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    西安隆基樂葉光伏科技有限公司專利技術(shù)

    西安隆基樂葉光伏科技有限公司共有164項專利

    • 本申請公開了一種舟緩存裝置及凈化臺,舟緩存裝置包括:舟緩存架,舟緩存架中設(shè)有間隔排布的若干預(yù)熱緩存位和若干冷卻緩存位,且預(yù)熱緩存位均設(shè)于冷卻緩存位的上方,冷卻緩存位用于放置已工藝的熱舟體,預(yù)熱緩存位用于放置未工藝的冷舟體;冷卻緩存位設(shè)有...
    • 本技術(shù)公開了一種刮膠加工裝置,包括機體、自動取放機構(gòu)、至少一個研磨機構(gòu)、清洗機構(gòu)和檢測機構(gòu),自動取放機構(gòu)設(shè)置于機體,自動取放機構(gòu)包括夾持部,夾持部用于抓取和釋放刮膠,以轉(zhuǎn)移刮膠,研磨機構(gòu)設(shè)置于機體,研磨機構(gòu)用于研磨刮膠,清洗機構(gòu)設(shè)置于機...
    • 本申請公開一種背接觸電池及其制造方法,涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域,以利于使N型摻雜多晶硅層和P型摻雜多晶硅層均具有良好的鈍化效果,提高背接觸電池的轉(zhuǎn)換效率。背接觸電池包括半導體基底、以及位于半導體基底的同一面上的N型摻雜多晶硅層和P型摻雜多晶硅層...
    • 本申請?zhí)峁┝艘环N太陽能電池及光伏組件,屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域。該太陽能電池,包括:硅基底,包括具有導電區(qū)的表面;摻雜半導體層,位于硅基底的導電區(qū)上,摻雜半導體層包括電極區(qū);鈍化減反層,位于摻雜半導體層的遠離硅基底的表面;電極,位于鈍化減反層...
    • 一種太陽能電池,包括硅基底,硅基底的背面包括交替設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域,以及設(shè)置在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的交疊區(qū)域。第一功能層設(shè)置于第一區(qū)域和交疊區(qū)域。第二功能層設(shè)置于第二區(qū)域且由第二區(qū)域延伸至覆蓋交疊區(qū)域的第一功能層。第二功能層的邊...
    • 一種太陽能電池,包括硅基底、第一鈍化膜和第二鈍化膜。硅基底包括第一表面、與第一表面相對的第二表面以及連接第一表面和第二表面的側(cè)表面。第一鈍化膜位于第一表面且完全覆蓋第一表面。第二鈍化膜位于第二表面且局部覆蓋第二表面。第二鈍化膜由硅基底的...
    • 本技術(shù)公開了一種太陽能電池和太陽能組件,涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,以解決焊帶焊接過程中,端部焊盤受到焊帶的收縮拉力影響最大。因此在焊接時電池片主體的第一表面和第二表面受到的焊帶收縮拉力差異大,導致電池片主體彎曲甚至隱裂的問題。該太陽能電池...
    • 本技術(shù)公開一種電池片緩存裝置及電池片輸送系統(tǒng),涉及太陽能電池領(lǐng)域。電池片緩存裝置包括:平行且間隔設(shè)置的第一儲片架和第二儲片架,以承接傳送裝置上的電池片;還包括一端和第一儲片架連接的第一連接板,以及一端和第二儲片架連接的第二連接板;第一連...
    • 本申請公開了一種電池片裝袋設(shè)備,包括:固定架、送膜機構(gòu)、封袋機構(gòu)和送片機構(gòu),固定架上設(shè)有供料機構(gòu),供料機構(gòu)用于供應(yīng)薄膜;送膜機構(gòu)與供料機構(gòu)相對設(shè)置,送膜機構(gòu)中設(shè)有傳輸通道,用于輸送薄膜;封袋機構(gòu)設(shè)于傳輸通道中,用于將傳輸通道中的薄膜熱封...
    • 本發(fā)明涉及一種太陽能電池、光伏組件、以及太陽能電池的制備方法。該所述太陽能電池包括硅基底、傳輸層和第一電極;所述傳輸層位于所述硅基底的一側(cè),所述傳輸層內(nèi)設(shè)有金屬晶體;所述第一電極位于所述傳輸層遠離所述硅基底的一側(cè),所述第一電極與所述傳輸...
    • 本發(fā)明提供了一種背接觸電池片及其制備方法和光伏組件,涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域。背接觸電池片包括:電池本體;電池本體包括:集電摻雜區(qū)域,包括第一集電摻雜區(qū)域和第二集電摻雜區(qū)域,沿第一方向延伸且沿第二方向交替間隔分布;匯流摻雜區(qū)域,包括第一匯流摻雜...
    • 本技術(shù)公開一種石墨舟緊固件拆裝裝置和石墨舟緊固件拆裝存儲設(shè)備,涉及石墨舟拆裝技術(shù)領(lǐng)域,用于提升石墨舟緊固件的拆裝效率以及緊固件緊固標準的一致性。拆裝裝置包括支撐架、第一驅(qū)動機構(gòu)、至少兩個杠桿臂、第二驅(qū)動機構(gòu)和驅(qū)動件。至少兩個杠桿臂圍繞轉(zhuǎn)...
    • 本技術(shù)公開了一種太陽能電池和太陽能組件,涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,以解決EL測試時,兩個輔柵之間的區(qū)域出現(xiàn)發(fā)黑的情況。所述太陽能電池包括:電池片主體、包括第一端部匯流電極、第二端部匯流電極和第一表面集電電極的第一表面電極結(jié)構(gòu),包括第三端部...
    • 本公開提供了一種太陽能電池鍍膜方法和太陽能電池,方法包括:在硅基底的背光側(cè)沉積第一鈍化層。采用第一溫度曲線在硅基底的向光側(cè)沉積第一減反層或第二減反層,第一溫度曲線為先升溫至第一溫度,再降溫至第二溫度,在第二溫度條件下沉積向光側(cè)的第一減反...
    • 本技術(shù)公開一種傳輸裝置和傳輸系統(tǒng),涉及傳輸設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。傳輸裝置包括:鏈板輸送帶、至少兩個連接板,以及設(shè)置在每個所述連接板上的至少兩個支撐頂針組件;通過調(diào)整支撐頂針組件在連接板上的固定位置匹配不同的待傳輸物體的尺寸,使得待傳輸物體在輸送...
    • 本技術(shù)公開了一種臭氧微納米氣泡發(fā)生裝置,涉及清洗技術(shù)領(lǐng)域,以解決現(xiàn)有技術(shù)中通常利用臭氧槽中的臭氧處理硅片,但是臭氧槽中臭氧的濃度較低,對硅片的清洗效果難以滿足工藝需求,導致清洗后的硅片質(zhì)量不符合要求的問題。所述臭氧微納米氣泡發(fā)生裝置包括...
    • 本申請?zhí)峁┮环N太陽能電池及其制備方法,其中太陽能電池包括:硅基底,硅基底具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面,第一表面包括交替設(shè)置的電極區(qū)和非電極區(qū);在第一表面和/或第二表面依次層疊設(shè)置的第一隧穿氧化層、第一摻雜多晶硅層、第二隧穿氧化層和第...
    • 本技術(shù)公開一種污泥反吹壓力沖抵裝置和污泥板框壓濾系統(tǒng),涉及反吹污泥回收技術(shù)領(lǐng)域。污泥反吹壓力沖抵裝置包括:污泥罐本體,以及設(shè)置在所述污泥罐本體中的壓力沖抵管道;所述壓力沖抵管道包括主管道,以及在所述主管道下端的與所述主管道連通的至少兩個...
    • 本發(fā)明涉及太陽能光伏技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種印刷單元、印刷產(chǎn)線以及印刷方法。印刷單元包括第一輸送線、第二輸送線、第一轉(zhuǎn)臺、第二轉(zhuǎn)臺、第一印刷機和第二印刷機;所述第一輸送線和所述第二輸送線平行且相間隔布置,所述第一輸送線和所述第二輸送線均用...
    • 本技術(shù)公開了一種拆包裝置和拆包系統(tǒng),涉及拆包技術(shù)領(lǐng)域,以解決現(xiàn)有技術(shù)中采用人工手動將POF包裝袋打開,取出硅片,去掉無硫紙的方式存在勞動強度高和自動化程度低的問題。所述拆包裝置用于拆卸包裝工件的包裝結(jié)構(gòu),包裝結(jié)構(gòu)具有相對設(shè)置的開口端和封...
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