本公開提供了一種低漏電流的垂直溝道晶體管及其制備方法、存儲(chǔ)器和電子設(shè)備，晶體管包括：襯底；絕緣層，絕緣層上開設(shè)過(guò)孔；設(shè)置在過(guò)孔底部表面的第一電極層；設(shè)置在絕緣層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)表面的第二電極層；沿過(guò)孔側(cè)壁設(shè)置的第一溝道層，第一溝道層與第一電...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，該半導(dǎo)體器件包括：包括：襯底、納米片溝道、金屬柵和源漏極；所述納米片溝道位于所述襯底的上方；所述金屬柵環(huán)繞所述納米片溝道；所述源漏極與所述納米片溝道連接；所述源漏極與金屬柵...

本發(fā)明公開了一種異質(zhì)鍵合結(jié)構(gòu)的制作方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，以解決最終獲得的異質(zhì)鍵合結(jié)構(gòu)界面處晶格失配嚴(yán)重，影響界面鍵合質(zhì)量的問(wèn)題。所述異質(zhì)鍵合結(jié)構(gòu)的制作方法包括：提供第一基底和第二基底；在第一基底上形成第一過(guò)渡層，以獲得第一結(jié)構(gòu)；第一...

本發(fā)明涉及一種三維射頻微系統(tǒng)及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有的三維射頻微系統(tǒng)存在的不能充分利用層間空間、散熱路徑長(zhǎng)的問(wèn)題。所述三維射頻微系統(tǒng)包括多個(gè)射頻功能層和層間散熱微流道，所述層間散熱微流道包括3D打印微流道和設(shè)置在3D...

本發(fā)明涉及一種用于三維集成系統(tǒng)的層間散熱微流道及其制備方法和應(yīng)用，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有的微流道存在的不能充分利用層間間隙、散熱路徑長(zhǎng)的問(wèn)題。所述層間散熱微流道包括微流道層、蓋板層和微熱沉；所述微流道層和蓋板層的材料均為樹脂；所...

本發(fā)明公開了一種靜電防護(hù)器件和芯片，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，以提高集成電路對(duì)靜電放電的防護(hù)能力并且減小靜電防護(hù)器件在芯片中的占用面積。所述靜電防護(hù)器件用于對(duì)集成電路進(jìn)行靜電放電防護(hù)，靜電防護(hù)器件包括：半導(dǎo)體基底；第一泄放結(jié)構(gòu)，位于部分半導(dǎo)體...

本發(fā)明公開一種氮化鎵基單相全橋逆變電路，涉及逆變器技術(shù)領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中使用數(shù)字控制的IGBT逆變器存在的技術(shù)問(wèn)題。氮化鎵基單相全橋逆變電路包括第一反相放大電路，第一處理電路、第二處理電路，第三處理電路和全橋電路；第一反相放大電路...

本公開提供了一種高精度光柵自動(dòng)拼接系統(tǒng)及方法，涉及微位移量精密檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。該系統(tǒng)包括干涉儀，用于朝著第一光柵與第二光柵的拼接位置發(fā)射探測(cè)光，并檢測(cè)第一光柵和第二光柵在拼接位置的衍射條紋；干涉儀還與控制設(shè)備連接，用于將根據(jù)衍射條紋生成的...

本發(fā)明公開一種分布式放大器及通信裝置，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，用于解決傳統(tǒng)分布式放大器的帶寬和增益無(wú)法滿足通信系統(tǒng)的需求的問(wèn)題。所述分布式放大器包括：輸入電路、輸出電路以及增益電路，其中：輸入電路通過(guò)增益電路與輸出電路電連接，增益電路用于...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NDC?DC轉(zhuǎn)換器及其電流采樣電路，該電路包括：采樣管、基準(zhǔn)電流單元、反饋回路單元以及誤差電流消除單元；其中，采樣管用于對(duì)DC?DC轉(zhuǎn)換器中的功率管的電流進(jìn)行采樣，得到初始采樣電流；基準(zhǔn)電流單元用于根據(jù)基準(zhǔn)電流源產(chǎn)生基準(zhǔn)電...

本發(fā)明公開一種氮化鎵基雙極性正弦脈寬調(diào)制的逆變電路，涉及逆變器技術(shù)領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采用單極性正弦脈寬調(diào)制存在很大的共模電壓，這對(duì)電力電子設(shè)備的電磁兼容有很大影響的技術(shù)問(wèn)題。氮化鎵基雙極性正弦脈寬調(diào)制的逆變電路包括比較器電路，放大...

本發(fā)明公開了一種濕度傳感器及其制造方法，涉及濕度傳感器領(lǐng)域，用于增大濕敏層的比表面積，使得濕敏層包括每個(gè)納米纖維結(jié)構(gòu)均能夠與水分子充分接觸，提高濕度傳感器的靈敏性，利于提高濕度傳感器輸出結(jié)果的準(zhǔn)確性，降低響應(yīng)時(shí)間。所述濕度傳感器包括：基...

本發(fā)明提供了一種軌對(duì)軌輸入放大器及芯片和電子設(shè)備，有效解決現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問(wèn)題，通過(guò)兩組對(duì)稱式放大器并聯(lián)實(shí)現(xiàn)軌對(duì)軌輸入功能。并且，軌對(duì)軌輸入放大器的輸入共模電平能夠?qū)崿F(xiàn)高至電源軌且低至地電位的效果。以及，在第五N型晶體管、第七N型晶體...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N抗輻照電荷泵電路，包括：電流源輸入單元、電流源輸出單元、冗余開關(guān)單元以及運(yùn)算放大單元；電流源輸入單元用于根據(jù)基準(zhǔn)電流生成開關(guān)電流；冗余開關(guān)單元通過(guò)電流源輸出單元接地，用于通過(guò)自身中四條電流支路分別接收開關(guān)電流，輸出電荷泵...

本發(fā)明涉及一種低壓有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，通過(guò)使用介電常數(shù)為6以上的無(wú)機(jī)氧化物作為電介質(zhì)，增大了電介質(zhì)電容，加強(qiáng)了柵電極對(duì)于有源層的控制，降低了器件的工作電壓，減少了器件的功耗。另外，本發(fā)明無(wú)需對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行過(guò)度減薄，因而能夠避免柵電...

本申請(qǐng)公開一種氮化鎵基高電子遷移率晶體管及其制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，以解決氮化鎵基高電子遷移率晶體管易發(fā)生單粒子燒毀的問(wèn)題。氮化鎵基高電子遷移率晶體管包括：半導(dǎo)體基底，源電極，漏電極，形成在半導(dǎo)體基底上的氮化鎵溝道層和勢(shì)壘層，形成...

本公開提供了一種鐵電柵極疊層、鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管和鐵電柵極疊層的制備方法，可以應(yīng)用于微電子技術(shù)領(lǐng)域。該鐵電柵極疊層包括：自下而上依次設(shè)置的柵氧層、主鐵電層、輔助鐵電層和其他柵介質(zhì)層；其中，輔助鐵電層的厚度小于主鐵電層的厚度，輔助鐵電層用于...

本發(fā)明公開一種氮化鎵基單相半橋逆變電路及其調(diào)制方法，涉及逆變技術(shù)領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中使用數(shù)字控制的IGBT逆變器會(huì)導(dǎo)致開關(guān)頻率低，轉(zhuǎn)換的電能質(zhì)量低以及不利于電源小型化發(fā)展的問(wèn)題。所述氮化鎵基單相半橋逆變電路包括：第一反相放大子電路，...

本發(fā)明提供了一種具有高效導(dǎo)熱功能的埋置芯片結(jié)構(gòu)及制備方法，涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。該埋置芯片結(jié)構(gòu)位于芯片結(jié)構(gòu)底部的介質(zhì)層設(shè)計(jì)為彎折形式，即底部彎折介質(zhì)層具有多個(gè)第一彎折端和多個(gè)第二彎折端，所述第一彎折端相鄰所述載板設(shè)置，所述第二彎折端遠(yuǎn)...

本發(fā)明涉及一種全環(huán)柵晶體管及其制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，解決內(nèi)側(cè)墻導(dǎo)致對(duì)后繼源漏選擇外延(SEG)工藝提出更多挑戰(zhàn)的問(wèn)題。晶體管包括：半導(dǎo)體襯底；源漏極區(qū)位于溝道結(jié)構(gòu)的相對(duì)兩側(cè)；溝道結(jié)構(gòu)包括金屬柵材料層和納米片的多個(gè)交替疊層；內(nèi)側(cè)墻...