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    矽磐微電子重慶有限公司專利技術

    矽磐微電子重慶有限公司共有223項專利

    • 本申請提供一種半導體結構的制造方法及半導體結構。所述制造方法包括:形成支撐層,并形成貫穿所述支撐層的多個通孔;在各所述通孔內形成導電結構,所述導電結構的相對兩個表面分別露出所述通孔;在所述支撐層的一側設置電氣元件,所述電氣元件的電極與所...
    • 本申請提供一種半導體結構的制造方法。所述半導體結構的制造方法包括:提供多個待布線結構,所述待布線結構包括多個封裝結構及塑封層,所述封裝結構包括至少一個電氣元件,所述電氣元件包括電極,所述塑封層至少包封所述封裝結構的側面;將所述多個待布線...
    • 本申請提供一種半導體結構的制造方法及半導體結構。半導體結構的制造方法包括:在載板的一側設置粘結層;將至少一個電氣元件置于所述粘結層背離所述載板的一側,至少一個所述電氣元件包括本體及凸出于所述本體的焊端,所述焊端朝向所述載板且所述焊端至少...
    • 本申請提供一種半導體結構的制造方法及制備半導體結構的裝置。所述半導體結構的制造方法包括:提供待封裝結構及載板;待封裝結構包括至少一個電氣元件;載板設有容納腔;在容納腔的一側設置粘結層,粘結層與載板粘結;將待封裝結構置于容納腔內,且與粘結...
    • 本申請提供一種半導體結構的制造方法及半導體結構。制造方法包括:形成包括第一芯片與塑封層的待布線結構;第一芯片的芯片正面設有多個焊墊;塑封層至少包封第一芯片的芯片側面;形成再布線層,再布線層位于芯片正面且與焊墊電連接;再布線層設有至少一個...
    • 本申請提供一種半導體結構的制造方法。半導體結構的制造方法包括:制備封裝結構,封裝結構包括第一芯片、塑封層及第一再布線層;第一芯片的正面多個第一焊墊;塑封層至少包封第一芯片的側面;第一再布線層與第一焊墊電連接;在第一再布線層背離第一芯片的...
    • 本申請提供一種半導體結構的制造方法及半導體結構。半導體結構的制造方法包括:提供第一芯片及待封裝結構;所述第一芯片包括芯片正面、芯片背面及多個芯片側面,所述芯片正面設有多個焊墊;所述待封裝結構包括至少一個電氣元件及位于所述電氣元件一側的導...
    • 本申請提供一種半導體結構及半導體結構的制造方法。所述半導體結構包括第一待封裝結構、第二待封裝結構、第一塑封層、第二塑封層和再布線層。第一待封裝結構包括第一芯片,第一芯片的芯片正面設有多個焊墊。第二待封裝結構至少包括一個電氣元件。第一芯片...
    • 本申請提供一種半導體產品、跡線結構與絕緣層之間粘附效果的檢測方法。半導體產品包括第一絕緣層及位于第一絕緣層上的第一跡線,第一跡線包括與第一絕緣層直接接觸的第一金屬層。半導體產品的檢測方法包括:多次制備測試樣品并對測試樣品進行測試以獲取拉...
    • 本申請提供一種半導體結構的制造方法。所述制造方法包括:提供半導體中間結構,半導體中間結構包括多個芯片及包封層;半導體中間結構包括第一表面和第二表面;在半導體中間結構上設置與測試芯片對應的參考標識;根據測試芯片的產品標識的設計位置信息,在...
    • 本申請提供一種用于制備半導體產品的濺射設備的控制方法。所述用于制備半導體產品的濺射設備的控制方法包括:提供測試樣品,所述測試樣品包括絕緣層及位于所述絕緣層一側的跡線結構;所述跡線結構包括至少一條跡線,一條所述跡線對應一個數據組,所述數據...
    • 本申請提供一種半導體結構的制造方法及半導體結構。所述制造方法包括:提供第一芯片,所述第一芯片包括芯片正面、與所述芯片正面相對的芯片背面、及連接所述芯片正面與所述芯片背面的多個芯片側面,所述芯片正面設有多個焊墊;設置再布線層、塑封層、電氣...
    • 本發明提供一種面板級扇出型雙面互連的封裝方法。該封裝方法包括:在第一載板上形成導電柱;將芯片貼裝在第一載板上;在第一載板上形成第一介電層,第一介電層至少包覆芯片的側壁和導電柱的側壁;在第一介電層上形成第一再布線層,第一再布線層與芯片的第...
    • 本發明提供一種面板級扇出型封裝方法。該封裝方法包括:提供第一中間結構,該第一中間結構中,第一塑封層位于第一載板上且至少包覆位于第一載板上的第一芯片的側壁,離型層形成在第一塑封層遠離第一載板的表面上;提供包括第二載板以及貼裝在第二載板上的...
    • 本發明提供了一種雙面互連封裝方法及雙面互連封裝結構,通過在第一塑封層和半導體芯片的表面形成雙面互連窗口,所述雙面互連窗口對準部分再布線結構;接著在第一線上介電層中形成雙面互連開口,所述雙面互連開口經由所述雙面互連窗口暴露出部分所述再布線...
    • 本申請提供了一種半導體封裝方法、封裝線路結構及半導體封裝結構,通過在載板上形成增層膜,所述增層膜包括下層膜以及位于所述下層膜上的上層膜,在所述增層膜中形成開口,所述開口包括位于所述上層膜中的上開口以及位于所述下層膜中的下開口,所述下開口...
    • 本申請提供了一種半導體封裝方法及半導體封裝結構,通過切割塑封層,以在所述塑封層中切割出至少一條溝槽,接著通過形成在所述溝槽中的溝槽連線使得至少一個半導體芯片的第一表面與至少另一個半導體芯片的第二表面電性連接,得到雙面互聯產品。在本申請中...
    • 本發明提供了一種半導體封裝方法及半導體封裝結構,在切割形成半導體封裝結構的單體之前就形成了電磁屏蔽層,工藝更簡單,同時提高了產品質量與可靠性。進一步的,所形成的電磁屏蔽層包括第一金屬層和第二金屬層,其中第一金屬層通過覆蓋溝槽表面而形成,...
    • 本發明提供一種半導體封裝方法。該半導體封裝方法包括:提供第一載板;在第一載板上設置導電層;在導電層上形成第一介電層,第一介電層中具有多個線路開口,多個線路開口露出導電層;以導電層作為導電輔助層,在多個線路開口內電鍍形成第一再布線層;以及...
    • 本發明提供一種封裝方法。所述封裝方法中,中間塑封結構包括第一塑封層和電氣元件,第一塑封層至少包覆電氣元件的側壁,電氣元件的焊端端面從第一塑封層的第一表面中露出;在第一表面的一側形成第一再布線層,去除部分第一塑封層形成第一凹槽,第一凹槽暴...
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