本申請公開了一種光刻膠仿真模型的評估方法、設備、介質及產(chǎn)品，涉及光刻仿真技術領域。該光刻膠仿真模型的評估方法包括：獲取待評估光刻膠仿真模型的光刻膠參數(shù)與光學建模文件，光學建模文件中包括用于構建待評估光刻膠仿真模型的原始光學建模參數(shù)；根據(jù)...

本申請公開了一種光刻模型建立方法、設備、存儲介質及程序產(chǎn)品，涉及半導體技術領域。該方法包括：獲取光刻仿真流程中光刻膠的實際形貌量測數(shù)據(jù)以及與光刻仿真流程對應的光刻膠的N個物理化學效應函數(shù)；基于N個物理化學效應函數(shù)，建立初始光刻模型；基于...

本申請公開了一種芯片版圖的圖形尺寸測量方法、裝置、設備、介質及產(chǎn)品，涉及電子設計自動化技術領域。該芯片版圖的圖形尺寸測量方法包括：獲取芯片版圖的測量參數(shù)配置信息；根據(jù)測量參數(shù)配置信息，生成與芯片版圖對應的第一測量用例；根據(jù)第一測量用例，...

本申請公開了一種光刻膠模型的訓練方法、裝置、設備、介質及產(chǎn)品，應用于半導體制造領域。該方法多次在圖形數(shù)據(jù)集中選取不同的兩部分圖形數(shù)據(jù)組，以得到對應的多種選取結果。然后針對每種選取結果，基于圖形數(shù)據(jù)訓練子集訓練模型，并基于圖形數(shù)據(jù)驗證子集...

本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及一種圖形打斷方法、圖像處理方法、設備、介質及程序產(chǎn)品。圖形打斷方法用于光學鄰近校正，包括以下步驟：提供初始圖形，獲取初始圖形上的待處理側邊及位于待處理側邊兩側的端點；在待處理側邊上確定第一位置，在端點與...

本申請公開了一種圖像轉換方法、設備、計算機存儲介質及程序產(chǎn)品，涉及半導體技術領域。該方法包括：獲取目標二值化圖像，目標二值化圖像中包括N個封閉圖形；根據(jù)目標二值化圖像中像素點的二值化賦值信息，通過依次遍歷目標二值化圖像中的像素點，確定得...

本申請?zhí)峁┝艘环N光源掩膜協(xié)同優(yōu)化IRO模型的確定方法、裝置及設備，通過將預獲取的測試圖形輸入至初始IRO模型中，得到初始設計版圖對應的初始光源，測試圖形包括初始設計版圖中的關鍵圖形；根據(jù)初始光源，使用目標光刻膠對測試掩膜版進行光刻，得到...

本發(fā)明涉及一種光刻膠顯影速率模型的建模方法及相關產(chǎn)品。建模方法包括根據(jù)已獲取的掩模版圖的預設計算范圍內的掩模圖像，計算出預設計算范圍內的預設采樣窗口內的圖形密度圖；根據(jù)圖形密度圖計算獲得顯影速率調整模型；利用顯影速率調整模型對已獲取的基...

本申請公開了一種掩模版的設計圖形的生成方法、裝置、設備、介質及產(chǎn)品，該生成方法包括：獲取掩模版的待優(yōu)化版圖，待優(yōu)化版圖包括第一圖形和第二圖形，第一圖形為待優(yōu)化版圖中的主設計圖形，第二圖形為基于主設計圖形生成的多個亞分辨率輔助圖形；將第一...

本申請公開了一種設計規(guī)則檢查工具的驗證方法、裝置、設備、介質及產(chǎn)品，涉及芯片版圖的檢查技術領域。該設計規(guī)則檢查工具的驗證方法包括：根據(jù)芯片版圖設計規(guī)則檢查工具的工具屬性，構建與工具屬性對應的測試布局層次，工具屬性用于表征芯片版圖設計規(guī)則...

本申請公開了一種芯片版圖圖形的修正方法、裝置、設備、介質及產(chǎn)品，應用于光刻技術領域。該方法先基于第一初始值確定對應的目標刻蝕偏差序列；再基于第二初始值，從目標刻蝕偏差序列中確定對應的目標刻蝕偏差；最后基于目標刻蝕偏差對圖形進行修正。因為...

本申請公開了一種設計版圖的處理方法、裝置、設備、介質及程序產(chǎn)品，涉及光刻技術領域。該設計版圖的處理方法包括：根據(jù)設計版圖中各個空穴的第一搜索框，確定各個空穴的第一切割點；針對各第一切割點，在第一切割點在版圖坐標系中的坐標為非整數(shù)坐標的情...

本申請公開了一種調整設計版圖的方法、裝置、設備、介質及產(chǎn)品，應用于光刻技術領域。該方法，先根據(jù)整體壞點信息數(shù)據(jù)庫中各壞點在原始設計版圖上的分布密度進行聚類操作，將各壞點劃分至多個局部設計版圖。然后，對局部設計版圖進行調整得到目標局部設計...

本申請公開了一種用于訓練光刻膠模型的訓練樣本生成方法、裝置及設備。方法包括：獲取第一訓練樣本，第一訓練樣本包括第一掩模圖形及其對應的第一光刻膠標簽圖形；將第一訓練樣本輸入光刻膠模型，得到第一掩模圖形中的缺陷區(qū)域，缺陷區(qū)域為根據(jù)光刻膠模型...

本申請公開了一種版圖構造方法、裝置、設備、計算機存儲介質及程序產(chǎn)品，涉及半導體技術領域。該方法包括：基于符合版圖構造需求的目標測試圖案類型，確定目標測試圖案類型匹配的N個參數(shù)變量；基于M種參數(shù)變量組合，繪制M種參數(shù)變量組合一一對應的M個...

本申請公開了一種版圖缺陷位置的確定方法、裝置、設備、介質及程序產(chǎn)品，涉及半導體集成電路技術領域。該版圖缺陷位置的確定方法包括：從掩膜設計版圖的多個子版圖中確定與圖形庫中目標圖形的圖形特征相匹配的候選版圖；在候選版圖中按照預設采樣策略進行...

本申請公開了一種圖像對齊方法、裝置、設備、存儲介質及程序產(chǎn)品，涉及光刻仿真技術領域。該圖像對齊方法包括：獲取光刻仿真圖像與對應的顯微鏡圖像構成的疊圖圖像；根據(jù)疊圖圖像，分別確定顯微鏡圖像中的不同輪廓特征點與光刻仿真圖像中對應的匹配特征點...

本申請公開了一種光學模型的模型參數(shù)優(yōu)化方法、設備、存儲介質及產(chǎn)品，方法包括：基于光學模型的預設模型參數(shù)構建待測試的圖形對應的版圖文件；基于版圖文件執(zhí)行光學臨近校正和光刻規(guī)則檢查，得到對應的檢查結果；在檢查結果不滿足檢測通過條件的情況下，...

本申請公開了一種光源確定方法、設備、介質及產(chǎn)品，應用于光刻技術領域。該方法在光源平面上生成多個目標區(qū)域，并利用各目標區(qū)域的光源，在預設工藝條件下對目標掩膜圖形分別進行成像仿真，得到各局部的目標成像性能指標。然后，基于上述局部數(shù)據(jù)，生成整...

本申請公開了一種芯片版圖的拼接方法、裝置、設備及存儲介質，涉及光刻仿真技術領域，該芯片版圖的拼接方法包括：獲取芯片版圖的單個像素點尺寸；根據(jù)單個像素點尺寸以及圖像處理器的內存大小，確定每個子版圖的掩膜優(yōu)化尺寸，各子版圖是對芯片版圖進行切...