本申請(qǐng)涉及一種晶圓的封裝結(jié)構(gòu)、功率器件以及晶圓封裝結(jié)構(gòu)的鍵合方法，該封裝結(jié)構(gòu)包括依次層疊的陰極金屬片、晶圓、納米材料膜和陽極金屬片；納米材料膜中包括至少一層過渡層；過渡層的材料為彈性材料。上述封裝結(jié)構(gòu)中，通過在納米材料膜中設(shè)置具有彈性形...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N插拔連接結(jié)構(gòu)、門極驅(qū)動(dòng)板以及可關(guān)斷晶閘管器件。插拔連接結(jié)構(gòu)設(shè)置為電極彈性連接結(jié)構(gòu)，插拔連接結(jié)構(gòu)用于實(shí)現(xiàn)所述可關(guān)斷晶閘管器件的管殼連接板與門極驅(qū)動(dòng)板之間的連接；插拔連接結(jié)構(gòu)包括彼此電極彈性連接的第一插拔端和第二插拔端。門極...

一種晶閘管器件、芯片及其制備方法。其中，所述晶閘管器件的制備方法包括以下步驟：在半導(dǎo)體層的陰極面制備臺(tái)面結(jié)構(gòu)；在所述半導(dǎo)體層的陰極面及陽極面制備P型摻雜結(jié)構(gòu)；在所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)制備N型摻雜結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的技術(shù)方案通過陰極臺(tái)面結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)摻雜擴(kuò)散結(jié)...

本申請(qǐng)涉及一種雙層絕緣界面晶體形態(tài)及其形成過程的觀測(cè)方法及觀測(cè)設(shè)備。所述觀測(cè)方法包括：獲取第一絕緣片和第二絕緣片，將第一絕緣片和第二絕緣片平行壓合于載玻片與蓋玻片之間以獲得待觀測(cè)件；將待觀測(cè)件放置于溫控器件，并控制溫控器件按照預(yù)設(shè)溫控參...

本發(fā)明涉及用于測(cè)試芯片的電學(xué)測(cè)試模塊、測(cè)試裝置和測(cè)試方法。所述電學(xué)測(cè)試模塊所述電學(xué)測(cè)試模塊包括沿豎直方向由下至上依次疊置的觸點(diǎn)陣列層、地線層、至少兩個(gè)信號(hào)線層、信號(hào)電源層、驅(qū)動(dòng)電源和貼片元件層；電學(xué)測(cè)試模塊提供如下的電路：觸點(diǎn)僅在所述至...

一種功率半導(dǎo)體器件及其制備方法。所述功率半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體層、合金層、門極金屬層和門極引出端，所述合金層、門極金屬層、門極引出端均設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的陰極面上，所述合金層設(shè)置于所述半導(dǎo)體層與所述門極金屬層之間，所述合金層的厚度呈梯度分...

一種可關(guān)斷晶閘管的驅(qū)動(dòng)電源管理方法、電路、可關(guān)斷晶閘管芯片和電子設(shè)備，屬于電源管理技術(shù)領(lǐng)域。所述驅(qū)動(dòng)電源管理方法應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)控制電路，所述驅(qū)動(dòng)控制電路包括開通模塊和關(guān)斷模塊，所述開通模塊和關(guān)斷模塊均與待驅(qū)動(dòng)的可關(guān)斷晶閘管的門極相連接，用于...

一種用于功率半導(dǎo)體器件的電極、其制造方法及功率半導(dǎo)體器件。電極包括電極主體和蓋板；電極主體設(shè)有間隔開的多個(gè)盲孔，盲孔的開口端位于電極主體的上表面，每個(gè)盲孔內(nèi)設(shè)有一個(gè)毛細(xì)微管，并且盲孔內(nèi)容納有冷卻介質(zhì)；蓋板設(shè)置在電極主體的上表面上，以密封...

一種功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路、功率半導(dǎo)體器件及其應(yīng)用。其中，功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路包括開通模塊、第一關(guān)斷模塊、保護(hù)模塊，所述開通模塊、所述第一關(guān)斷模塊和所述保護(hù)模塊并聯(lián)連接在所述功率半導(dǎo)體器件的門極和陰極之間，其中，所述保護(hù)模...

本申請(qǐng)涉及一種錳鈷尖晶石涂層的制備方法，(a)、準(zhǔn)備金屬前驅(qū)體粉末，金屬前驅(qū)體粉末為錳粉與鈷粉；(b)、配置金屬前驅(qū)體懸濁液；(c)、加熱基體至指定溫度，使金屬前驅(qū)體懸濁液分散劑可以在基體表面充分氣化；(d)、使用高壓霧化噴涂、旋轉(zhuǎn)霧化...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路、驅(qū)動(dòng)保護(hù)方法及其應(yīng)用，所述驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路包括：并聯(lián)于功率半導(dǎo)體器件的門極與陰極之間的開通模塊和關(guān)斷模塊，所述關(guān)斷模塊包括：開關(guān)組以及關(guān)斷電容組，所述開關(guān)組與所述關(guān)斷電容組串聯(lián)；所述開關(guān)組中，所...

一種功率半導(dǎo)體芯片的終端結(jié)構(gòu)、制造方法及功率器件，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。所述終端結(jié)構(gòu)位于功率半導(dǎo)體芯片的邊緣部分，與芯片有源區(qū)相接；所述終端結(jié)構(gòu)表面具有一斜面結(jié)構(gòu)，使得所述終端結(jié)構(gòu)部分與所述芯片的第一主面形成一負(fù)角；在終端的斜面結(jié)構(gòu)部...

本申請(qǐng)涉及一種管殼組件及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，管殼組件包括具有第一熱膨脹系數(shù)的第一電極、具有第二熱膨脹系數(shù)的過渡環(huán)結(jié)構(gòu)以及具有第三熱膨脹系數(shù)的第一法蘭環(huán)結(jié)構(gòu)，過渡環(huán)結(jié)構(gòu)位于第一電極的周側(cè)邊緣，第一法蘭環(huán)結(jié)構(gòu)固定連接于過渡環(huán)結(jié)構(gòu)朝向第一電...

一種功率半導(dǎo)體器件及其制備方法。所述功率半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體層、門極引出端和門極網(wǎng)，其中，所述門極引出端和門極網(wǎng)設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的陰極面上，所述門極網(wǎng)與所述半導(dǎo)體層的接觸電阻根據(jù)門極網(wǎng)與所述門極引出端的距離遠(yuǎn)近呈梯度分布，距離所述門極...

本申請(qǐng)涉及一種換流閥組部件的測(cè)試電路以及測(cè)試方法，測(cè)試電路包括：第一單相橋式電路、第二單相橋式電路和第一電感，第一單相橋式電路的第一輸出端與第二單相橋式電路的第二輸出端連接，第一單相橋式電路的第二輸出端與待測(cè)換流閥組部件的一端連接，第二...

本申請(qǐng)涉及一種高阻斷能力的功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、制備方法以及功率器件。所述方法包括：包括基區(qū)，浮結(jié)區(qū)，浮結(jié)區(qū)位于基區(qū)中，浮結(jié)區(qū)包括至少一個(gè)浮結(jié)；浮結(jié)區(qū)的摻雜類型與基區(qū)的摻雜類型相反，且浮結(jié)區(qū)的摻雜濃度大于基區(qū)的摻雜濃度；浮結(jié)區(qū)，用于改變功率半...

本發(fā)明公開一種基于直吹式煤粉鍋爐的制粉及燃燒系統(tǒng)，包括大出力磨煤組、小出力磨煤組、大功率燃燒器組和小功率燃燒器組；大出力磨煤組包括多套相匹配的第一原煤倉、第一給煤機(jī)和大出力磨煤機(jī)；小出力磨煤組包括多套相匹配的第二原煤倉、第二給煤機(jī)和小出...

本發(fā)明涉及一種聚乙烯組合物及其制備方法、電纜、應(yīng)用。上述聚乙烯組合物包括質(zhì)量比為1000：（1~100）的高壓聚乙烯和端基雙鍵聚乙烯，所述端基雙鍵聚乙烯的結(jié)構(gòu)式為，n為10~200的正整數(shù)。上述聚乙烯組合物較高壓聚乙烯而言，具有高乙烯基...

本公開涉及一種功率半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述功率半導(dǎo)體器件包括：有源區(qū)、門極接觸環(huán)區(qū)和終端區(qū)。所述功率半導(dǎo)體器件還包括復(fù)合陽極區(qū)。復(fù)合陽極區(qū)包括：位于有源區(qū)且沿豎直方向自下而上分布的第一陽極區(qū)和第二陽極區(qū)，以及位于門極接觸環(huán)區(qū)和終端區(qū)...

一種高壓電纜軟接頭、其絕緣界面強(qiáng)化方法與系統(tǒng)。所述高壓電纜軟接頭絕緣界面強(qiáng)化方法包括：在形成恢復(fù)絕緣層之前，使用等離子體源，對(duì)高壓電纜的反應(yīng)力錐的表面進(jìn)行刻蝕處理，增大反應(yīng)力錐的表面粗糙度。本申請(qǐng)的絕緣界面強(qiáng)化方法，從源頭上避免了小分子...