本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N光電二極管芯片的制備方法及設(shè)備和光電二極管芯片，該方法包括：對(duì)當(dāng)前的外延片進(jìn)行刻蝕處理，形成溝槽窗口，溝槽窗口所在的第二區(qū)域位于第一區(qū)域的外部，環(huán)繞第一區(qū)域，溝槽窗口貫穿P歐姆接觸層、擴(kuò)散窗口層、本征吸收層和N型材料接觸...

本發(fā)明公開(kāi)了一種無(wú)透鏡管帽的吸取裝置及無(wú)透鏡管帽的封裝裝置，主要通過(guò)伸入頭及第一吸孔，實(shí)現(xiàn)管帽頂面的非窗口區(qū)域封堵第一吸孔，通過(guò)第一吸孔由窗口外周區(qū)域吸取管帽，實(shí)現(xiàn)無(wú)需人工夾取。本發(fā)明的主要技術(shù)方案為：一種無(wú)透鏡管帽的吸取裝置，包括：裝...

本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體激光器最優(yōu)老化條件的確定方法、裝置及設(shè)備，涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，可解決目前未排除由于施加驅(qū)動(dòng)電流導(dǎo)致的芯片結(jié)溫變化帶來(lái)的干擾，導(dǎo)致半導(dǎo)體激光器最優(yōu)老化條件的確定不準(zhǔn)確的技術(shù)問(wèn)題。包括：獲取待測(cè)試半導(dǎo)體激光器芯片，基于...

本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體激光器芯片及其制備方法，主要通過(guò)在脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上形成離子注入?yún)^(qū)，繼而使電流不通過(guò)該區(qū)域只有光通過(guò)該區(qū)域，以此來(lái)提高產(chǎn)品的可靠性。本發(fā)明的主要技術(shù)方案為：一種半導(dǎo)體激光器芯片，包括：芯片主體，芯片主體包括脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，脊...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種解理方法，采用刻蝕、腐蝕等非機(jī)械手段，避免了機(jī)械應(yīng)力對(duì)薄片晶圓的作用，從而極大地減少了薄片晶圓端面出現(xiàn)裂紋的可能性。具體地，解理方法按以下步驟實(shí)施：于薄片晶圓背面生長(zhǎng)氧化硅，以形成掩膜層；于掩膜層背離...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N邊發(fā)射激光芯片及其制作方法，包括參考電極以及參考電極上方依次設(shè)置的N型注入層、有源區(qū)和P型注入層，P型注入層內(nèi)設(shè)置有至少兩個(gè)電隔離區(qū)，至少兩個(gè)電隔離區(qū)之間形成有第一通道，且至少兩個(gè)電隔離區(qū)背離第一通道的兩側(cè)分別形成有第二...

本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種激光器組件、制備方法和控制方法，激光器組件包括了底座、氮化鋁金錫熱沉、激光器芯片和加熱電阻，基于此在工作過(guò)程中，通過(guò)為激光器進(jìn)行上電，即可使激光器組件實(shí)現(xiàn)激光器功能，在講激光器組件應(yīng)用在極寒情況下，如若激光器芯片無(wú)...

本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N光電二極管的制備方法和光電二極管，該方法包括：將P歐姆接觸層刻蝕為P歐姆接觸塊；在當(dāng)前表層生長(zhǎng)擴(kuò)散阻擋膜；在擴(kuò)散窗口層形成擴(kuò)散孔；執(zhí)行Zn擴(kuò)散處理，使第一區(qū)域形成高摻雜P+?INP的擴(kuò)散區(qū)；在當(dāng)前表層生長(zhǎng)抗反射膜；對(duì)P歐...

本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種晶圓濕法腐蝕裝置和刻蝕方法，晶圓濕法腐蝕裝置包括了桶體、驅(qū)動(dòng)組件和承載組件，承載組件包括了多個(gè)立柱，每個(gè)立柱上形成有卡槽。基于此通過(guò)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的晶圓濕法腐蝕裝置，在使用過(guò)程中，可以先將晶圓通過(guò)卡槽卡接在多個(gè)立...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體制作技術(shù)領(lǐng)域，具體提供了一種勻膠方法，包括：粘貼背膠膜至晶圓的背面；旋涂光刻膠至晶圓的正面；移除背膠膜。由此，實(shí)現(xiàn)了在不采用去邊工藝的情況下，有效解決光刻膠邊緣堆膠問(wèn)題，提高晶圓上芯片的制作精準(zhǔn)度和良率，同時(shí)充分利用晶圓...

本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N探測(cè)器芯片的雜質(zhì)擴(kuò)散方法及探測(cè)器芯片，其方法包括：在晶圓表面生長(zhǎng)第一擴(kuò)散阻擋層，第一擴(kuò)散阻擋層為Si?Nx/SiO<subgt;2</subgt;復(fù)合膜；對(duì)第一擴(kuò)散阻擋層進(jìn)行光刻后形成擴(kuò)散窗口；在擴(kuò)散窗口進(jìn)行開(kāi)...

本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N降低歐姆接觸電阻的工藝方法及激光器芯片，其方法包括：在晶圓表面生長(zhǎng)擴(kuò)散阻擋層，并進(jìn)行退火處理，以使晶圓內(nèi)形成Ga空位；對(duì)擴(kuò)散阻擋層進(jìn)行光刻后形成擴(kuò)散窗口，并進(jìn)行導(dǎo)電介質(zhì)擴(kuò)散，以使導(dǎo)電介質(zhì)填補(bǔ)Ga空位。本申請(qǐng)?zhí)岢龅墓に嚪椒ǎ?..

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N背照式光電二極管、接近傳感器及電子設(shè)備，其中背照式光電二極管包括：第一電極；光吸收層，光吸收層設(shè)置于第一電極的一側(cè)，光吸收層為InGaAs，光吸收層的厚度為3.0μm?6.0μm；濾波層，濾波層為InP，濾波層設(shè)置于光吸...

本發(fā)明提供了一種甲烷氣體探測(cè)激光器制備方法及甲烷氣體探測(cè)激光器。其中，該方法包括：將熱敏電阻安裝在底座上；將薄膜電阻安裝在底座上；將激光器芯片安裝在底座上；將蓋體與底座連接，并使熱敏電阻、薄膜電阻、激光器芯片封裝在蓋體和底座圍成的容納腔...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光電探測(cè)器芯片、接近傳感器及電子設(shè)備，其中光電探測(cè)器芯片包括襯底、光吸收層、濾波層、帽層、第一電極和第二電極，光吸收層設(shè)置于襯底的一側(cè)，光吸收層為InGaAs層，光吸收層用于將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)；濾波層設(shè)置于光吸收層背離...

本申請(qǐng)一些實(shí)施例中公開(kāi)了一種激光器模式跳變的篩選方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法中根據(jù)在不同溫度下的多種特征數(shù)據(jù)篩選出存在模式跳變風(fēng)險(xiǎn)的激光器，保證利用該激光器的終端信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性，降低客戶的損失。方法包括：在激光器正常工作時(shí)，...

本申請(qǐng)公開(kāi)了半導(dǎo)體激光器的電極的制備方法及電極，該方法包括：對(duì)第一晶圓進(jìn)行沉積處理，以使第一晶圓的表面附著第一金屬膜，得到第二晶圓；對(duì)第二晶圓進(jìn)行電鍍處理，以使第一金屬膜上附著第二金屬膜，得到第三晶圓，其中，第三晶圓已剝離光刻膠；對(duì)第三...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N超輻射發(fā)光二極管及其制作方法，包括襯底層、波導(dǎo)層、多量子阱有源層和對(duì)接生長(zhǎng)層，波導(dǎo)層設(shè)置在襯底層的第一方向側(cè)，多量子阱有源層和對(duì)接生長(zhǎng)層設(shè)置在波導(dǎo)層的第一方向側(cè)，對(duì)接生長(zhǎng)層設(shè)置在多量子阱有源層沿超輻射發(fā)光二極管的出光方向...

本申請(qǐng)涉及光電芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，提出了一種基于周期應(yīng)變的光電探測(cè)器及其制作方法，光電探測(cè)器包括：外延結(jié)構(gòu)和分別形成于外延結(jié)構(gòu)正面和背面的P面和N面電極層；外延結(jié)構(gòu)從下至上依次包括：N型摻雜的InP襯底、形成于InP襯底上的N型InP過(guò)渡...

本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，所屬激光器封裝技術(shù)領(lǐng)域，包括：底座和引腳，引腳設(shè)置在底座上；底座上設(shè)置有熱沉塊，熱沉塊上設(shè)置有激光器芯片，激光器芯片與熱沉塊的負(fù)極相連，熱沉塊的正極與第一引腳通過(guò)