本發(fā)明涉及電子材料與器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及基于鈮酸鋰的壓電超聲波換能器傳輸角評估方法及系統(tǒng)，所述方法包括：獲取目標(biāo)切型鈮酸鋰晶體標(biāo)準(zhǔn)坐標(biāo)系下的物理參數(shù)矩陣；根據(jù)預(yù)設(shè)旋轉(zhuǎn)軸和不同傳輸角對物理參數(shù)矩陣進(jìn)行旋轉(zhuǎn)變換；根據(jù)旋轉(zhuǎn)變換后的物理參數(shù)矩...

本發(fā)明公開了一種循環(huán)冗余校驗碼寄存器初始狀態(tài)反衍方法，通過循環(huán)冗余校驗碼的生成多項式g(x)和編碼后的碼字c逆向逐比特計算出循環(huán)冗余校驗碼編碼器寄存器的初始比特。首先，從碼字c＝[c<subgt;0</subgt;,c<...

本申請涉及檢測設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種板簧裝夾裝置及板簧剛度檢測設(shè)備，裝置包括基板；固定定位組件，固定定位組件連接于基板，固定定位組件包括第一底板、第一壓板、第一緊固件以及第一定位柱，其中，第一緊固件用于調(diào)整第一壓板和第一底板之間的間隙...

本發(fā)明公開了一種微波線路吸波負(fù)載，包括：傳輸線；傳輸線的一端為輸入端，傳輸線的另一端為終端短路面；設(shè)置于傳輸線中輸入端與終端短路面之間的人工表面等離激元線路；人工表面等離激元線路包括延伸至傳輸線內(nèi)的多個枝節(jié)，沿傳輸線的傳輸方向，枝節(jié)在傳...

本發(fā)明涉及傳感器技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種具有在線檢測功能的微慣性開關(guān)，該微慣性開關(guān)在第一結(jié)構(gòu)層的質(zhì)量塊上側(cè)以及第二結(jié)構(gòu)層下側(cè)分別設(shè)置第一極板和第二極板形成檢測電容器組，通過檢測檢測電容器組容值從而了解第一極板和第二極板之間的間隔距離或正對面...

本發(fā)明公開了一種倍頻式功率合成結(jié)構(gòu)及太赫茲設(shè)備，應(yīng)用于太赫茲技術(shù)領(lǐng)域，包括輸入E面T/Y型結(jié)和輸出E面T/Y型結(jié)；輸入E面T/Y型結(jié)具有兩路支路，兩路支路中信號的電場極性相反；一支路通過一倍頻單元連接輸出E面T/Y型結(jié)的一輸入端，另一支...

本發(fā)明公開了一種面向微尺度硅基應(yīng)力傳感器的原位校準(zhǔn)裝置及方法，該裝置包括：四點(diǎn)彎加載結(jié)構(gòu)、力加載控制單元、微尺度硅基應(yīng)力傳感器校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)、電橋測試單元和上位機(jī)控制系統(tǒng)；發(fā)明結(jié)合微型四點(diǎn)彎加載結(jié)構(gòu)及含應(yīng)力傳感器的原位校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，且原位校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)...

本發(fā)明公開了一種陶瓷饋通的制造方法陶瓷饋通，所述的制造方法包括如下步驟：a.制造具有通孔的陶瓷零件；b.制造與陶瓷零件通孔尺寸配合的金屬陶瓷零件；c.制造玻璃釬料；d.裝配陶瓷零件與金屬陶瓷零件，并在通孔裝配間隙內(nèi)預(yù)置釬料；e.將組合好...

本發(fā)明公開了一種無需臺面隔離的半導(dǎo)體器件去嵌提參方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該去嵌提參方法所用結(jié)構(gòu)包括：整面一體設(shè)置的底部導(dǎo)電介質(zhì)層，底部導(dǎo)電介質(zhì)層的一側(cè)表面包括有源區(qū)域和剩余區(qū)域；部分有源區(qū)域在厚度方向上的第一端設(shè)置有頂部導(dǎo)電介質(zhì)層，...

本發(fā)明提供一種空中紅外暗弱小運(yùn)動目標(biāo)檢測方法，包括：獲取待檢測圖像組；基于分組卷積核、Transformer模塊和卷積核的多幀信號自適應(yīng)累積模塊，對所述待檢測圖像組進(jìn)行自適應(yīng)累積信號，得到表征增強(qiáng)的圖像特征矩陣；通過預(yù)設(shè)的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)Y...

本發(fā)明涉及多層復(fù)合材料缺陷檢測技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種超高分辨率的多層結(jié)構(gòu)界面分層超聲檢測方法，包括：構(gòu)建多層結(jié)構(gòu)界面及其網(wǎng)格模型，將每個網(wǎng)格點(diǎn)設(shè)為采集點(diǎn)，通過配置激勵信號，獲取每個采集點(diǎn)的原始回波信號，并確定基準(zhǔn)信號和平移窗口參數(shù)，在每...

本發(fā)明公開了一種波導(dǎo)微帶探針過渡結(jié)構(gòu)以及太赫茲固態(tài)器件，該波導(dǎo)微帶探針過渡結(jié)構(gòu)用于傳導(dǎo)太赫茲波，包括：具有長方體結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；其中，所述波導(dǎo)結(jié)構(gòu)用于沿設(shè)定傳導(dǎo)方向傳導(dǎo)太赫茲波；嵌入至所述波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的短路面中的微帶線腔體，其中，所述短路面...

本發(fā)明公開了一種氧化鋁陶瓷零件表面涂層的制備方法，包括以下步驟：a.完全覆蓋氧化鋁陶瓷零件，對容器進(jìn)行振動處理，使氧化鉻粉體對氧化鋁陶瓷零件的覆蓋充分；b.將被氧化鉻粉體覆蓋的氧化鋁陶瓷零件放置于爐子內(nèi)，加熱至特定溫度T1，并保溫特定時...

本發(fā)明涉及傳感器技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種壓阻式傳感器及其加工方法，該加工方法至少采用5層SOI硅片制備獲得壓阻式傳感器。其中，在5層SOI硅片的第一硅層中制備壓敏電阻；在5層SOI硅片的第三硅層中制備硅島形成第三結(jié)構(gòu)層；再去除第一硅層多余部...

本發(fā)明屬于微電子機(jī)械系統(tǒng)領(lǐng)域，提供一種壓阻式壓力傳感器及其制備方法。傳感器采用5層SOI硅片100和普通硅片200制成。制備方法包括步驟：S02：在5層SOI硅片的第一結(jié)構(gòu)層上刻蝕形成島狀結(jié)構(gòu)；S02：使普通硅片的上下表面氧化形成氧化膜...

本發(fā)明提供一種關(guān)鍵點(diǎn)檢測方法，包括：通過待檢測目標(biāo)的引導(dǎo)信息在待檢測圖像中確定出所述待檢測目標(biāo)的引導(dǎo)目標(biāo)區(qū)域，所述待檢測圖像中包括所述待檢測目標(biāo)；通過訓(xùn)練好的關(guān)鍵點(diǎn)檢測網(wǎng)絡(luò)對所述引導(dǎo)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行關(guān)鍵點(diǎn)檢測，得到所述待檢測目標(biāo)的第一關(guān)鍵點(diǎn)...

本技術(shù)公開了一種適用于涉密計算機(jī)USBkey的護(hù)套鎖，涉及涉密計算機(jī)的USBkey，其目的在于提供一種適用于涉密計算機(jī)USBkey的護(hù)套鎖。其包括轉(zhuǎn)接頭和主體；轉(zhuǎn)接頭的一側(cè)開設(shè)有插接口，插接口內(nèi)設(shè)有插接口，轉(zhuǎn)接頭的另一側(cè)連接有延長線；轉(zhuǎn)...

本發(fā)明涉及中子水分儀技術(shù)領(lǐng)域，提供一種插入型中子水分儀，包括殼體、探測器控制模塊、探測器、屏蔽體以及中子發(fā)生器，殼體上設(shè)有引線接口；中子發(fā)生器包括可拆卸地設(shè)于殼體內(nèi)的中子發(fā)生器外殼和設(shè)于中子發(fā)生器外殼內(nèi)的中子發(fā)生器控制模塊，中子發(fā)生器外...

本發(fā)明提供一種TI?ADC數(shù)據(jù)非線性誤差補(bǔ)償方法，包括：獲取M通道TI?ADC采樣系統(tǒng)輸出的采樣信號以及所述采樣信號的非線性分量；將所述采樣信號以及所述非線性分量輸入到訓(xùn)練好的誤差補(bǔ)償模型中進(jìn)行誤差補(bǔ)償處理，輸出得到誤差補(bǔ)償后的理想信號...

本申請公開了一種太赫茲通信收發(fā)系統(tǒng)，屬于無線通信技術(shù)領(lǐng)域。該太赫茲通信收發(fā)系統(tǒng)，基于RTD芯片的非線性振蕩特性，經(jīng)過處理后的基帶信號和偏置器中的驅(qū)動信號送入RTD芯片的負(fù)性微分電阻區(qū)，可同時完成太赫茲信號的產(chǎn)生和調(diào)制；調(diào)制后的太赫茲信號...