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    華海清科股份有限公司專利技術

    華海清科股份有限公司共有419項專利

    • 本發明公開了一種化學機械拋光系統和拋光方法,所述化學機械拋光系統包括:前置單元;拋光單元,其包括至少一個子拋光單元;清洗單元,用于清洗已拋光晶圓;所述拋光單元與清洗單元之間設置有橫向的傳輸機構,其端部鄰接于前置單元,使得晶圓在前置單元與...
    • 本發明公開了一種晶圓清洗裝置,其包括:箱體;夾持機構,設置于箱體中,以夾持待處理的晶圓;轉速測量機構,設置于箱體中,以測量晶圓轉速;所述轉速測量機構包括:檢測件,其鉸接于箱體中,所述檢測件的一端配置有轉輪,所述轉輪能夠抵接于晶圓外緣并感...
    • 本發明公開了一種拋光模組、拋光單元、拋光系統和拋光方法,所述拋光模組包括拋光盤,所述拋光盤側方配置至少兩個裝卸機構,拋光盤上方配置有拋光機構;所述拋光機構配置至少兩個承載頭,其能夠在拋光盤與裝卸機構之間移動,以傳輸晶圓;還包括供液臂,其...
    • 本申請公開了一種晶圓拋光系統、晶圓拋光方法以及晶圓拋光控制系統,晶圓拋光系統包括:晶圓拋光裝置、回收裝置;晶圓拋光裝置包括:拋光盤組件、至少三個拋光頭以及與拋光頭一一對應的供液組件,拋光頭用于在拋光盤組件上對晶圓進行拋光,供液組件用于為...
    • 本發明公開了一種承載頭和化學機械拋光系統,所述承載頭包括:樞軸座;承載盤,活動連接于樞軸座下方;彈性膜,設置于承載盤下方,用于裝載待拋光晶圓;保持環,固定于承載盤下方并位于彈性膜的外周側;平衡組件,包括樞軸和平衡架,所述樞軸滑動連接于樞...
    • 本申請公開了一種控制方法及系統、晶圓后處理裝置、介質或程序產品。晶圓后處理裝置包括用于清洗晶圓的清洗部件,晶圓后處理裝置的控制方法包括:確定晶圓的變形參數;根據清洗部件的預設運動方案和變形參數,確定清洗部件的控制距離;根據控制距離和預設...
    • 本發明公開了一種晶圓清洗裝置,其包括:箱體;夾持組件,設置于箱體中,用于夾持并驅動晶圓旋轉;清洗刷,連接于擺臂端部并隨其移動,以清潔晶圓;調節組件,與擺臂連接并調整其位姿,使得清洗刷的移動軌跡與晶圓形變相匹配。
    • 本發明公開了一種化學機械拋光系統和拋光方法,所述化學機械拋光系統包括前置單元、拋光單元和清洗單元,三者模塊化排列設置;所述拋光單元包括拋光盤和裝卸機構,所述裝卸機構設置于拋光盤的側方,用于晶圓的裝卸;所述拋光單元與清洗單元之間配置有翻轉...
    • 本發明公開了一種基板傳輸裝置和基板磨削裝備,所述基板傳輸裝置包括固定座
    • 本發明公開了一種晶圓后處理裝置,其包括:箱體;夾持組件,設置于箱體中,其能夠豎直夾持并帶動晶圓旋轉;防護組件,設置于所述夾持組件的外周側,其包括旋轉罩和固定罩,所述旋轉罩連接于夾持組件并位于待處理晶圓的外周側,所述固定罩同心設置于旋轉罩...
    • 本發明公開了一種基板傳輸裝置和基板磨削裝備,所述基板傳輸裝置包括安裝座,所述安裝座的上方設置有擺臂,其能夠相對于安裝座移動和
    • 本實用新型公開了一種基板磨削工作臺和基板磨削裝備,所述基板磨削工作臺包括:安裝座;旋轉驅動部,其設置于所述安裝座的下方;陶瓷吸盤,其設置于所述安裝座的上方,以吸合待磨削的基板;所述安裝座與陶瓷吸盤的接觸處配置有輔助結構,其能夠在所述接觸...
    • 本發明公開了一種晶圓裝載裝置,其包括:底座;托架,其位于底座上方;所述托架上方配置有檢測組件,所述檢測組件包括桿件,所述桿件能夠繞定點上下擺動,其端部設置有配重塊;所述托架上方配置有壓力檢測口,所述配重塊的設置位置與壓力檢測口相對應;所...
    • 本發明公開了一種吸附式晶圓搬運裝置和晶圓減薄設備,其中,吸附式晶圓搬運裝置包括支撐架體、旋轉機構、升降機構、伸縮機構、擺臂和真空吸盤,旋轉機構和升降機構位于擺臂的下方,擺臂的一端連接真空吸盤,擺臂還連接伸縮機構以調節真空吸盤的移動距離,...
    • 本發明公開了一種用于基板磨削的搬運裝置和基板磨削裝備,所述搬運裝置包括固定座、擺臂和裝載頭,所述裝載頭設置于擺臂的端部并繞固定座擺動;所述裝載頭包括:導向軸,其豎向設置于所述擺臂的端部;第一吸盤,其滑動連接于所述導向軸;彈性件,其套設于...
    • 本發明公開了一種化學機械拋光裝置,其包括:拋光盤,用于設置拋光墊;承載頭,其帶動基板在拋光墊上方移動;修整組件,其包括固定座、擺臂和修整器,所述修整器設置于擺臂的端部并繞固定座擺動,以修整拋光墊表面;所述擺臂帶動修整器往復擺動,修整器相...
    • 本發明公開了一種晶圓膜厚測量方法和化學機械拋光設備,所述晶圓膜厚測量方法包括:在拋光初始階段采集反射光譜,獲取所述反射光譜的光譜波峰或者波谷的數量;依據所述光譜波峰或者波谷的數量,選擇使用FFT算法或光譜擬合算法解算晶圓膜厚。合算法解算...
    • 本發明公開了一種用于CMP的光學測量裝置和化學機械拋光設備,所述光學測量裝置包括:在線光學測量組件和參考光學測量組件,所述在線光學測量組件包括用于測量晶圓的非金屬膜厚的第一光學傳感器和第一窗口,所述參考光學測量組件包括用于獲得校準光強的...
    • 本實用新型公開了一種清洗刷組件和晶圓清洗裝置,該清洗刷組件包括:中芯軸和多孔材料刷體,所述多孔材料刷體包覆所述中芯軸的外表面并形成一體,所述中芯軸為中空結構以形成貫通長度兩端的通液管道,所述中芯軸的軸壁具有多個均勻分布的出液孔以及多個均...
    • 本實用新型提供了一種化學機械拋光系統,包括:前置單元,其內部儲存有晶圓;設備主體,用于對晶圓進行拋光作業;機械手,在所述前置單元與所述設備主體之間進行交互以傳遞晶圓;前值量測單元,用于在晶圓傳遞過程中對拋光前的晶圓的厚度進行量測;后值量...
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