本發(fā)明公開了一種管路連接裝置，包括接頭主體、至少一個(gè)徑向密封件和至少一個(gè)壓緊件，接頭主體包括至少一個(gè)管接部和至少一個(gè)限位部，每個(gè)管接部具有用于與一個(gè)待接管路連通的通孔，每個(gè)限位部圍設(shè)在對(duì)應(yīng)的管接部的外周，限位部的內(nèi)壁與管接部的外周之間具...

本申請(qǐng)涉及一種基板處理方法和裝置。其中，該氣體置換方法包括：第一液處理步驟：在處于第一氣體氛圍的腔室中，通過(guò)第一液體對(duì)基板進(jìn)行液處理，其中，第一氣體氛圍表示腔室內(nèi)僅具有第一氣體；氣體氛圍置換步驟：將腔室的氛圍從第一氣體氛圍置換為第二氣體...

本申請(qǐng)涉及一種超臨界干燥介質(zhì)回收系統(tǒng)和半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備。該超臨界干燥介質(zhì)回收系統(tǒng)包括分離裝置，分離裝置包括冷凝管路和第一腔體，冷凝管路的下側(cè)壁設(shè)置有排液口，排液口與第一腔體連通，冷凝管路的進(jìn)口用于接收含有有機(jī)溶劑的干燥介質(zhì)，冷凝管路的...

本發(fā)明公開了溶液供給裝置及半導(dǎo)體設(shè)備，該溶液供給裝置用于為處理裝置提供混合溶液，包括：第一溶液輸入端、第二溶液輸入端、第一輸送管線、第二輸送管線、設(shè)于第一和第二輸送管線匯合處的混合槽、與混合槽連接的主輸送管線、連接于混合槽和處理裝置之間...

本發(fā)明公開了一種基板承載裝置及基板處理設(shè)備。該基板承載裝置包括：承載盤組件、夾持組件和頂針組件。其中，夾持組件和頂針組件分別聯(lián)動(dòng)于承載盤組件以?shī)A持或釋放基板。在升舉狀態(tài)下，承載盤組件帶動(dòng)頂針組件上升，頂針組件頂起基板的同時(shí)、承載盤組件帶...

本申請(qǐng)涉及一種密封方法、電子裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和半導(dǎo)體設(shè)備。其中，該半導(dǎo)體設(shè)備包括：防濺罩、防濺罩基座、升降模塊、檢測(cè)模塊和控制模塊，控制模塊耦合在升降模塊與檢測(cè)模塊之間，其中，升降模塊，用于帶動(dòng)防濺罩進(jìn)行升降；檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)防濺罩與防...

本發(fā)明公開了一種基板承載結(jié)構(gòu)，該基板承載結(jié)構(gòu)包括：底座，底座表面具有承載區(qū)域，用于承載基板；若干支撐件，設(shè)置于承載區(qū)域的第一圓周，支撐件頂端具有支撐面,用于支撐基板；若干導(dǎo)向件，設(shè)置于承載區(qū)域外圍的第二圓周，且第一圓周和第二圓周為以承載...

本發(fā)明公開了一種工藝槽測(cè)溫裝置及基板處理設(shè)備，該工藝槽測(cè)溫裝置用于檢測(cè)工藝槽內(nèi)的化學(xué)液溫度，工藝槽上端具有工藝槽開口。該工藝槽測(cè)溫裝置包括：防護(hù)管，包括依次連接且相互導(dǎo)通的測(cè)溫部和延伸部，測(cè)溫部遠(yuǎn)離延伸部的一端密封形成防護(hù)管底部，延伸部...

本發(fā)明公開了一種電鍍裝置，包括膜架，膜架包括中間通道和限定中間通道的中間擋墻，中間擋墻在基板所在平面的正投影區(qū)不存在以基板的中心為圓心的圓。當(dāng)基板在電鍍裝置內(nèi)進(jìn)行電鍍工藝時(shí)，基板上對(duì)應(yīng)中間擋墻的遮擋區(qū)域中任意一點(diǎn)形成的軌跡為以基板的中心...

本發(fā)明涉及集成電路芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種氣體控制裝置。裝置包括：進(jìn)風(fēng)單元、過(guò)濾板、擴(kuò)散板和導(dǎo)風(fēng)單元；所述進(jìn)風(fēng)單元形成有用于將氣體流向所述過(guò)濾板的開口，所述過(guò)濾板對(duì)應(yīng)所述開口設(shè)置，所述擴(kuò)散板設(shè)置在所述過(guò)濾板的下方，氣體依次經(jīng)所述進(jìn)風(fēng)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，具體為一種液體處理裝置，包括液體噴灑單元、兩個(gè)側(cè)蓋板和兩個(gè)加工板，兩個(gè)加工板對(duì)稱設(shè)置在液體噴灑單元的側(cè)面，側(cè)蓋板設(shè)置在加工板遠(yuǎn)離液體噴灑單元的一側(cè)；加工板的頂部開設(shè)有進(jìn)液口，液體噴灑單元的底部開設(shè)有出液口；...

本發(fā)明提出用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置及清洗裝置。該噴嘴裝置包括固定件、至少一個(gè)液體通道和至少一個(gè)氣體通道；每一液體通道分別對(duì)應(yīng)設(shè)置液體輸入口和液體輸出口，每一氣體通道分別對(duì)應(yīng)設(shè)置氣體輸入口和氣體輸出口；液體通道用于傳輸液體；氣體通道用于...

本發(fā)明公開了一種電鍍裝置及電鍍系統(tǒng)，該電鍍裝置包括：鍍槽，用于容納電鍍液和基板；非可溶性陽(yáng)極，配置于鍍槽內(nèi)部且位于基板下方；陽(yáng)極液入口，用于向鍍槽內(nèi)供應(yīng)電鍍液；陽(yáng)極液出口，用于從鍍槽排放電鍍液。其中，陽(yáng)極液入口高于非可溶性陽(yáng)極和陽(yáng)極液出...

本發(fā)明公開了一種薄膜沉積裝置，其特征在于，包括處理腔室，用于進(jìn)行薄膜沉積；氣體供應(yīng)組件，設(shè)置于所述處理腔室頂壁，用于向處理腔室內(nèi)部供應(yīng)工藝氣體；加熱托盤，設(shè)置于所述氣體供應(yīng)組件下方，用于承載并加熱基板；上下電極，用于在處理腔室內(nèi)形成均勻...

本發(fā)明涉及晶圓封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種晶圓吸附裝置及晶圓處理設(shè)備。晶圓吸附裝置包括底盤、密封圈、抽真空模塊和控制器，所述密封圈設(shè)置在所述底盤的上表面，所述抽真空模塊與所述控制器連接；所述密封圈用于放置晶圓，所述晶圓放置于密封圈上時(shí)晶圓、...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，具體為一種去膠工藝中的防濺射裝置、去膠設(shè)備以及輸液設(shè)備。防濺射裝置設(shè)于腔室內(nèi)，具體包括阻擋組件、排氣組件、載物臺(tái)和噴嘴；載物臺(tái)用于承載基板，噴嘴以預(yù)設(shè)高度設(shè)置在載物臺(tái)的上方；阻擋組件包括保護(hù)罩，保護(hù)罩圍設(shè)在...

本發(fā)明提供了一種用于熱板的固定裝置，包括基座和隔熱密封件，所述基座包括基座壁和由所述基座壁圍設(shè)而成的空腔，所述基座壁具有固定槽，所述隔熱密封件設(shè)置在所述固定槽中，所述熱板具有位于其邊緣的固定區(qū)域，所述固定區(qū)域與所述隔熱密封件緊密接觸，從...

本發(fā)明提出種籽層邊緣缺陷監(jiān)測(cè)裝置及方法。裝置包括：夾具，被配置為保持硅片；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，被配置為驅(qū)動(dòng)夾具旋轉(zhuǎn)；種籽層檢測(cè)機(jī)構(gòu)，包括：電渦流傳感器，被配置為檢測(cè)目標(biāo)硅片的邊緣區(qū)域電阻值的表征參數(shù)；以及與所述電渦流傳感器通信連接的報(bào)警器控制...

本發(fā)明揭示了一種基板刻蝕方法及裝置。基板刻蝕方法包括將基板浸入容納有刻蝕溶液的處理槽中，通過(guò)刻蝕溶液對(duì)基板進(jìn)行濕法刻蝕，基板表面形成有深結(jié)構(gòu)；基于脈沖信號(hào)向刻蝕溶液中提供氣體，用以在刻蝕溶液中產(chǎn)生氣泡，脈沖信號(hào)的一個(gè)脈沖時(shí)間包括供氣時(shí)段...

本發(fā)明提供基板處理方法，包括：對(duì)預(yù)濕后的基板表面液膜進(jìn)行特征參數(shù)的測(cè)量，生成第二特征數(shù)據(jù)；獲取第一特征數(shù)據(jù)作為對(duì)照數(shù)據(jù)，將所述第二特征數(shù)據(jù)與所述對(duì)照數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)，判斷基板的預(yù)濕結(jié)果是否合格；若所述第一特征數(shù)據(jù)與所述第二特征數(shù)據(jù)誤差大于預(yù)...