本申請?zhí)峁┝艘环N碳化硅器件的高溫耐壓極限值的確定方法和系統(tǒng)，該方法由于將高溫烘箱的溫度調(diào)節(jié)為預設最高工作結(jié)溫，并以不斷提高直流源模組輸出的反向偏壓為基準，對測試組不斷施加反向偏壓，從而實現(xiàn)了高溫耐壓極限值的測試目的，另外在每次對測試組施...

本公開涉及一種焦燒測試裝置及焦燒測試方法，涉及高分子加工技術(shù)領域。所述焦燒測試裝置包括：擠出模塊和焦燒模塊。擠出模塊上設有進料口。擠出模塊的一端設有擠出口。焦燒模塊包括焦燒模具。焦燒模具的進口端與擠出口相連接。焦燒模具的出口端與出料口相...

本申請?zhí)峁┝艘环N待測碳化硅器件的柵極氧化層失效的測試方法和系統(tǒng)。該方法根據(jù)柵極漏電流映射關系和閾值電壓映射關系，確定目標待測碳化硅器件的極限柵壓、基準柵極漏電流和目標斜坡電壓，從而得以精確地得到判斷待測碳化硅器件的柵極氧化層是否失效的所...

本發(fā)明提供了一種半導體封裝結(jié)構(gòu)，其中，半導體封裝結(jié)構(gòu)包括：封裝殼，包括基板以及與基板連接的圍板；半導體芯片，與基板連接；第一端子，與半導體芯片的第一側(cè)連接；第二端子，與半導體芯片的第二側(cè)連接；絕緣加強部，與圍板連接，絕緣加強部包括第一絕...

本發(fā)明提供了一種半導體封裝結(jié)構(gòu)，包括：殼體，包括基板；第一半導體芯片，與基板連接；第一金屬連接部，連接在基板和第一半導體芯片之間并與第一半導體芯片的第一極電連接；第二金屬連接部，與第一金屬連接部間隔設置，第二金屬連接部與基板連接并與第一...

本申請涉及一種換流閥組部件的測試電路以及測試方法，該測試電路包括：至少一個第一電流模塊、至少一個第二電流模塊、至少一個模塊開關和待測裝置。其中，第一電流模塊與待測裝置并聯(lián)連接，第二電流模塊通過對應的模塊開關與待測裝置并聯(lián)連接，第一電流模...

本申請?zhí)峁┮环N熔鹽系統(tǒng)以及熔鹽系統(tǒng)的控制方法，可以為熔鹽系統(tǒng)的釋能部分伴熱的同時，實現(xiàn)機組快速產(chǎn)汽以支撐燃煤機組快速升負荷，具有經(jīng)濟性以及安全性。熔鹽系統(tǒng)包括熔鹽儲能部分和熔鹽釋能部分，所述熔鹽儲能部分包括高溫熔鹽罐和低溫熔鹽罐，所述熔...

本申請?zhí)峁┮环N鍋爐煙氣驅(qū)動的煙氣熔鹽換熱系統(tǒng)三維結(jié)構(gòu)以及控制方法，包括：鍋爐；第一級網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)，包括至少兩個連接于不同溫區(qū)煙道段的取煙煙道；第二級網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)，包括多個煙氣?熔鹽換熱單元、多級煙氣分流母管，末級的煙氣分流母管的出口和煙氣?熔鹽...

本公開涉及一種門極換流晶閘管芯片及其制備方法，涉及半導體技術(shù)領域。所述門極換流晶閘管芯片的制備方法，包括以下步驟：提供襯底；向襯底的上表面進行第一型摻雜形成第一型基區(qū)，向襯底的下表面進行第一型摻雜形成第一型陽極區(qū)；向第一型基區(qū)的上表面進...

一種電流源型功率半導體器件的驅(qū)動方法、器件、電路及電子設備，屬于電源管理技術(shù)領域。所述電流源型功率半導體器件的驅(qū)動方法應用于耗盡型元器件，包括：響應于器件開通指令，通過電源管理模塊向開通模塊內(nèi)開關元器件輸入正偏電壓，向維持模塊內(nèi)開關元器...

一種功率半導體器件的終端結(jié)構(gòu)、制造方法及功率半導體器件，屬于半導體器件技術(shù)領域。所述終端結(jié)構(gòu)中的P基區(qū)為JTE結(jié)構(gòu)；所述終端結(jié)構(gòu)為負斜角結(jié)構(gòu)。其中，JTE結(jié)構(gòu)包括多個連續(xù)的JTE區(qū)，JTE區(qū)在表面位置處的摻雜濃度是連續(xù)的，在JTE區(qū)底部...

一種用于晶圓鍵合的鍵合夾具及采用其的鍵合設備和方法，屬于半導體器件技術(shù)領域。所述用于晶圓(102)鍵合的鍵合夾具(100)包括托盤(1)、限位塊(2)、剛性墊塊(3)和擋板(4)；通過所述鍵合夾具(100)實現(xiàn)對晶圓進行徑向和豎向的定位...

一種功率半導體器件芯片、其制備方法、對應器件及電子設備，屬于半導體設計和制造技術(shù)領域。所述功率半導體器件芯片，包括形成在基區(qū)上的門極接觸環(huán)和呈環(huán)狀排列的陰極梳條，每一個陰極梳條與對應的基區(qū)之間形成有波浪結(jié)；其中，與門極接觸環(huán)距離最遠的波...

一種金屬層結(jié)構(gòu)的制備方法、得到的產(chǎn)品及芯片制造方法，屬于半導體制造工藝領域。所述金屬層結(jié)構(gòu)的圖形化制備方法包括：在基底上形成第一可剝離介質(zhì)層；在其上形成第二可剝離介質(zhì)層；對兩個可剝離介質(zhì)層圖案化，形成“檐”狀雙層剝離結(jié)構(gòu)；在雙層剝離結(jié)構(gòu)...

本申請涉及一種功率器件的驅(qū)動電路、驅(qū)動方法和功率器件。所述驅(qū)動電路包括：開通模塊、門極模塊和陰極模塊；其中，陰極模塊的第一端與功率器件中的功率半導體的陰極連接，陰極模塊的第二端分別與開通模塊和門極模塊的第二端連接；開通模塊的第一端與功率...

本申請?zhí)峁┮环N半導體器件及半導體器件的制備方法。半導體器件包括：陽極金屬層；有源層，位于陽極金屬層的一側(cè)，包括沿厚度方向依次堆疊形成的陽極區(qū)、第一基區(qū)、第二基區(qū)、第三基區(qū)和陰極區(qū)，第三基區(qū)包括多個第一摻雜區(qū)，不同的第一摻雜區(qū)在半導體器件...

本公開涉及一種功率半導體器件及其控制方法。該功率半導體器件包括：芯片單元和輔助封裝結(jié)構(gòu)。芯片單元包括導通優(yōu)化區(qū)域和關斷優(yōu)化區(qū)域。輔助封裝結(jié)構(gòu)包括至少與所述關斷優(yōu)化區(qū)域連接的輔助關斷組件。其中，所述芯片單元被配置為：在開通模式下于所述導通...

本公開涉及一種等效應用工況實驗電路及其實驗方法。所述等效應用工況實驗電路，包括：待測裝置和可控電源系統(tǒng)。可控電源系統(tǒng)連接于待測裝置的兩端，被配置為：在待測裝置為阻斷狀態(tài)時，于待測裝置的兩端產(chǎn)生可控電壓應力；以及，在待測裝置為導通狀態(tài)時，...

本公開涉及一種門極絕緣座及其使用方法、門極組件、半導體器件。門極絕緣座包括：絕緣基座及輻條引導裝配通道。絕緣基座包括底座以及設置于底座的頂面上的內(nèi)壁和外壁。輻條引導裝配通道包括輻條進入缺口、輻條旋合卡槽和旋轉(zhuǎn)導向槽。輻條進入缺口自底座的...

本公開涉及一種門極換流晶閘管單元及其制備方法、半導體器件，包括：從陽極金屬到陰極金屬依次排列的陽極區(qū)、緩沖區(qū)、第一初始基區(qū)、第二初始基區(qū)、陰極區(qū)；第一摻雜基區(qū)和第二摻雜基區(qū)，分別位于第二初始基區(qū)頂部的兩側(cè)；第一門極金屬，至少部分位于第一...