本發(fā)明公開(kāi)一種無(wú)時(shí)鐘的四端口多地址晶圓接受度測(cè)試結(jié)構(gòu)及其測(cè)試方法。由4個(gè)端口、N個(gè)觸發(fā)器及N層樹(shù)狀選通電路構(gòu)成的測(cè)試結(jié)構(gòu)，在無(wú)需對(duì)現(xiàn)有WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)和測(cè)試針卡進(jìn)行任何改動(dòng)的基礎(chǔ)上，成功突破傳統(tǒng)測(cè)試結(jié)構(gòu)的局限。通過(guò)信號(hào)端口、節(jié)拍端口、供電...

一種圖形修正模型的校準(zhǔn)方法、裝置、圖形修正方法以及電子設(shè)備，用于對(duì)初始圖形修正模型進(jìn)行校準(zhǔn)，其中校準(zhǔn)方法包括：獲取圖形化的光刻膠，所述光刻膠具有實(shí)驗(yàn)圖形；量測(cè)所述實(shí)驗(yàn)圖形，獲取所述實(shí)驗(yàn)圖形的電信號(hào)的波形；根據(jù)所述波形，定位量測(cè)點(diǎn)；根據(jù)所...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：提供襯底；在所述襯底內(nèi)形成凹槽和位于所述凹槽側(cè)壁和底部表面的線性氧化層；對(duì)所述線性氧化層進(jìn)行改性處理，在所述線性氧化層內(nèi)摻入改性離子；在所述改性處理之后，在所述凹槽內(nèi)形成隔離結(jié)構(gòu)；在形成所述隔離...

一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，所述方法包括：提供多組待處理晶圓，所述待處理晶圓包括襯底，以及形成于襯底上的器件結(jié)構(gòu)，其中，所述器件結(jié)構(gòu)之間形成有間隙；基于預(yù)設(shè)的參數(shù)套組內(nèi)參數(shù)組的順序，依次處理所述待處理晶圓，在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在襯底內(nèi)形成初始埋置層，初始埋置層內(nèi)具有摻雜離子；對(duì)初始埋置層進(jìn)行退火處理形成埋置層，退火處理的氣體包括惰性氣體和氫氣，或者惰性氣體和氫的同位素氣體。由于退火處理的氣體中不含氧氣，因此不會(huì)對(duì)初始...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在襯底上形成第一介質(zhì)層；在第一介質(zhì)層上形成第一停止層，第一停止層內(nèi)具有第一開(kāi)口；在第一介質(zhì)層上和第一停止層上形成第二介質(zhì)層；在第二介質(zhì)層上形成掩膜結(jié)構(gòu)，掩膜結(jié)構(gòu)內(nèi)具有第二開(kāi)口；以第二開(kāi)口為掩膜刻...

本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底，包括多個(gè)芯片區(qū)域以及用于分隔各芯片區(qū)域的劃片道，其中，所述劃片道上形成有凹槽結(jié)構(gòu)；測(cè)試結(jié)構(gòu)，適于對(duì)所述芯片區(qū)域進(jìn)行電性能測(cè)試，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括第一測(cè)試部和第二...

一種圖形修正方法，包括：提供待修正版圖，所述待修正版圖包括若干待修正圖形；對(duì)待修正版圖進(jìn)行曝光顯影，獲取光刻版圖，所述光刻版圖包括若干光刻圖形，所述光刻圖形與所述待修正圖形一一對(duì)應(yīng)；獲取光刻圖形的三維輪廓；判斷所述三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生...

一種圖形測(cè)量方法，包括：提供待量測(cè)結(jié)構(gòu)，包括第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)；獲取待量測(cè)結(jié)構(gòu)的電鏡掃描圖片，包括與第一結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的第一圖形和與第二結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的第二圖形；獲取第一結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的第一模擬曝光版圖，包括第一曝光圖形，第一曝光圖形與第一圖形的尺寸誤差...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底，襯底包括柵極區(qū)、以及位于柵極區(qū)兩側(cè)的源漏區(qū)；在柵極區(qū)上形成初始柵極結(jié)構(gòu)，初始柵極結(jié)構(gòu)包括初始柵介質(zhì)層、以及位于初始柵介質(zhì)層上的初始柵極層；在初始柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)，側(cè)墻結(jié)構(gòu)包括位于第一側(cè)...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括襯底、形成在所述襯底上的有源器件，其中，所述有源器件包括互連區(qū)；在所述有源器件上形成第一介質(zhì)層和位于所述第一介質(zhì)層上的第一掩膜層，所述第一掩膜層具有第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口在...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在襯底上形成初始第一掩膜層以及位于初始第一掩膜層上的第一介質(zhì)層，第一介質(zhì)層內(nèi)具有初始開(kāi)口，初始開(kāi)口暴露出初始第一掩膜層表面；采用第一刻蝕工藝在初始開(kāi)口暴露出的初始第一掩膜層內(nèi)形成第一微溝槽，第一...

本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例提供一種光罩吸具，包括吸附組件和控制組件，其中：所述控制組件，與所述吸附組件耦接，適于響應(yīng)于吸附控制信號(hào)，抽吸所述吸附組件中的氣體，形成負(fù)壓環(huán)境；所述吸附組件，適于在負(fù)壓環(huán)境下，吸附光罩。采用上述光罩吸具，能夠提高光罩的取...

一種檢測(cè)方法，包括：提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)內(nèi)具有摻雜離子；對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行取樣處理，獲取測(cè)試樣品，所述測(cè)試樣品包括測(cè)試端和接電端，所述測(cè)試樣品的測(cè)試端包括第一摻雜區(qū)；采用原子探針斷層分析術(shù)獲取第一摻...

一種液體凈化系統(tǒng)及凈化方法，包括：具有腔室的殼體；脫氣裝置，設(shè)于所述腔室內(nèi)，用于去除液體中氣體；脫陽(yáng)離子裝置，所述脫陽(yáng)離子裝置的至少一部分位于所述腔室內(nèi)，用于去除液體中陽(yáng)離子；脫陰離子裝置，所述脫陰離子裝置的至少一部分位于所述腔室內(nèi)，用...

本發(fā)明公開(kāi)一種埋柵式非對(duì)稱(chēng)可重構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)高頻晶體管及其制備方法。本發(fā)明晶體管包括襯底、溝道層、第一柵極介質(zhì)層、第二柵極介質(zhì)層、控制柵極、極性柵極、保護(hù)層、源極電極區(qū)、漏極電極區(qū)；溝道層上方的一側(cè)刻蝕有一凹槽，并在所述凹槽上方生長(zhǎng)第一柵極介...

本發(fā)明公開(kāi)一種具有連貫P?Top層的橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管。本發(fā)明采用縱向P型注入層段的兩端分別位于第一淺槽隔離區(qū)、第二淺槽隔離區(qū)下方，并利用縱向P型注入層段與橫向P型注入層段連接的方式形成連貫的P型注入層，將器件表面的低阻路...

本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底上具有柵極結(jié)構(gòu)；在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成柵極側(cè)墻，形成所述柵極側(cè)墻的步驟包括：在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成第一側(cè)墻；在含氧環(huán)境氣氛下，采用第一反應(yīng)源氣體，在所述...

本發(fā)明公開(kāi)一種厚片功率器件的導(dǎo)通電阻測(cè)試方法及測(cè)試結(jié)構(gòu)。本發(fā)明導(dǎo)通電阻測(cè)試結(jié)構(gòu)包括洗邊處理后晶圓，以及金屬化外延層；所述金屬化外延層位于晶圓的洗邊處理后暴露的襯底區(qū)域上；測(cè)試時(shí)，所述金屬化外延層作為漏極接入點(diǎn)，晶圓上各芯片的源極、柵極分...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種研磨頭、研磨設(shè)備及研磨方法，所述研磨頭，包括：研磨頭支架；第一研磨套，承載于所述研磨頭支架內(nèi)，所述第一研磨套包括：基膜，適于沿所述第一研磨套的軸向發(fā)生彈性形變，通過(guò)第一研磨套研磨時(shí)，所述基膜的正面與待研磨的晶圓接觸；...