本發(fā)明公開了一種薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器及其制造方法，該方法中首先在兼容CMOS工藝的氮化硅層上制作光波導(dǎo)和金屬電極，將鍵合薄膜鈮酸鋰層作為后續(xù)步驟，減少了與CMOS工藝不兼容的情況，同時(shí)鍵合的薄膜鈮酸鋰層容許的對(duì)準(zhǔn)誤差可以到100μm，降...

本發(fā)明涉及一種三維動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器陣列的制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有的3D?DRAM結(jié)構(gòu)在高集成密度下所面臨的穩(wěn)定性問題。該三維動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器陣列的制備方法包括如下步驟：依次形成多個(gè)垂直堆疊的疊層；在所述多個(gè)垂直堆疊的...

本發(fā)明提供了一種具有提前退出機(jī)制的脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)卷積加速器，利用所述脈沖卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)確定當(dāng)前分類周期的待分類數(shù)據(jù)的神經(jīng)元脈沖，提前退出機(jī)制模塊對(duì)神經(jīng)元脈沖進(jìn)行特征提取，得到當(dāng)前脈沖特征，獲取上一分類周期的待分類數(shù)據(jù)的歷史脈沖特征，計(jì)算當(dāng)前...

本申請(qǐng)公開一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，以解決現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的散熱能力差的問題。半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一基底、以及設(shè)置在第一基底上的芯片；第一鍵合層，設(shè)置在第一基底背離芯片的一側(cè)；第一鍵合層包括沿...

本技術(shù)具體涉及一種側(cè)泵模塊及激光器，該側(cè)泵模塊包括激光增益介質(zhì)和泵浦源，其中，激光增益介質(zhì)設(shè)置為Nd:YLF晶體，且激光增益介質(zhì)的徑向截面設(shè)置為多邊形。沿激光增益介質(zhì)的軸向方向，泵浦源包括至少一個(gè)激光發(fā)射單元，激光發(fā)射單元包括多個(gè)激光發(fā)...

本發(fā)明公開一種倒裝芯片結(jié)構(gòu)，涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，用于提升芯片的溫度均勻分布性，減弱芯片局部溫度過高現(xiàn)象，提高芯片功率上限。倒裝芯片結(jié)構(gòu)包括芯片本體、基板和殼體，芯片本體設(shè)置于基板；殼體具有相對(duì)設(shè)置的第一開口端和第一封閉端，第一開口端設(shè)置于...

本發(fā)明公開一種倒裝芯片結(jié)構(gòu)，涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，用于降低芯片結(jié)殼熱阻，增加芯片的溫度均勻分布性，減少芯片局部溫度過高現(xiàn)象，提高芯片功率上限，并解決封閉空間芯片散熱問題。倒裝芯片結(jié)構(gòu)包括芯片本體、基板和殼體，芯片本體設(shè)置于基板；殼體具有相對(duì)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種納米器件及其制備方法，包括以下步驟：制備未去除假柵、未釋放溝道的GAA器件結(jié)構(gòu)；去除假柵上的自然氧化層；選擇性去除假柵層；選擇性去除假柵底部、疊層鰭頂部的SiO<subgt;2</...

本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N鐵電場效應(yīng)晶體管及其制備方法，該鐵電場效應(yīng)晶體管包括：襯底；形成于所述襯底上的柵極絕緣層，所述柵極絕緣層包括沿遠(yuǎn)離所述襯底方向依次形成的第一鋁鈧氮層和第二鋁鈧氮層，且所述第一鋁鈧氮層中鈧元素的組分含量與所述第二鋁鈧氮層中鈧...

本發(fā)明提供了一種三維電極探測器及其制作方法，涉及三維電極探測器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的三維電極探測器的制作過程中并無涉及多次深槽刻蝕相關(guān)工藝，本發(fā)明提供的制作工藝簡單，使得其可實(shí)現(xiàn)性較好。

本發(fā)明提供了一種MEMS壓阻式壓力傳感器及其制備方法，該傳感器包括：具有正面梁?島結(jié)構(gòu)和背面短梁結(jié)構(gòu)的敏感薄膜、壓敏電阻、重?fù)诫s引線、金屬引線和玻璃底座；敏感薄膜為硅襯底經(jīng)過背面刻蝕產(chǎn)生背腔后形成的硅膜；正面梁?島結(jié)構(gòu)位于敏感薄膜的正面...

本公開提供一種二維材料晶圓級(jí)無損轉(zhuǎn)移方法及晶體管器件，無損轉(zhuǎn)移方法包括：操作S1：在襯底上生長單層二維半導(dǎo)體材料層；操作S2：在所述二維半導(dǎo)體材料層上蒸鍍金屬銻；操作S3：在金屬銻表面旋涂PMMA；操作S4：通過PMMA輔助濕法轉(zhuǎn)移將鍍...

本公開提供一種免剝離的金輔助轉(zhuǎn)移單層二維半導(dǎo)體方法及晶體管器件，該方法包括：操作S1：將氮化硼轉(zhuǎn)移到襯底上，形成介電層；操作S2：在所述介電層的兩側(cè)分別蒸鍍金電極層；操作S3：在介電層和金電極層表面旋涂聚合物層；操作S4：將介電層、金電...

本發(fā)明提供一種nTSV?BPR電學(xué)測試結(jié)構(gòu)及其制備方法，該方法包括如下步驟：提供襯底并對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕形成BPR溝道；沉積BPR導(dǎo)電材料以填充BPR溝道；對(duì)沉積的BPR導(dǎo)電材料進(jìn)行刻蝕，形成所需形狀的BPR；對(duì)襯底中的Si層進(jìn)行同質(zhì)外延形...

本發(fā)明公開一種內(nèi)埋芯片基板的制造方法及臨時(shí)鍵合結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，以解決制造過程中基板過度翹曲的問題。內(nèi)埋芯片基板的制造方法包括基板開窗、第一臨時(shí)鍵合、貼芯片、第一壓合填埋樹脂、第二臨時(shí)鍵合、第一解鍵合、第二壓合填埋樹脂和第二...

本發(fā)明公開一種內(nèi)埋芯片基板的制造方法及臨時(shí)鍵合結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，以解決制造過程中基板過度翹曲的問題。內(nèi)埋芯片基板的制造方法包括基板開窗、第一臨時(shí)鍵合、貼芯片、第一壓合填埋樹脂、第二臨時(shí)鍵合、第一解鍵合、第二壓合填埋樹脂和第二...

本公開提供一種垂直光柵耦合器及光子芯片，垂直光柵耦合器包括：襯底；入射波導(dǎo)，設(shè)置在所述襯底上，所述入射波導(dǎo)具有第一端和第二端，所述第一端用于接收光波，所述第二端用于輸出光波；二維光柵，設(shè)置在所述襯底上入射波導(dǎo)的所述第二端處，所述二維光柵...

本發(fā)明提供一種基于DSOI的1T?DRAM單元結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，以解決現(xiàn)有技術(shù)中1T?DRAM存儲(chǔ)密度低及功耗高的問題。單元結(jié)構(gòu)包括：硅襯底；設(shè)置在硅襯底一側(cè)表面的第一埋氧層；設(shè)置在第一埋氧層遠(yuǎn)離硅襯底一側(cè)表...

本公開提供一種視覺自動(dòng)調(diào)焦裝置及方法，裝置包括：沿調(diào)焦光路依次設(shè)置的照明光源、分光鏡、成像物鏡、復(fù)合靶標(biāo)、位移臺(tái)和成像探測器；其中，復(fù)合靶標(biāo)，包括背光板、暗場亮線分劃板和視覺反射片；調(diào)焦光路包括：粗調(diào)焦光路與精準(zhǔn)調(diào)焦光路；粗調(diào)焦光路為：...

本發(fā)明公開一種內(nèi)埋芯片基板的制造方法及多層臨時(shí)鍵合結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，用于解決內(nèi)埋芯片基板的加工中基板的翹曲和過度彎折的問題。內(nèi)埋芯片基板的制造方法包括基板開窗、第一臨時(shí)鍵合、第一貼芯片、第一壓合填埋樹脂、第二臨時(shí)鍵合、第二貼...