本發明提出了晶圓水平刷洗裝置、晶圓檢測機構及晶圓狀態檢測方法。所述晶圓水平刷洗裝置包括：晶圓保持機構，其用于將晶圓保持在待刷洗位置，包括驅動部和可動夾持部，可動夾持部能夠在水平夾持晶圓的第一位置和釋放晶圓的第二位置之間移動，驅動部用于在...

本申請實施例提供了一種拋光頭、拋光設備、拋光方法、處理器及存儲介質。其中拋光頭包括：基座；保持環，設置于基座下方；拋光頭氣膜，設置于基座且置于保持環內側，用于固持晶圓；保持環氣膜，設置于保持環內側且置于保持環和拋光頭氣膜之間，保持環氣膜...

本申請提供了一種驅動機構的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲介質及電子設備，驅動機構包括輪體和旋轉軸，旋轉軸與輪體同步旋轉，旋轉軸內部設置第一流道，輪體內部包括沿輪體的徑向設置的第二流道，第一流道用于向第二流道輸送流體，流體通過第二流道從...

本申請實施例提供了一種用于晶圓加工的承載頭、化學機械拋光設備，承載頭包括：主體部；第一彈性膜，其與主體部的朝向晶圓的表面連接，并與主體部之間限定出中心腔體和多個環形腔體，中心腔體與多個環形腔體均與第一通氣管路連通，以使第一彈性膜能夠吸附...

本申請實施例提供了一種晶圓拋光方法、拋光設備和存儲介質。晶圓拋光方法包括：獲取對晶圓進行拋光的拋光時間的第一取值范圍、拋光頭的拋光壓力的第二取值范圍和晶圓的目標去除量；根據第一取值范圍和第二取值范圍對預設的約束條件進行更新，獲得目標約束...

本申請公開一種保持環和拋光頭，保持環包括：基體和與基體可分離的分體；基體和分體均為環狀結構，基體的第一端被構造為與拋光頭連接，分體的第一端與基體連接后，分體的第二端與基體的第二端位于同一平面內；基體和分體，用于在拋光頭將晶圓置于拋光墊上...

本申請公開一種拋光頭檢測裝置、方法、化學機械拋光設備和計算機存儲介質，拋光頭檢測裝置包括：外部圖像采集設備和分析單元，外部圖像采集設備設置于承載杯外側；外部圖像采集設備，用于在拋光頭及承載杯上均未承載晶圓時，至少采集位于拋光頭靠近承載杯...

本申請提供了一種厚度補償的電渦流檢測方法、裝置設備和存儲介質，該應用于化學機械拋光設備，該方法包括：在晶圓運行至電渦流傳感器的檢測區域時，獲取電渦流傳感器的第一感應信號，其中，電渦流傳感器設置于化學機械拋光設備包括的拋光盤內，拋光盤的頂...

本申請實施例提供了一種用于溫度控制裝置和清洗系統，其中溫度控制裝置包括：換熱腔室，所述換熱腔室包括腔室主體和腔室蓋板；所述腔室主體的側面開設有換熱空腔，所述換熱空腔中設置有流道隔斷，所述流道隔斷將所述換熱空腔分隔為連貫的換熱流道；所述腔...

本申請實施例提供了一種晶圓旋轉機構及晶圓清洗裝置，晶圓旋轉機構包括轉軸、轉盤和遮擋件，轉軸垂直于水平面設置，且轉軸能夠沿著其轉動軸線轉動；轉盤同心設置至轉軸的上端，以承托晶圓；遮擋件樞轉連接至轉盤，以在第一位置和第二位置之間樞轉，且遮擋...

本申請一種晶圓后處理方法、晶圓后處理系統、電子設備及存儲介質，所述噴桿用于晶圓清洗裝置，所述方法包括：調節噴桿，包括：在晶圓清洗裝置中設置噴桿調節裝置；經由噴桿調節裝置調節晶圓清洗裝置的噴桿，噴桿調節裝置包括落點標定件和指向調節件；及拆...

本發明公開了一種晶圓測量方法、清洗方法、清洗裝置及電子設備與存儲介質，所述清洗裝置包括量測組件，測量基準晶圓的初始測量參數和實際測量參數；基準組件，測量初始測距參數，當基準晶圓下入從動輪凹槽中滿足測距條件時，測量基準晶圓的實際測距參數；...

本發明提出了晶圓清洗刷、晶圓水平刷洗設備、系統和方法。所述晶圓清洗刷包括：芯軸，所述芯軸呈從兩端向中間逐漸變細的圓筒形，所述芯軸的內部具有氣道，并且，所述芯軸具有將所述氣道連通至所述芯軸的外周表面之外的氣孔；以及刷體，所述刷體呈中空的圓...

本申請公開金屬膜厚度測量方法、裝置、設備、拋光方法和存儲介質，金屬膜厚度測量方法包括：通過電渦流傳感器對晶圓片上金屬膜的厚度進行檢測，獲得電渦流傳感器輸出的量測信號；獲取量測溫度；根據量測信號和基值信號，獲得量測厚度值；根據量測溫度和基...

本申請實施例提供了一種晶圓磨削檢測方法、加工方法、裝置、設備。其中，晶圓磨削檢測方法包括如下步驟：確定步驟，確定晶圓磨削設備的磨輪是否與工作臺相接觸；獲取步驟，在確定磨輪與工作臺相接觸后，實時獲取晶圓磨削設備的主軸位置和工作臺高度；異常...

本申請實施例提供了一種用于晶圓劃片機的測高電路及晶圓劃片機，測高電路包括測高線檢測回路和測高觸發回路，測高線檢測回路與測高觸發回路之間通過正測高線和負測高線連通，測高觸發回路包括定時器芯片，定時器芯片的觸發引腳通過調節電阻組，并經過正測...

本申請涉及化學機械拋光用保持環、用于晶圓加工的承載頭及化學機械拋光設備。所述保持環具有環狀基體，所述環狀基體具有頂面和與所述頂面相背的底面，所述頂面適于安裝在承載頭上，并且，在所述底面上分布有多個萬向的第一滾珠，所述第一滾珠能夠沿各個方...

本申請實施例提供了一種拋光過程中測量晶圓金屬薄膜厚度的方法、裝置、拋光設備和存儲介質。拋光過程中測量晶圓金屬薄膜厚度的方法包括：獲取當前溫度和當前測量信號；其中，所述當前溫度用于指示當前時刻晶圓的金屬薄膜的溫度；所述當前測量信號由電渦流...

本發明屬于芯片制造技術領域，具體涉及化學機械拋光組合物及其在化學機械拋光中的應用。本發明所述納米復合磨料是化學機械拋光組合物的組成部分，其包括少層石墨包覆的納米級Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3&...

本申請提供了一種用于電渦流傳感器的標定方法、厚度測量方法、裝置及化學機械拋光設備，該方法包括：在對晶圓進行化學機械拋光前，獲取電渦流傳感器的信號源產生的第一激勵信號；在對晶圓進行化學機械拋光的過程中，獲取電渦流傳感器的信號源產生的第二激...