本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體器件及其制作方法，功率半導(dǎo)體器件包括至少一個門極換流晶閘管單元，門極換流晶閘管單元包括第一導(dǎo)電類型基區(qū)，第一導(dǎo)電類型基區(qū)包括摻雜濃度不同的第一子基區(qū)、第二子基區(qū)和第三子基區(qū)，第一子基區(qū)和第二子基區(qū)獨立設(shè)置、通過第...

本公開涉及一種功率半導(dǎo)體器件及其制作方法，功率半導(dǎo)體器件包括：晶圓、金屬電極以及熱界面材料層，熱界面材料層設(shè)置在金屬電極和晶圓之間，金屬電極和晶圓通過熱界面材料層連接，熱界面材料層和金屬電極的接觸界面形成連續(xù)相結(jié)構(gòu)，熱界面材料層和晶圓的...

本申請涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法及半導(dǎo)體器件，其中，所述方法包括：提供半導(dǎo)體襯底和PI干膜；采用貼合工藝將PI干膜中的PI膠膜貼附于半導(dǎo)體襯底的表面；對PI干膜進(jìn)行圖形化處理；對完成貼合工藝以及圖形化處理后所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行固化處理，以在半...

本申請涉及一種門極連接元件、門極組件、晶閘管、功率半導(dǎo)體器件及電力設(shè)備，主體部具有第一表面和第二表面，第一表面的表面朝向為第一朝向，第二表面的表面朝向為第二朝向，第一朝向和第二朝向相反，形變部與主體部相連，形變部具有第一形變狀態(tài)和第二形...

本公開涉及一種電纜脫氣效果的檢測方法，包括：提供待測電纜，待測電纜具有絕緣層，切割待測電纜的絕緣層，得到待測樣品；將待測樣品浸沒在檢測液體中，加熱檢測液體至第一預(yù)設(shè)溫度，待測樣品中的副產(chǎn)物以氣體形式逸出待測樣品；收集待測樣品在第一預(yù)設(shè)時...

本公開涉及一種門極換流晶閘管及其制備方法、電子設(shè)備，門極換流晶閘管的至少一個功能單元包括疊層結(jié)構(gòu)、位于疊層結(jié)構(gòu)第一側(cè)且沿第一方向依次分布的第一門極、陰極、第二門極，以及位于疊層結(jié)構(gòu)的第二側(cè)的陽極；第一側(cè)、第二側(cè)為疊層結(jié)構(gòu)沿第二方向相互背...

本申請涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基區(qū)、陰極區(qū)、陰極電極和至少兩個門極電極；陰極區(qū)位于基區(qū)的一側(cè)的中央位置；陰極區(qū)的至少部分嵌設(shè)于基區(qū)內(nèi)；陰極電極位于陰極區(qū)背離基區(qū)的一側(cè)并與陰極區(qū)電性連接；陰極電極覆蓋陰極區(qū)的至少...

本發(fā)明公開燃煤發(fā)電機(jī)組及其控制方法，其中，燃煤發(fā)電機(jī)組包括鍋爐、汽輪機(jī)和給水蓄熱器，所述汽輪機(jī)包括汽缸組、凝汽器和除氧器，所述除氧器配置有第一出水管路，所述第一出水管路和所述給水蓄熱器相連，所述給水蓄熱器配置有第二出水管路和第一抽汽管路...

本申請公開了屬于發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域的一種應(yīng)用于發(fā)電系統(tǒng)的工況確定方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，該發(fā)電系統(tǒng)包括兩個儲能系統(tǒng)。在該方法中，獲取發(fā)電系統(tǒng)的系統(tǒng)參數(shù)以及自動發(fā)電控制AGC指令，利用所述系統(tǒng)參數(shù)和所述目標(biāo)負(fù)荷，確定調(diào)整參數(shù)，根據(jù)所述調(diào)整參數(shù)包...

本申請公開了應(yīng)用于發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域的飛輪容量的確定方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，應(yīng)用于包括飛輪系統(tǒng)以及火電機(jī)組的發(fā)電系統(tǒng)。獲取發(fā)電系統(tǒng)的設(shè)備參數(shù)以及模擬自動發(fā)電控制AGC指令，按照模擬AGC指令指示的目標(biāo)負(fù)荷以及目標(biāo)調(diào)節(jié)速率，基于設(shè)備參數(shù)模擬發(fā)電...

本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件。所述方法包括：提供半導(dǎo)體襯底結(jié)構(gòu)和金屬薄膜結(jié)構(gòu)；將所述半導(dǎo)體襯底結(jié)構(gòu)和所述金屬薄膜結(jié)構(gòu)中的至少一者加熱至貼合溫度；將所述半導(dǎo)體襯底結(jié)構(gòu)的部分表面與所述金屬薄膜結(jié)構(gòu)的部分表面相貼合；固定所述...

本申請涉及IGCT動態(tài)性能測試電路及裝置，通過IGCT測試主回路可為待測的IGCT器件施加測試電信號；各輔助電路分別通過對應(yīng)的開關(guān)器件連接IGCT測試主回路，在任意一個輔助電路與IGCT測試主回路之間的開關(guān)器件導(dǎo)通，其它輔助電路與IGC...

本申請涉及一種高關(guān)斷能力的功率半導(dǎo)體器件以及制備方法，該功率半導(dǎo)體器件包括至少一個單元胞結(jié)構(gòu)，每個單元胞結(jié)構(gòu)包括依次層疊的陽極結(jié)構(gòu)、基區(qū)結(jié)構(gòu)、陰極結(jié)構(gòu)、門極結(jié)構(gòu)。其中，基區(qū)結(jié)構(gòu)包括浮結(jié)區(qū)，浮結(jié)區(qū)的摻雜類型與基區(qū)結(jié)構(gòu)的摻雜類型相反，浮結(jié)區(qū)...

一種半導(dǎo)體器件芯片、其制造方法、半導(dǎo)體器件及電子設(shè)備，屬于功率半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域。所述半導(dǎo)體器件芯片包括門極，所述門極上具有不同于溝槽柵和隔離溝槽的溝槽結(jié)構(gòu)；所述半導(dǎo)體器件芯片為電子和空穴均以擴(kuò)散原理導(dǎo)通的雙極半導(dǎo)體器件芯片，或者晶閘管...

本申請涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，其中，半導(dǎo)體器件的制造方法包括：提供襯底；于所述襯底上形成擴(kuò)散源結(jié)構(gòu)，所述擴(kuò)散源結(jié)構(gòu)包括至少一具有摻雜元素的外延層，所述外延層形成于所述襯底上；基于所述擴(kuò)散源結(jié)構(gòu)于所述襯底內(nèi)形成擴(kuò)散層，其中，所述擴(kuò)...

本申請公開了發(fā)電設(shè)備的故障處理方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，獲取發(fā)電設(shè)備的故障描述信息，利用故障診斷模型處理故障描述信息，得到故障類型，再利用操作指導(dǎo)模型處理故障類型，得到故障處理回答文本，顯示故障處理回答文本。操作指導(dǎo)模型是基于發(fā)電設(shè)備的知...

本申請公開了一種抗浪涌電流碳化硅MOSFET及其制備方法，該MOSFET包括：襯底具有外延層，外延層背離襯底的一側(cè)具有第一表面，外延層具有肖特基接觸區(qū)；源柵結(jié)構(gòu)具有源極、柵極和氧化層，柵極和源極均與外延層間隔設(shè)置；摻雜區(qū)包括第一區(qū)域和第...

本發(fā)明公開了大溫差氣體混合、凈化、整流裝置，包括進(jìn)氣煙道、主筒體、變徑筒體和排氣筒體，所述進(jìn)氣煙道的進(jìn)氣方向與所述主筒體相切，所述排氣筒體下端伸入所述主筒體內(nèi)部，所述進(jìn)氣煙道具有包裹式進(jìn)氣煙道結(jié)構(gòu)，所述包裹式進(jìn)氣煙道結(jié)構(gòu)包括同軸的中心煙...

本申請?zhí)峁┮环N熔鹽泄漏檢測系統(tǒng)、煙氣熔鹽換熱系統(tǒng)、熔鹽泄漏檢測方法。熔鹽泄漏檢測系統(tǒng)，包括料筒以及第一檢測元件，所述料筒的入口能夠直接或間接地連通煙氣熔鹽換熱器下游的煙道，所述第一檢測元件用于檢測以獲得所述料筒內(nèi)的物料的實際重量；還包括...

本申請公開了一種熔鹽儲能系統(tǒng)，包括：熱熔鹽儲罐、冷熔鹽儲罐、蒸汽發(fā)生裝置、熔鹽流通管路，所述熔鹽流通管路連在所述熱熔鹽儲罐、所述蒸汽發(fā)生裝置和所述冷熔鹽儲罐之間，所述蒸汽發(fā)生裝置設(shè)有A接口和B接口，放熱模式下，所述A接口為給水進(jìn)口，所述...