本申請涉及一種交聯聚乙烯絕緣料及其制備方法和應用，該交聯聚乙烯絕緣料包括以下原料：低密度聚乙烯、抗氧劑、交聯劑、第一防焦劑以及第二防焦劑，第一防焦劑包括烯烴類防焦劑、烯丙基取代酚類防焦劑和硫代碳酸酯類防焦劑中的一種或多種，第二防焦劑包括...

本申請公開了一種場效應晶體管及其制備方法，該場效應晶體管包括：襯底、漂移層、JEFT區、第一體區和阻擋層，其中漂移層位于襯底的一側，漂移層包括JFET區，漂移層背離襯底的一側具有第一表面，且漂移層具有第一摻雜類型；阻擋層位于JFET區中...

本發明提供了一種功率半導體封裝結構，包括：基板，具有間隔設置的第一導電層和第二導電層；功率模塊，位于第一導電層上，且功率模塊的漏極與第一導電層電連接；互連結構，位于功率模塊遠離基板的一側，功率模塊和基板通過互連結構電氣連接；源極連接器，...

本發明公開了阻隔層及其制備方法與固體氧化物電池，屬于固體氧化物電池技術領域。該阻隔層的制備方法包括：至少將鈰基氧化物粉體、助燒劑和溶劑混合均勻，得到一漿料；再將漿料旋涂于基底上，經燒結后，得到阻隔層。本發明的阻隔層是通過該制備方法制得的...

本申請公開了一種MOSFET器件的元胞結構及其制備方法，元胞結構包括：襯底；第一外延層，第一外延層在背離襯底的一側具有第一表面，第一外延層具有第一摻雜類型；第一摻雜區，位于第一外延層中，第一摻雜區由第一表面向襯底方向離子注入形成，第一表...

本申請公開了一種MOSFET器件及其制備方法，MOSFET器件包括：襯底；漂移層；第一JFET區沿第一方向延伸；第一阱區位于漂移層中，且第一阱區位于第一JFET區在第一方向上的一側；第一摻雜區位于第一阱區中，第一摻雜區與第一JFET區之...

本申請公開了一種場效應晶體管及其制備方法，該場效應晶體管包括：襯底、漂移層、硅基體區和柵極結構，其中，漂移層與襯底具有同一摻雜類型，漂移層背離襯底的一側具有第一表面；多個硅基體區位于漂移層的兩側，且硅基體區背離襯底一側的表面位于第一表面...

本發明提供了一種立體多界面互連夾具以及功率器件的制造方法，該立體多界面互連夾具用于對功率器件進行界面互連，功率器件包括襯板、芯片以及互連構件，立體多界面互連夾具包括：夾具本體；定位部，設置在夾具本體上，定位部能夠與襯板在橫向方向和豎向方...

本申請提供了一種正極性方波電源電路、待測器件的測試裝置與供電方法，正極性方波電源電路包括方波發生單元，方波發生單元包括多個級聯的半橋結構，各半橋結構包括高壓直流電源、儲能模塊、位于第一橋壁上的第一開關模塊以及第二橋壁上的第二開關模塊，高...

本發明提供了一種功率器件單元和半導體封裝結構，其中，功率器件單元包括：半導體芯片，半導體芯片的第一表面設置有源極，半導體芯片的第二表面設置有漏極；第一端子，包括第一連接板段以及與第一連接板段連接的第一引出板段，第一連接板段與源極導電連接...

本申請提供了一種功率器件的功率循環測試方法，包括：對待測功率器件進行初始檢測，得到初始閾值電壓，并對待測功率器件進行功率循環測試；在一次功率循環中待測功率器件關斷且待測功率器件結溫降至預設溫度條件的情況下，檢測得到待測功率器件的測試閾值...

本申請提供了一種芯片的檢測裝置與檢測方法，檢測裝置包括：檢測電路，包括電連接的電流源和多個第一開關器件，第一開關器件用于與待測模塊中的待測芯片一一對應電連接，各第一開關器件連接在電流源和待測芯片之間的連接支路上。該檢測裝置通過控制第一開...

本申請提供了一種碳化硅器件的雙極退化測試方法、碳化硅器件和系統，通過首次對目標碳化硅器件施加的初始脈沖電流為與目標碳化硅器件的規格對應的預設脈沖電流，從而使得首次對目標碳化硅器件施加的初始脈沖電流更加符合實際工況，采用第二通流時間和最大...

本發明提供了一種連接塊及具有其的功率器件，連接塊具有導電連接部和互連部，互連部包括多個互連單元，導電連接部和互連部沿第一方向間隔設置，多個互連單元沿第二方向間隔設置，第一方向和第二方向之間具有夾角。通過本申請提供的技術方案，能夠解決相關...

本發明提供了一種芯片組件，包括：芯片，芯片上設置有第一鍵合區；擴大結構，與第一鍵合區疊置設置，擴大結構包括絕緣基體及設置在絕緣基體上的第二鍵合區，第二鍵合區與第一鍵合區導電連接，第二鍵合區的面積大于第一鍵合區的面積。本申請的技術方案有效...

本發明提供了一種封裝結構及其制造方法、封裝模塊，其中，封裝結構，包括：基板上設置有功率端子導電部；封裝體設置在基板上并封裝功率端子導電部的第一區域，第一通孔結構露出功率端子導電部的第二區域；芯片結構并位于封裝體內；功率端子結構穿設在第一...

本發明提供了一種封裝結構，包括：外殼，包括基板；導電部，設置在基板上；第一芯片，設置在導電部上；第一功率端子，第一功率端子的第一端具有相互連接的芯片連接部及散熱部，芯片連接部與第一芯片連接，散熱部與基板散熱配合；第二功率端子，第二功率端...

本發明提供了一種功率器件，功率器件包括：襯板，襯板的上表面具有間隔設置的第一導電層、第二導電層以及第三導電層，第二導電層位于第一導電層和第三導電層之間；芯片組件，包括多個第一芯片和多個第二芯片，每個第一芯片的漏極均與第二導電層導電連接，...

本發明提供了一種功率器件，功率器件包括：第一橋臂結構，包括第一襯板、第二襯板以及第一芯片，第二襯板設置在第一襯板的上表面，第一芯片的漏極與第一襯板的上表面導電連接，第一芯片的源極與第二襯板的上表面導電連接；端子組件，包括第一功率端子和第...

本申請提供了一種對功率器件進行測試的方法與實現測試方法的測試電路，該方法包括：對待測器件的柵極施加負柵極電壓，并對待測器件的源極和漏極施加測試電壓，以對待測器件進行體二極管雙極退化測試；在對待測器件進行體二極管雙極退化測試完成之后，對待...