本發明公開一種高精度的電子插件，所述的高精度的電子插件包括最上層的熱塑材料層、中間層的高分子化合物層和最下層的合金材料層組合而成，所述熱塑材料層為聚醚酰亞胺，所述高分子化合物層為氟硅橡膠，所述的熱塑材料層占高精度的電子插件總體分量的32...

本發明公開一種散熱好的電子芯片，所述的散熱好的電子芯片包括最上層的工程塑料層、中間層的促進劑和最下層的金屬氧化物半導體層組合而成，所述工程塑料層為聚碳酸酯，所述金屬氧化物半導體層為砷化鎵，所述的工程塑料層占散熱好的電子芯片總體分量的24...

本發明公開一種防靜電的電子芯片，所述的防靜電的電子芯片包括最上層的金屬膜層、中間層的絕緣體層和最下層的防靜電層組合而成，所述金屬膜層為二氧化鈦膜層，所述絕緣體層為電介質，所述的金屬膜層占防靜電的電子芯片總體分量的47%-49%，所述的絕...

本發明公開一種無銹蝕的電子插件，所述的無銹蝕的電子插件包括最上層的耐銹塑料層、中間層的固化劑和最下層的熱塑性樹脂層組合而成，所述耐銹塑料層為氨基塑料，所述熱塑性樹脂層為聚丙烯塑料，所述的耐銹塑料層占無銹蝕的電子插件總體分量的32%-44...

本發明公開一種穩定性好的電子芯片，所述的穩定性好的電子芯片包括最上層的陶瓷材料層、中間層的融合劑和最下層的半導體材料層組合而成，所述陶瓷材料層為硅酸鹽，所述半導體材料層為碳基，所述的陶瓷材料層占穩定性好的電子芯片總體分量的18%-19%...

本發明公開一種高性能的電子芯片，所述的高性能的電子芯片包括最上層的高分子材料層、中間層的粘膠劑和最下層的硅材料層組合而成，所述高分子材料層為聚對苯二甲酸乙二醇酯，所述硅材料層為二氧化硅，所述的高分子材料層占高性能的電子芯片總體分量的27...

本發明公開一種耐高溫的電子插件，所述的耐高溫的電子插件包括最上層的高性能熱塑性樹脂層、中間層的促進劑和最下層的耐火材料層組合而成，所述高性能熱塑性樹脂層為聚苯硫醚，所述耐火材料層包括石英砂、粘土、菱鎂礦、白云石，所述的高性能熱塑性樹脂層...

本發明公開了一種新型便捷的信號發生器，所述的信號發生器內部包括微控制單元、第一D/A轉換器、第二D/A轉換器、現場可編程門陣列FPGA、串/并轉換器和信號調理電路，所述的微控制單元通過I/O口和串行接口分別連接現場可編程門陣列FPGA和...