本發明涉及一種晶體管及其制作方法，屬于半導體技術領域，解決現有晶體管重摻雜襯底與源漏區形成PN結而導致結漏電問題。晶體管包括：源極區和漏極區位于溝道結構的相對兩側；溝道結構包括金屬柵材料層和納米片的多個交替疊層；內側墻位于溝道結構的相對...

本發明涉及一種基于超快速超聲成像的四維左心室血流速度場重建方法,屬于超聲圖像處理技術領域。本發明通過采用新型超聲換能器同時獲取多角度的超快速超聲圖像序列，進一步獲取相應的多角度2D速度場，結合Navier?Stokes正則化的速度重建算...

本申請提供一種自加壓式抑制液體蒸發的PCR裝置及方法，其中裝置包括：微流控芯片和加熱模塊；所述微流控芯片具有進樣口、微流道和檢測端；所述進樣口與所述微流道的入口連通，所述檢測端與所述微流道的出口連通，所述檢測端為一個密閉腔室；所述微流控...

本發明涉及一種包含kink效應的GaN?HEMT大信號模型的建模方法，屬于射頻器件建模技術領域，解決了現有技術中模型不能準確反應GaN?HEMT的工作狀態和通用性低的問題。該方法包括：對GaN?HEMT器件進行直流電學特性測試，獲得實測...

本申請提供一種芯粒異構系統的多物理場量預測模型的訓練方法，應用于芯粒技術領域，包括：基于預先構建的芯粒異構系統的電?熱?力耦合控制方程以及對應的邊界條件，構建芯粒異構系統的多物理場量預測模型以及對應的損失函數，利用損失函數對多物理場量預...

本發明公開一種半導體器件及其制造方法，涉及半導體技術領域，以提高三維集成的半導體器件的良率。半導體器件包括半導體基底、底層硅基場效應晶體管、頂層碳納米管場效應晶體管、中部互聯層和頂層互聯金屬層。中部互聯層包括絕緣層、以及設置在絕緣層內的...

本申請提供了一種半導體器件的固定裝置和抗單粒子測試系統，該半導體器件的固定裝置包括：第一基板；可拆卸的固定在所述第一基板上的第二基板，所述第二基板與所述第一基板之間設置有加熱模塊；可拆卸的固定在所述第二基板上的第三基板，所述第三基板和所...

本申請公開了一種半導體探測器及其制備方法，涉及探測器技術領域，該半導體探測器包括襯底和位于襯底上的至少一個探測單元，探測單元包括沿背離襯底的方向設置的第一絕緣層、第一半導體層、第二半導體層、第二絕緣層、第三絕緣層和導電層；作為探測靈敏區...

本申請公開了一種半導體探測器及其制備方法，涉及探測器技術領域，該半導體探測器包括襯底和位于襯底上的至少一個探測單元，探測單元包括沿背離襯底的方向設置的第一絕緣層、第一半導體層、第二絕緣層、第二半導體層、第三絕緣層以及導電層；作為探測靈敏...

本發明公開一種碳化硅溝槽刻蝕方法，涉及半導體器件制造技術領域，以解決微溝槽結構導致碳化硅器件耐壓能力下降、可靠性降低的問題。所述碳化硅溝槽刻蝕方法包括在SiC襯底上刻蝕形成第一SiC溝槽，第一SiC溝槽的底部具有微溝槽結構；對第一SiC...

本發明公開一種端面耦合器及其設計方法，設計光傳輸技術領域，用于提高第一光纖與波導層之間的端面耦合效率。所述端面耦合器包括：半導體襯底和波導層。波導層位于半導體襯底的表面上。波導層包括輸入耦合波導、模式轉換波導和輸出波導。輸入耦合波導的輸...

本發明提供了一種低相位噪聲壓控振蕩器及頻率源系統，涉及射頻與模擬集成電路領域，包括：電源；諧振電路，與電源連接，用于利用諧振效應產生第一頻率信號；尾濾波電路，包括濾波電感、濾波電容和接地節點；濾波電感并聯于諧振電路的兩端，濾波電容與濾波...

本發明公開了一種晶體管及制備方法，在襯底上形成柵極層；所述柵極層包括依次設置的柵電極、柵電介質層；圖形化所述柵電介質層，形成連通至所述柵電極的第一通孔；在所述柵極層上依次形成源漏電極、有源層、保護層、封裝層；在所述第一通孔的位置處依次圖...

本發明涉及半導體技術領域，尤其是涉及一種環柵堆疊納米器件及其制備方法，本發明通過第二側墻介質覆蓋整個表面并充滿內嵌的凹槽，形成第二側墻，進而在第二側墻的表面沉積內側墻犧牲層，并刻蝕掉部分內側墻犧牲層，使其與第二側墻介質齊平，進而對第二側...

本發明涉及半導體技術領域，尤其是涉及一種環柵堆疊納米器件及其制備方法，包括以下步驟：在提供的襯底上交替生長犧牲層和溝道層，將溝道層和犧牲層刻蝕成多個周期分布的鰭片，并在相鄰兩個鰭片之間形成淺槽隔離區；在露出的鰭片表面形成假柵結構；在假柵...

本發明提供一種基于熱仿真的布局調整方法及裝置，獲取芯粒異構集成系統的特性參數，將特性參數輸入至預先構建的熱仿真模型進行熱仿真處理，得到芯粒異構集成系統各個部位的溫度，將芯粒異構集成系統各個部位的溫度與溫度閾值進行比較，當芯粒異構集成系統...

本申請提供一種鐵電晶體管及其制造方法，包括：襯底、溝道層和鐵電層，襯底、溝道層和鐵電層層疊設置。溝道層的材料至少包括拓撲絕緣體氧化鉿，也就是說，本申請實施例提供的鐵電晶體管的溝道材料為拓撲絕緣體氧化鉿，能夠具有較高的載流子遷移率，并且不...

本發明涉及半導體技術領域，尤其是涉及一種環柵堆疊納米器件及其制備方法，包括以下步驟：在提供的襯底上交替生長犧牲層和溝道層，將溝道層和犧牲層刻蝕成多個周期分布的鰭片，并在相鄰兩個鰭片之間形成淺槽隔離區；在露出的鰭片表面形成假柵結構；在假柵...

本發明涉及一種片上雙亞波長光柵微環干涉傳感器及其傳感測量方法，屬于折射率傳感器技術領域，解決了現有技術中條波導器件的至少以下問題之一：(1)傳感靈敏度較低；(2)可探測范圍較窄。所述片上雙亞波長光柵微環干涉傳感器包括硅基底，以及設置所述...

本發明提供一種沉積速率預測方法及裝置、存儲介質及電子設備，該方法包括：確定各個第一工藝參數、第二工藝參數和第三工藝參數的參數值；將第一工藝參數的參數值輸入其對應的第一預測模型，獲取模型輸出的預測值，第一預測模型為基于線性關系構建的模型；...