本發(fā)明公開一種板級扇出型封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括步驟：基板開窗、第一臨時鍵合、第一貼芯片、第一壓合填埋樹脂、第二臨時鍵合、第二貼芯片、第二壓合填埋樹脂、第一次預固化、盲孔加工、電路制作、樹脂絕緣層加工、制作中間電路、解鍵合、第三壓合填埋...

本公開提供了一種具有溫度補償?shù)目缱璺糯笃骱臀C電系統(tǒng)振蕩器。本公開的跨阻放大器包括：RGC放大電路；第一Cherry?Hooper放大電路；第二Cherry?Hooper放大電路；溫度補償電路；共源級放大電路。本公開利用RGC放大電路、...

一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：位于第一面上的第一晶體管結(jié)構(gòu)，包括：位于第一面表面的第一溝道層、位于第一溝道層表面的第一柵極結(jié)構(gòu)以及分別位于第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一源漏外延層；位于第二面上的第二晶體管結(jié)構(gòu)，包括：鍵合于第二面上的第二...

本公開提供了一種激光測距裝置及方法，包括：激光器；調(diào)制頻率源適用于輸出調(diào)制信號；電光調(diào)制器適用于基于調(diào)制信號對初始光信號進行調(diào)制，獲得調(diào)制光信號；分束器適用于將調(diào)制光信號進行分束；點頻鑒相模塊適用于獲得依賴于第一參考光信號和基于第一測量...

本申請?zhí)峁┝艘环N靜電放電防護結(jié)構(gòu)及靜電放電防護電路，位于襯底一側(cè)的中間半導體層；中間半導體層包括第一阱區(qū)和分別位于第一阱區(qū)兩端的第一N型重摻雜區(qū)和第一P型重摻雜區(qū)，第一N型重摻雜區(qū)用于連接電源負極，第一P型重摻雜區(qū)用于連接電源正極；位于...

本公開提供了一種系統(tǒng)級數(shù)據(jù)處理芯片和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。根據(jù)本公開的系統(tǒng)級數(shù)據(jù)處理芯片至少包括：封裝在互連線基板表面的微處理器模塊和現(xiàn)場可編程門陣列模塊，所述微處理器模塊和所述現(xiàn)場可編程門陣列模塊之間通過所述互連線基板內(nèi)部設置的走線進行通信連...

本發(fā)明實施例公開了一種芯片散熱機構(gòu)及其制作方法，該芯片散熱機構(gòu)包括轉(zhuǎn)接板；所述轉(zhuǎn)接板的上表面設有低功率芯片及高功率芯片；所述轉(zhuǎn)接板的一側(cè)設有第一進口，另一側(cè)設有第一出口；所述轉(zhuǎn)接板內(nèi)對應于低功率芯片的區(qū)域開設有第一冷卻微流道，所述第一冷...

本申請公開一種電路結(jié)構(gòu)及其制作方法，涉及電路技術(shù)領域，以解決電子元器件需要較高集成度的隔熱結(jié)構(gòu)的問題。所述一種電路結(jié)構(gòu)包括：底板，底板內(nèi)設置有懸島；嵌入底板下表面的蓋板，蓋板與底板之間形成有第一空腔；設置在懸島上表面的器件；與底板的上表...

本申請?zhí)峁┝艘环N開關器件的短路特性測試方法及系統(tǒng)，涉及功率半導體器件測試技術(shù)領域。采用一次性對待測開關器件的柵極施加短路脈沖的方式進行短路特性測試，進而實現(xiàn)了一次性完成對待測開關器件的短路特性的測試和分析，避免了對待測開關器件進行多次短...

本公開提供了一種存算一體電路和SRAM存儲裝置，可以應用于集成電路技術(shù)領域。該存算一體電路，包括：SRAM存儲單元陣列，包括連接在第一位線與第二位線之間的至少一個存儲單元，存儲單元包括彼此交叉耦合的第一反相器和第二反相器，第一反相器和第...

本申請公開了一種堆疊納米片環(huán)繞柵極場效應晶體管及其制備方法。該堆疊納米片環(huán)繞柵極場效應晶體管，包括：襯底；位于所述襯底上的第一源漏極和第二源漏極；柵極，位于所述襯底上，位于所述第一源漏極和所述第二源漏極之間，且與所述第一源漏極和所述第二...

本發(fā)明公開了一種動態(tài)絕壓真空計，屬于真空計技術(shù)領域，包括真空計主體，真空計主體內(nèi)設有參考腔室和待測腔室，參考腔室和待測腔室之間通過輸氣通道相連通，輸氣通道上設置有閥體，閥體用以調(diào)節(jié)參考腔室與待測腔室之間處于連通狀態(tài)或隔斷狀態(tài)。本發(fā)明通過...

本申請公開了一種堆疊納米片圍柵場效應晶體管的制備方法及場效應晶體管。該制備方法包括：在襯底上沉積形成疊層，疊層包括交替層疊設置的多個硅材料納米片層與多個硅合金層；刻蝕硅合金層形成第一回縮腔，第一回縮腔位于相鄰兩個硅材料納米片層之間；在第...

本發(fā)明公開一種靜電放電防護器件及其制備方法，涉及半導體技術(shù)領域，以解決難以在較小面積下對碳基器件進行靜電防護的問題。所述一種靜電放電防護器件包括：形成在襯底內(nèi)的至少具有兩個電極的硅基器件，覆蓋襯底的有兩個互聯(lián)通孔的絕緣層，形成在絕緣層上...

本申請?zhí)峁┝艘环N采樣開關電路和傳感器接口電路，涉及采樣技術(shù)領域。在該采樣開關電路中，第一采樣隔離模塊的輸入端作為采樣開關電路的第一輸入端，第一采樣隔離模塊的輸出端與柵壓自舉開關的輸入端相連，柵壓自舉開關的輸出端作為采樣開關電路的輸出端。...

本公開提供了一種基于光源相干性的光刻成像仿真方法和裝置。本公開的方法包括：計算光刻系統(tǒng)中有效源面上每個光源點產(chǎn)生的輸出電場；計算有效源面上任意兩個光源點之間的空間相干度；根據(jù)當前光源點的輸出電場和當前光源點與其他光源點之間的相干度，確定...

本公開提供了一種漏電抑制方法和裝置，可以應用于非易失性存儲器技術(shù)領域。該漏電抑制方法包括：將待存儲數(shù)據(jù)輸入目標神經(jīng)網(wǎng)絡，輸出字線偏移地址，其中，字線偏移地址是與待存儲數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)狀態(tài)值對應的最能抑制快閃存儲器中相鄰字線彼此之間漏電的地址...

本申請?zhí)峁┝艘环N碳基芯片熱仿真方法及裝置，涉及熱仿真技術(shù)領域。在執(zhí)行所述方法時，先利用基于碳納米管場效應晶體管模型生成的設計工具套件和標準單元庫，生成待仿真的碳基芯片的版圖，再基于待仿真的碳基芯片的版圖進行功耗分析，得到功耗分析結(jié)果，接...

本申請涉及激光技術(shù)領域，具體而言，涉及一種激光的發(fā)射裝置和方法。激光的發(fā)射裝置包括：激光發(fā)射器；激光功率控制模塊；脈沖展寬補償模塊；光纖耦合模塊，激光功率控制模塊可以實現(xiàn)對激光器出射不同波長激光的功率控制，脈沖展寬補償模塊使得光譜中的低...

本發(fā)明提供了一種半導體量測設備及光軸一致性的裝調(diào)方法，該半導體量測設備包括光源、照明鏡頭、照明反射組件、偏擺反射組件、分光鏡、水平放置的硅片以及探測器，其中，照明反射組件包括照明調(diào)整架和放置到照明調(diào)整架上的照明反射鏡；偏擺反射組件包括偏...