸面積小或者沒有歐姆接觸,在朝著逐漸遠離鍵合電極區的...
    • 本發明公開了一種具有n型低阻歐姆接觸結構的深紫外LED芯片,包括外延結構和第一電極層。外延結構至少包括第一導電半導體層、有源層、第二導電半導體層,第一導電半導體層、有源層、第二導電半導體層屬于AlGaN基半導體層,第一導電半導體層是N型...
    • 本發明公開了一種激光器模組及其制作方法,激光器模組包括:基板,具有相對設置的第一表面和第二表面,第二表面上形成有隔離設置且均延伸至第一表面的第一引線電極和第二引線電極;激光器芯片,設置于基板的第一表面上,激光器芯片包括發射區以及位于發射...
    • 本申請實施例涉及一種發光器件的制備方法及發光器件、裝置。發光器件的制備方法包括:提供襯底,襯底上形成有外延層,外延層包括沿遠離襯底的方向依次層疊的第一導電半導體層、發光層和第二導電半導體層;對外延層進行掩膜刻蝕,得到陣列排布的多個Mic...
    • 本發明公開了一種P型半導體材料的摻雜方法、外延結構、器件及裝置,該方法包括:提供半導體材料;所述半導體材料為AlGaN基;將所述半導體材料劃分為至少兩個離子注入區域;對待注入離子束的出射方向進行偏轉;對偏轉后的所述待注入離子束進行加速;...
    • 本技術公開了一種美甲固化裝置,其包括:殼體、圖像采集模塊、紫外成像模塊和光學鏡組件;殼體包括放置區;圖像采集模塊用于采集放置于放置區內的對象物的指甲區域的圖像信息;紫外成像模塊對應于放置區設置,紫外成像模塊用于根據指甲區域的圖像信息生成...
    • 本發明公開了氮化物半導體的電化學處理設備及晶圓摻雜的處理工藝。該設備包括:電解液容器主體、底座結構和上蓋結構,使得在電解液容器主體內形成一空腔,盛放電解液;電解液容器主體的底面中心設置有向遠離底面一側凸出的開口,底面邊緣一周設置有至少兩...
    • 本申請公開了一種低接觸電阻的外延結構及發光裝置,外延結構包括接觸層,接觸層包括第一接觸部,布置在所述P型層表面,所述第一接觸部至少包括多個沿背離所述P型層方向延伸設置的第一納米結構,相鄰所述第一納米結構間隔設置,所述第一接觸部與所述P型...
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