本申請公開了一種脫氫裝置。本申請實施方式的脫氫裝置包括爐體、載臺和單晶坩堝，爐體形成有爐腔，載臺設置在爐腔內，單晶坩堝選擇性地設置在爐腔內，單晶坩堝具有圓弧狀堝底并設置在載臺上。如此，單晶坩堝內部的高純層純度較高，且不會發生掉粉和涂層脫...

本申請公開了一種坩堝和鑄錠爐。坩堝包括鍋邦和本體。本體可拆卸的設置在鍋邦內。其中，坩堝的側壁形成有通氣孔，通氣孔貫穿鍋邦和本體。如此，本申請實施方式通過在坩堝的側壁形成有通氣孔，并將通氣孔貫穿鍋邦和本體，使得坩堝對顆粒硅脫氫時，可以在保...

本申請公開了一種鑄錠爐，鑄錠爐包括坩堝、加熱器和吊臂。其中，坩堝用于填裝硅料，加熱器分布在坩堝的周側，吊臂設有調節機構，調節機構與加熱器連接以調節加熱器的高度。本申請實施方式的鑄錠爐通過在吊臂上設置調節機構，調節機構與加熱器連接，通過調...

本申請公開了一種鑄錠爐，鑄錠爐包括爐體、導流管和波紋管。其中，爐體形成有爐腔；導流管包括進氣端和出氣端，進氣端位于爐腔外，出氣端插入在爐腔內并且為自由端；波紋管套設在導流管外，波紋管沿自身長度方向上具有第一端和第二端，第一端與進氣端密封...

本發明提供了一種單晶爐，包括：爐體，爐體的上壁面設有加料孔；坩堝，坩堝設于爐體內；水冷屏；加料裝置，加料裝置包括加料器和加料組件，加料器設于爐體外，加料組件包括與加料器連通的加料管，加料管穿設于加料孔以伸入爐體內，導向裝置，導向裝置豎向...

本發明公開了一種單晶硅的放肩方法，所述單晶硅的放肩方法包括：控制單晶爐的功率在第一預設時間內降低到第一預設功率值；實時獲取單晶硅的直徑，且判斷在第一預設時間內，單晶硅的直徑是否達到第一預設直徑；若單晶硅的直徑未達到第一預設直徑，控制單晶...

本發明公開了一種用于單晶爐的防濺裝置和單晶爐，單晶爐包括坩堝和設于坩堝上方的水冷屏，水冷屏為環形，用于單晶爐的防濺裝置包括：防護件，防護件可拆卸地設于水冷屏內，防護件形成為環形且至少覆蓋水冷屏的靠近坩堝的一端的內周壁；加料筒組件，加料筒...

本發明公開了一種單晶爐和單晶爐的控制方法，單晶爐包括：坩堝；水冷屏，水冷屏設于坩堝上方，水冷屏為環形；防濺裝置，防濺裝置包括防護件，防護件可拆卸地設于水冷屏內，防護件形成為環形且至少覆蓋水冷屏的靠近坩堝的一端的內周壁。根據本發明的單晶爐...

本發明公開了一種用于單晶爐的防濺裝置和單晶爐，單晶爐包括坩堝和設于坩堝上方的水冷屏，水冷屏為環形，用于單晶爐的防濺裝置包括：防護件，防護件可拆卸地設于水冷屏內，防護件形成為環形且至少覆蓋水冷屏的靠近坩堝的一端的內周壁，防護件在厚度方向上...

本發明公開了一種單晶爐的控制方法，單晶爐包括坩堝和設于坩堝上方的水冷屏，單晶爐還包括防濺裝置，防濺裝置包括防護件和加料筒組件，控制方法包括：將加料筒組件的上端與單晶爐的籽晶繩連接，并將防護件與加料筒組件的下端初步配合；控制籽晶繩帶動加料...

本發明公開了一種用于單晶爐的防濺裝置，單晶爐包括坩堝和設于坩堝上方的水冷屏，水冷屏為環形，用于單晶爐的防濺裝置包括：防護件，防護件可拆卸地設于水冷屏內，防護件形成為環形且至少覆蓋水冷屏的靠近坩堝的一端的內周壁。根據本發明的用于單晶爐的防...

本發明公開了一種單晶爐，單晶爐包括：爐體，爐體的上壁面設有加料孔；坩堝，坩堝設于爐體內；水冷屏，水冷屏設于爐體內且位于坩堝上方；加料裝置，加料裝置包括加料器和加料組件，加料器設于爐體外，加料組件包括與加料器連通的加料管，加料管穿設于加料...

本發明公開了一種單晶爐的控制方法，單晶爐包括坩堝和設于坩堝上方的水冷屏，單晶爐還包括防濺裝置，防濺裝置包括防護件和吊桿組件，控制方法包括：將吊桿組件的上端與單晶爐的籽晶繩連接，并將防護件與吊桿組件的下端初步配合；控制籽晶繩帶動吊桿組件向...

本發明公開了一種多晶硅鑄錠工藝方法，包括以下步驟：裝料、抽真空階段、加熱階段、熔化階段和長晶階段，在裝料步驟中，向鑄錠爐的坩堝內裝入硅原料，在抽真空階段中，對鑄錠爐進行抽氣，在對鑄錠爐抽氣的過程中向鑄錠爐內充入氬氣，在抽真空階段結束后，...

本發明公開一種硅粉提純防粘鍋的噴涂工藝方法、坩堝和鑄錠爐，包括在坩堝的內壁涂覆氮化硅溶液以構造出氮化硅涂層；再在氮化硅涂層上涂覆硅溶膠，其中，再在氮化硅涂層上涂覆硅溶膠包括：獲取硅粉餅熔化后的重量和密度，其中，硅粉餅為由硅粉壓制成的餅體...

本發明公開了一種鑄錠爐的坩堝、坩堝的噴涂方法和坩堝的裝料方法，所述坩堝包括：坩堝本體，所述坩堝本體的內表面包括側壁和底壁；第一涂層，所述第一涂層覆蓋所述坩堝的底壁，所述第一涂層為不含硅溶膠的氮化硅涂層；第二涂層，所述第二涂層覆蓋所述坩堝...

本發明公開了一種袋裝粉料成型系統，袋裝粉料包括袋體和裝入袋體內的粉料，袋裝粉料成型系統包括：輸送裝置，輸送裝置包括第一輸送段和第二輸送段，第二輸送段位于第一輸送段在輸送方向上的下游；刺孔裝置，刺孔裝置設于第一輸送段，刺孔裝置包括用于刺穿...

本發明提供了一種坩堝的制備方法和具有其的坩堝及鑄錠爐，所述坩堝應用于鑄錠爐，所述制備方法包括：制備涂料，所述涂料包括氮化硅、硅溶膠、水和二氧化硅，且所述涂料的溶質中的氧元素的含量為8％?20％；將所述涂料涂覆于所述坩堝本體的內表面，以在...

本發明公開了一種鑄錠爐抽真空系統和用于其的控制方法，鑄錠爐抽真空系統包括第一泵體、抽氣管組和控制閥組，抽氣管組包括多個抽氣管，多個抽氣管均并聯在第一泵體和鑄錠爐之間，控制閥組包括多個控制閥，多個控制閥一一對應地設置在多個抽氣管上，多個控...

本技術公開了一種冷卻裝置和具有其的單晶爐，冷卻裝置包括：冷卻主體、環形管和輸送管，冷卻主體為環形，冷卻主體內部設有冷卻流道；環形管設置在冷卻主體的頂部，環形管上開設有多個導向孔，導向孔的開口朝向冷卻主體的內部；輸送管用于輸送氣體，輸送管...